Infineon G30N60HS

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon G30N60HS, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon G30N60HS — это мощный высоковольтный MOSFET-транзистор, являющийся частью линейки CoolMOS™ HS (High Speed). Это поколение является предшественником современных серий CoolMOS (таких как C3, C6, C7, P6 и т.д.) и было разработано для обеспечения высокой эффективности и скорости работы в импульсных источниках питания.

Ключевые особенности и применение:

• Технология CoolMOS™: Основана на принципе супер-джunction (Super-Junction), что позволяет достигать рекордно низкого значения сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) для своего класса напряжений. Это напрямую снижает коммутационные потери и нагрев.
• Высокое напряжение: Напряжение 600 В делает его идеальным для работы в сетях 220/380 В.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям и оптимизированной внутренней структуре, транзистор может работать на высоких частотах (десятки и сотни кГц), что позволяет уменьшать габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей) в схемах.
• Отличная стойкость к лавинному пробою (Avalanche Rugged): Транзистор способен выдерживать кратковременные импульсные перенапряжения, что повышает надежность конечного устройства.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) средней и высокой мощности
• PFC-корректоры коэффициента мощности (обычно в схемах Boost)
• Инверторы и сварочное оборудование
• Привода двигателей (Motor Drives)

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | CoolMOS™ HS | High Speed | | Тип прибора | N-Channel MOSFET | МОП-транзистор с N-каналом | | Структура | Super-Junction | | | Корпус | TO-247 | | | Напряжение "Сток-Исток" (VDSS) | 600 В | | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.085 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 15 А | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.115 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 30 А (пульсирующий) | | Максимальный постоянный ток стока (ID @ 25°C) | 30 А | | | Максимальный постоянный ток стока (ID @ 100°C) | 19 А | | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 120 А | | | Мощность рассеяния (Ptot) | 280 Вт | На изолированном теплоотводе | | Напряжение затвор-исток (VGSS) | ± 30 В | | | Заряд затвора (Qg) | ~ 70 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Время включения (td(on)) | 14 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off)) | 55 нс (тип.) | | | Емкость "Вход-Выход" (Coss) | ~ 130 пФ (тип.) | |

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

При поиске замены важно учитывать не только электрические характеристики, но и корпус, а также тип нагрузки (высокочастотный ключ или линейный режим).

Прямые аналоги и парт-номера:

Это транзисторы, которые имеют максимально близкие параметры и часто являются прямыми аналогами (drop-in replacement) в схемах.

• Infineon SPP30N60S5 (более новая серия CoolMOS S5, часто используется как модернизация)
• STMicroelectronics STW30N60M2 (серия MDmesh™ M2)
• STMicroelectronics STW30N60DM2 (серия MDmesh™ DM2, с быстрым диодом)
• Fairchild/ON Semiconductor FCP30N60 (серия SuperFET®)
• IR (International Rectifier) IRFP32N60K (серия Kp6)
• IXYS IXFP32N60X3

Близкие по характеристикам и часто совместимые модели (требуют проверки по datasheet!):

Эти транзисторы имеют схожие ключевые параметры (напряжение 600В, ток ~30А, RDS(on) ~0.1 Ом), но могут отличаться по динамическим характеристикам, заряду затвора или корпусу.

• Infineon IPA60R360P7S (серия CoolMOS P7, в корпусе TO-220 FullPAK) - новее и эффективнее
• Infineon IPP30N60S3 (серия CoolMOS S3, в корпусе TO-220)
• STMicroelectronics STP30N60M2 (TO-220)
• STMicroelectronics STW34N60M2 (TO-247, ток 34А)
• ON Semiconductor NTP30N60 (TO-220)

Важное замечание по замене:

1. Всегда сверяйтесь с Datasheet! Перед заменой обязательно сравните ключевые параметры, особенно:
   • Распиновку корпуса (у некоторых аналогов выводы Drain и Source могут быть поменяны местами).
   • Заряд затвора (Qg) и внутренние емкости. Если заряд значительно отличается, драйвер управления может не справиться, что приведет к перегреву и выходу из строя.
   • Характеристики внутреннего диода (если он используется в схеме).
2. CoolMOS — это специализированные транзисторы. Замена на более старые "классические" MOSFET (например, IRFP460) хотя и возможна по напряжению и току, почти всегда приведет к ухудшению КПД и сильному нагреву на высоких частотах, так как у них гораздо выше динамические потери.

Для точного подбора аналога рекомендуется использовать инструменты поиска на сайтах производителей (Infineon, STM, ON Semi) или в базах данных электронных компонентов.