Infineon FZ1200R12KF4
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon FZ1200R12KF4
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для модуля Infineon FZ1200R12KF4.
Описание
Infineon FZ1200R12KF4 — это мощный двухуровневый IGBT-модуль (Dual IGBT Module) четвертого поколения, разработанный для применения в высоковольтных и высокотоковых преобразователях частоты. Это не просто два отдельных IGBT в одном корпусе, а интегрированное решение, где два ключа соединены последовательно, образуя так называемый "полумост" (Half-Bridge) или "двухуровневый выход".
Модуль использует передовую тrenchstop и Fieldstop технологию от Infineon, что обеспечивает низкие динамические потери и высокую эффективность. Он предназначен для работы в жестких промышленных условиях и характеризуется высокой перегрузочной способностью и надежностью.
Ключевые особенности:
- Высокая мощность: Рассчитан на номинальный ток 1200 А и напряжение 1200 В.
- Низкие потери: Технология Trenchstop IV обеспечивает отличный баланс между напряжением насыщения и скоростью переключения.
- Встроенный NTC-термистор: Позволяет осуществлять температурный мониторинг модуля для системы защиты.
- Высокая изоляция: Корпус модуля обеспечивает электрическую изоляцию от теплоотвода (2500 В~ / мин).
- Паяная медная основа: Обеспечивает высокую надежность силовых циклов и эффективный отвод тепла.
Основные области применения:
- Промышленные приводы переменного тока (AC Drives)
- Преобразователи частоты для среднего и высокого напряжения
- Статические компенсаторы реактивной мощности (SVG)
- Возобновляемая энергетика (ветряные, солнечные электростанции)
- Промышленные печи и сварочное оборудование
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Тип модуля | Двухуровневый IGBT (Dual) | Два последовательных ключа | | Конфигурация чипов | 2 x IGBT + 2 x Диод | На каждое плечо | | Номинальное напряжение | VCES = 1200 В | | | Номинальный ток (при Tc=80°C) | IC,nom = 1200 А | | | Максимальный ток | IC,max = 2400 А | Пиковое значение | | Напряжение насыщения IGBT | VCE(sat) ~ 1.85 В (тип.) | При IC=1200А, VGE=15В | | Прямое напряжение диода | VFM ~ 1.65 В (тип.) | При IF=1200А | | Тепловое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) ~ 0.10 К/Вт (IGBT) | На один ключ | | Максимальная температура перехода | Tvjmax = 150 °C | | | Встроенный термистор | Да, NTC | Сопротивление ~ 10 кОм при 25°C | | Напряжение изоляции | 2500 В~ / 1 мин. | Между базовой платой и чипами | | Рекомендуемое усилие затяжки | 8 Н·м | Для монтажных винтов | | Вес | ~ 450 г | |
Примечание: Все значения типичные или номинальные. Для проектирования необходимо обращаться к официальному даташиту.
Парт-номера и аналоги
Поскольку Infineon является одним из лидеров на рынке, у данного модуля есть несколько парт-номеров, а также прямые аналоги от других производителей.
Парт-номера и крос-референсы (Cross-Reference)
Это тот же самый физический модуль, который может продаваться под разными номерами в зависимости от региона, дистрибьютора или упаковки.
- FZ1200R12KF4 (основной номер)
- FZ1200R12KF4_B5 (может указывать на версию упаковки или партии)
- FZ1200R12KF4C (возможное обозначение для определенного рынка)
Совместимые и аналогичные модели (Прямые аналоги)
Эти модули от других производителей имеют идентичную или очень похожую конфигурацию, электрические характеристики и корпус, что позволяет использовать их в качестве замены без изменения конструкции силовой платы (механика и расположение контактов совпадают).
| Производитель | Модель-аналог | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Mitsubishi Electric | CM1200HC-66H | Один из самых распространенных и точных аналогов. Широко используется. | | Fuji Electric | 2MBI1200VXB-170-50 | Прямой аналог с сопоставимыми характеристиками. | | SEMIKRON | SKiiP 1293GB12E4V1 | Внимание! Модули SEMIKRON часто имеют интегрированные драйверы или другую компоновку. Этот номер является функциональным аналогом, но механически может не быть прямой заменой. Требует проверки по datasheet. | | Hitachi | MBN1200HXB-170DA | Прямой аналог. |
Функциональные аналоги (требуют проверки)
Эти модули выполняют ту же функцию (двухуровневый полумост на 1200А/1200В), но могут иметь отличия в корпусе, расположении выводов или тепловых характеристиках. Их замена требует переработки дизайна платы и системы охлаждения.
- Модули в корпусе EconoDUAL™ 3 от других производителей (например, от SEMIKRON, Vincotech) с аналогичными VCES и IC.
Важное примечание: Несмотря на то, что перечисленные аналоги являются прямыми конкурентами и имеют схожие характеристики, перед заменой всегда необходимо тщательно сверяться с технической документацией (datasheet) обоих модулей. Особое внимание следует уделять:
- Геометрическим размерам и расположению монтажных отверстий.
- Расположению и типу силовых и управляющих выводов.
- Значениям паразитных индуктивностей и емкостей.
- Рекомендуемым схемам драйверов и параметрам управления.