Infineon FZ1200R12KF1-S1
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon FZ1200R12KF1-S1
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели модуля IGBT Infineon FZ1200R12KF1-S1.
Общее описание
Infineon FZ1200R12KF1-S1 — это мощный IGBT-модуль второго поколения (TrenchStop IGBT2) в классическом корпусе 62 мм. Он предназначен для применения в промышленных инверторах, приводах средней и высокой мощности, а также в системах возобновляемой энергетики (например, в солнечных и ветряных инверторах).
Это полумостовой (Half-Bridge) модуль, что означает, что внутри него находятся два IGBT-транзистора и два диода, соединенные по схеме полумоста. Это наиболее распространенная конфигурация для построения трехфазных инверторов.
Ключевые преимущества:
- Высокая надежность: Корпус с паяной керамической подложкой (DCB), рассчитанный на тяжелые условия эксплуатации.
- Низкие динамические потери: Благодаря технологии TrenchStop и мягкому восстановлению антипараллельных диодов.
- Упрощенный монтаж: Винтовые клеммы для силовых и управляющих подключений.
- Встроенный NTC-термистор: Для контроля температуры модуля.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | Примечание |
| :--- | :--- | :--- |
| Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) | 2 в 1 (2 IGBT + 2 диода) |
| Корпус | 62 мм, стандартный | |
| Напряжение коллектор-эмиттер
(VCES) | 1200 В | |
| Номинальный ток коллектора
(IC @ Tc=80°C) | 1200 А | |
| Ток импульса (ICP) | 2400 А | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
(VCE(sat)) | ~1.7 В | Тип. значение при номинальном токе |
| Открывающее напряжение диода
(VF) | ~2.0 В | Тип. значение |
| Тепловое сопротивление, переход-корпус
(Rth(j-c)) | 0.10 К/Вт | На один IGBT/диод |
| Максимальная температура перехода
(Tvjmax) | +150 °C | |
| Напряжение изоляции
(Viso) | 4000 ВRMS/мин | Основная изоляция (корпус-база) |
| Встроенный датчик температуры | NTC-термистор | Сопротивление: 10 кОм при 25°C |
Парт-номера (Part Numbers) и аналогичные обозначения
Официальный и полный парт-номер — FZ1200R12KF1-S1. Однако в спецификациях, на упаковке или в программах расчета могут встречаться и другие форматы:
- FZ1200R12KF1 (без суффикса
-S1). Суффикс-S1обычно указывает на конкретную ревизию или версию упаковки. Основной номер — FZ1200R12KF1. - SP001887281 — это внутренний номер заказа (Ordering Code) Infineon для данной модификации.
- На самом модуле обычно нанесен сокращенный код, например: FZ1200R12KF1.
Совместимые и аналогичные модели (Cross-Reference)
При поиске замены или аналога необходимо учитывать конфигурацию (полумост), ток (1200А), напряжение (1200В) и корпус (62мм). Прямые аналоги от других производителей:
От других производителей:
- Semikron: SKiiP 1220GB12-4DW (аналогичная технология и характеристики, но в другом корпусе SkiiP). Прямого аналога в корпусе 62мм под тем же номером у Semikron может не быть, требуется проверка по каталогу.
- Fuji Electric: 2MBI1200VXB-120-50 (серия X-Series, полумост, 1200А/1200В). Очень близкий аналог по параметрам и корпусу.
- Mitsubishi Electric: CM1200HB-12S (полумост, 1200А/1200В). Классический аналог от другого ведущего производителя.
- Hitachi (ныне входит в Mitsubishi): Модули серии MBN1200E12.
Аналоги от Infineon:
- Более новая/старая ревизия: FZ1200R12KF1 (без суффикса или с другими суффиксами, например,
-S2,-S5). Важно: При замене всегда нужно сверяться с даташитами, так как могут быть различия в паразитной индуктивности, типе клемм или характеристиках диодов. - Модули с другими токами в том же корпусе и напряжении:
- FZ800R12KF1 — 800А (меньшая мощность)
- FZ1600R12KF1 — 1600А (большая мощность)
- FZ2400R12KF1 — 2400А (значительно большая мощность)
- Модули с другим напряжением в том же корпусе и схожем токе:
- FZ1200R17KF1 — 1700В
- FZ1200R33KF1 — 3300В
Важное примечание по замене:
Несмотря на схожесть электрических параметров, механическая и тепловая совместимость (расположение отверстий, высота, конструкция клемм, тепловое сопротивление) могут отличаться. Перед заменой необходимо тщательно сравнивать монтажные чертежи (mechanical drawings) и характеристики в даташитах.