Infineon H30R100

Конечно. Вот подробное описание транзистора Infineon H30R1003, включая технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание

Infineon H30R1003 — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в популярном корпусе TO-247. Он является частью линейки IRGP série, известной своей надежностью и высокими характеристиками.

• Основное назначение: Ключевой элемент в силовых электронных схемах, где требуется управление высокими напряжениями и токами. Он предназначен для инверторов, импульсных источников питания, сварочных аппаратов, моторных приводов и систем индукционного нагрева.
• Принцип работы: IGBT сочетает в себе простоту управления по напряжению (как у MOSFET) и способность работать с высокими напряжениями и токами (как у биполярного транзистора). H30R1003 оптимален для работы на частотах до 20-30 кГц.
• Ключевые преимущества:
  • Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1000 В, что позволяет работать в сетях 380В и 400В с хорошим запасом прочности.
  • Высокий ток коллектора (I_C): 46 А при 100°C, и до 90 А при 25°C.
  • Низкое напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.7 В (типовое при I_C = 30А), что означает меньшие потери мощности и нагрев во включенном состоянии.
  • Встроенный быстрый обратный диод: Упрощает схемотехнику и обеспечивает защиту от обратных выбросов напряжения в индуктивных нагрузках.

Технические характеристики (Electrical Characteristics at T_j = 25°C, если не указано иное)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение Коллектор-Эмиттер | V_CES | 1000 В | | | Ток коллектора (постоянный) | I_C | 46 А | T_case = 100°C | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 90 А | | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | V_CE(sat) | 2.7 В (макс. 3.5 В) | I_C = 30 А, V_GE = 15 В | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 4.5 - 6.5 В | V_CE = V_GE, I_C = 1 мА | | Сопротивление "Открыт-Закрыт" | R_G(on/off) | 6.8 / 6.8 Ом | Рекомендуемое для драйвера | | Входная емкость | C_ies | 1800 пФ | V_CE = 25 В, V_GE = 0 В, f = 1 МГц | | Общий заряд затвора | Q_g | 110 нКл | V_CC = 400 В, I_C = 30 А, V_GE = 15 В | | Время включения / выключения | t_on / t_off | 50 нс / 300 нс | | | Параметры встроенного диода | | | | | Непрерывный прямой ток диода | I_F | 46 А | | | Прямое напряжение диода | V_F | 2.5 В (макс. 3.5 В) | I_F = 30 А, V_GE = 0 В | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 0.65 °C/Вт | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Поскольку Infineon является правопреемником компаний International Rectifier (IR) и частично Siemens Semiconductors, у этого транзистора есть несколько обозначений. Все это один и тот же компонент.

Прямые парт-номера:

• IRGP30B100KD - Это, по сути, второе основное название для H30R1003. Часто используется в документации и на сайтах дистрибьюторов.
• H30R1003 - Основной номер по каталогу Infineon.

Прямые аналоги (полностью совместимые замены):

Эти транзисторы имеют идентичные или практически идентичные характеристики и цоколевку, и могут быть установлены на плату без изменений в схеме.

• IRGPC40B100KDPbF (более новая версия, возможно, с улучшенными параметрами)
• IRGPC40U100KDPbF
• IXGH40N100C (от IXYS, теперь часть Littelfuse)
• FGA40N100C (от Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модели (для замены, но требуется проверка даташита):

Эти транзисторы очень близки по ключевым параметрам (напряжение 1000В, ток ~40А) и часто используются в аналогичных применениях. Перед заменой обязательно сверьтесь с datasheet, особенно по расположению выводов, заряду затвора (Q_g) и пороговому напряжению (V_GE(th)).

• FGH40N100SMD (от Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW40H100C (от STMicroelectronics)
• NGTB40N100CWG (от ON Semiconductor)

Важные замечания по применению:

1. Управление затвором: Для эффективного и безопасного управления необходим специализированный драйвер IGBT. Рекомендуемое напряжение затвора V_GE обычно составляет +15 В для открытия и -5...-15 В для надежного закрытия (для подавления Miller Effect).
2. Тепловой режим: Из-за значительных коммутационных потерь компонент требует качественного теплоотвода. Обязательно используйте термопасту и рассчитывайте радиатор, чтобы температура перехода T_j не превышала 150°C (рекомендуется с запасом до 125°C).
3. Паразитная индуктивность: Монтажные провода и дорожки на плате должны быть максимально короткими, чтобы минимизировать паразитную индуктивность, которая вызывает выбросы напряжения при быстром переключении.

Где найти официальную информацию? Всегда обращайтесь к официальному даташиту (технической документации) на сайте Infineon. Это гарантирует получение самой актуальной и точной информации.