Infineon H20R1203

Конечно, вот подробное описание IGBT-транзистора Infineon H20R1203, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon H20R1203 — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в популярном корпусе TO-247. Он является ключевым компонентом в силовой электронике, где требуется эффективное и быстрое переключение высоких напряжений и токов.

Этот транзистор относится к серии IRGP20BxxUD2 от Infineon, которая характеризуется низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и высокой стойкостью к короткому замыканию. Модель H20R1203 оптимизирована для работы на частотах до 20-40 кГц, что делает его идеальным решением для:

• Инверторов и частотных преобразователей
• Сварочных аппаратов
• Систем индукционного нагрева
• Импульсных источников питания (SMPS)
• Приводов двигателей

Ключевая особенность этого прибора — встроенный быстрый восстановительный диод (FRD), который защищает транзистор от импульсных перенапряжений при коммутации индуктивной нагрузки, что избавляет от необходимости подбирать и устанавливать внешний диод.

Технические характеристики

Вот основные параметры IGBT H20R1203:

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | IRGP20BxxUD2 | | | Напряжение "коллектор-эмиттер" | V_CES = 1200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Постоянный ток коллектора (при T=25°C) | I_C = 40 А | Ток в непрерывном режиме при комнатной температуре | | Ток коллектора (при T=80°C) | I_C = 20 А | Ток в непрерывном режиме при повышенной температуре (более реалистичный параметр) | | Импульсный ток коллектора | I_CM = 80 А | Максимальный кратковременный пиковый ток | | Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер" | V_CE(sat) = 2.5 В (тип.) | Падение напряжения на открытом транзисторе при I_C=20А. Определяет потери проводимости. | | Падение на встроенном диоде | V_EC = 2.5 В (тип.) | Прямое падение напряжения на встроенном обратном диоде | | Энергия для включения/выключения | E_on = 1.35 мДж, E_off = 0.55 мДж (тип.) | Определяет потери на переключение | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot = 200 Вт | При T_c=25°C | | Температура перехода | T_j = -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_thJC = 0.625 °C/Вт | Определяет эффективность отвода тепла | | Встроенный диод | Да, быстрый восстановительный (FRD) | |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели / Аналоги

Поскольку H20R1203 — это очень распространенная и удачная модель, у нее есть множество прямых аналогов и парт-номеров от других производителей. Многие из них являются прямой заменой (drop-in replacement) и имеют схожие или идентичные характеристики.

Парт-номера Infineon (внутренние и устаревшие обозначения):

• IRGP20B120UD-EP — это часто является основным техническим номером для этой серии.
• H20R1203 — популярный коммерческий номер для заказа.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

• Fairchild / ON Semiconductor:

  • FGH40N120SFDTU (очень популярный и мощный аналог)
  • HGTG20N120B3D
  • HGTG30N120B3D

• STMicroelectronics:

  • STGW40H120DF3 (отличный современный аналог)
  • STGIW40H120DF3 (в корпусе TO-247IS)

• IXYS (Littelfuse):

  • IXGH40N120BD1
  • IXGH40N120C2D1

• Toshiba:

  • GT40QR121 (устаревший, но встречается)

• International Rectifier (IR, теперь часть Infineon):

  • IRG4PH40UD2 (более старый аналог, часто взаимозаменяем)

Важные замечания по замене:

1. Перед заменой всегда сверяйтесь с Datasheet! Хотя аналоги являются прямой заменой по распиновке, могут быть незначительные различия в характеристиках (например, емкость затвора, время задержки), которые могут потребовать корректировки драйвера.
2. FGH40N120SFDTU и STGW40H120DF3 — на сегодняшний день одни из самых популярных и эффективных аналогов для H20R1203, часто превосходящие его по параметрам.
3. При замене вышедшего из строя IGBT настоятельно рекомендуется менять всю плечевую пару (или все три транзистора в инверторе) и проверять драйверы на предмет неисправностей.

Надеюсь, эта информация была полезна!