Infineon IDH06G65C6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для силового транзистора Infineon IDH06G65C6.

Общее описание

Infineon IDH06G65C6 — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе D²PAK (TO-263-3), разработанный для высокоэффективных и надежных ключевых приложений. Он является частью линейки C6, которая оптимизирована под инверторы и моторные приводы с высокой частотой переключения (до нескольких десятков кГц), благодаря низким динамическим потерям.

Ключевая особенность: Этот транзистор представляет собой монолитный кремниевый чип, в котором интегрированы IGBT и обратный диод (антипараллельный диод Freewheeling). Это упрощает монтаж и улучшает надежность системы по сравнению с дискретными сборками.

Основные области применения:

• Приводы двигателей переменного тока (например, в промышленных ЧРП, компрессорах, насосах)
• Инверторы для бытовой техники (кондиционеры, стиральные машины)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы солнечной энергетики (инверторы)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES = 650 В | Максимальное рабочее напряжение | | Номинальный ток коллектора | I_C @ 25°C = 20 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток коллектора (пиковый) | I_CM = 40 А | Максимальный импульсный ток | | Напряжение насыщения | V_CE(sat) = 1.7 В (тип.) @ I_C=20A | Показывает потери в открытом состоянии | | Энергия включения/выключения | E_on = 0.55 мДж, E_off = 0.35 мДж (тип.) | Низкие динамические потери (преимущество серии C6) | | Напряжение прямого диода | V_F = 1.9 В (тип.) @ I_F=20A | Характеристика встроенного обратного диода | | Ток затвора-эмиттера | V_GE = ±20 В | Максимальное напряжение на затворе | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) = 5.3 В (тип.) | Напряжение, при котором начинается открытие | | Тепловое сопротивление | R_thJC = 0.85 К/Вт | Сопротивление "переход-корпус" | | Диапазон температур перехода | T_J = -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Корпус | D²PAK (TO-263-3) | Плоский, для поверхностного монтажа (SMD) с мощным теплоотводом |

Парт-номера и маркировка

• Полное название производителя: IDH06G65C6XKSA1
• Маркировка на корпусе: На корпусе транзистора обычно нанесен код, например: IDH06G65C6 или его сокращенная версия.
• Варианты упаковки: Компонент поставляется на катушках для автоматического монтажа.

Важно: При заказе у дистрибьюторов используйте полный номер IDH06G65C6XKSA1 для однозначной идентификации.

Совместимые и аналогичные модели

При поиске замены или аналога необходимо учитывать напряжение (650В), ток (20А), корпус (D²PAK) и динамические характеристики (серия C6).

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии C6):

• IDH06G65C5 — Предыдущее поколение (серия C5). Имеет немного более высокие потери на переключение, но часто может быть прямой заменой в существующих схемах.
• IKW серия в корпусе TO-247: Например, IKW20N65H5. Другой корпус (через отверстие), но схожие электрические параметры.

2. Аналоги от других производителей (требуется проверка даташита и выводов!):

• STMicroelectronics: STGD20M65DF2 (с интегрированным диодом, корпус D²PAK).
• Fuji Electric: Рассмотреть серию 2MBI в модулях или поиск дискретных IGBT на 20А/650В в D²PAK.
• ON Semiconductor: FGH20N65SMD (в корпусе TO-263) от Fairchild (принадлежит ON).
• IXYS (Littelfuse): Серия IXGX20N65C2 или подобные.

3. Важные замечания по совместимости:

• Не является прямым аналогом MOSFET с такими же напряжениями и токами. IGBT и MOSFET имеют принципиально разные характеристики управления и частотные свойства.
• Перед заменой обязательно сверьтесь с даташитами (Datasheet) обоих компонентов, особенно разделы:
  • Распиновка (Pinout) — расположение выводов Collector, Gate, Emitter.
  • Вольт-амперные (I-V) характеристики.
  • Характеристики встроенного диода.
  • Зависимости параметров от температуры.
• Схема управления затвором (драйвер) должна быть рассчитана на работу с IGBT (учитывать V_GE(th), рекомендуемое напряжение затвора обычно +15В/-5...-15В).

Рекомендация: Для новых разработок Infineon рекомендует использовать более современные поколения, такие как IGBT7 или CoolMOS™, которые могут предложить лучшую эффективность. Однако для ремонта или прямой замены IDH06G65C6 остается надежным и широко используемым компонентом.