Infineon G10N60A

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon G10N60A, его технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание

Infineon G10N60A — это мощный высоковольтный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™. Он принадлежит к линейке C7, которая характеризуется сверхнизким сопротивлением канала в открытом состоянии (R DS(on)) и высокой эффективностью переключения.

Основное предназначение: Транзистор разработан для использования в импульсных источниках питания (SMPS), корректорах коэффициента мощности (PFC), инверторах и других силовых электронных устройствах, где требуются высокое напряжение, низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевые преимущества:

• Высокое напряжение сток-исток: 600 В, что обеспечивает хороший запас прочности в сетевых приложениях (220/380В).
• Низкое сопротивление в открытом состоянии: Всего 0.6 Ом, что минимизирует потери на нагрев в открытом состоянии.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, уменьшая габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).
• Технология CoolMOS C7: Обеспечивает оптимальный баланс между низкими потерями на проводимость и переключение, а также высокой устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 В | | | Сопротивление "сток-исток" | R_DS(on) | 0.6 Ом | при V_GS = 10 В, I_D = 5 А | | Максимальный постоянный ток стока | I_D | 10 А | при T_C = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока | I_DM | 40 А | | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | при I_D = 250 мкА | | Максимальное напряжение "затвор-исток" | V_GS | ± 30 В | | | Входная емкость | C_iss | 750 пФ | при V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц | | Выходная емкость | C_oss | 65 пФ | | | Емкость обратной связи | C_rss | 8 пФ | | | Общая рассеиваемая мощность | P_tot | 156 Вт | при T_C = 25°C | | Температура перехода | T_J | от -55 до +150 °C | | | Корпус | - | TO-220 | |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Парт-номера — это альтернативные обозначения того же самого компонента от производителя или его дистрибьюторов.

• SPW10N60C3 (Этот номер часто указывается в datasheet Infineon как парт-номер)
• G10N60AD

Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске аналога (замены) необходимо сверять не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и цоколевку (распиновку) корпуса, а также динамические характеристики.

Прямые или очень близкие аналоги:

• STMicroelectronics: STP10NK60Z, STP10NK60ZFP (с проверкой распиновки)
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP10N60, FCPF10N60
• Vishay (Siliconix): SQJA10N60C
• International Rectifier: IRFB10N60K, IRFB10N60KPBF
• Toshiba: TK10A60W

Важные замечания по замене:

1. Всегда сверяйте datasheet! Перед заменой обязательно скачайте техническое описание (datasheet) на аналог.
2. Корпус: Убедитесь, что корпус совпадает (обычно TO-220).
3. Распиновка: В корпусе TO-220 у большинства MOSFET-ов распиновка стандартная (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), но бывают исключения, особенно у STP10NK60Z (у него 1-Затвор, 2-Исток, 3-Сток).
4. Характеристики: Обращайте внимание на емкости (C_iss, C_oss, C_rss), так как они влияют на работу драйвера и могут потребовать подбора компонентов обвязки.

Вывод: Infineon G10N60A — это надежный и эффективный транзистор для силовой электроники. При его замене аналогом, STP10NK60Z является одним из самых распространенных вариантов, но требует обязательной проверки и, скорее всего, переворота в плате из-за другой распиновки. Более безопасным с точки зрения цоколевки аналогом будет FCP10N60 от ON Semiconductor.