Infineon FF200R12KE4
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon FF200R12KE4
Конечно, вот подробное описание модуля IGBT Infineon FF200R12KE4, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.
Общее описание
Infineon FF200R12KE4 — это высоковольтный, высокотоковый IGBT-модуль второго поколения (TrenchStop IGBT2) в классическом корпусе 62 мм (Industry Standard EconoDUAL™ 3). Он предназначен для использования в мощных трехфазных инверторах, частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания (ИБП) и промышленных приводах.
Модуль представляет собой законченный трехфазный мостовой инвертор (6 в 1), содержащий в одном корпусе шесть IGBT-транзисторов и шесть обратных диодов. Это значительно упрощает и ускоряет проектирование и сборку силовой части.
Ключевые особенности:
- Низкие потери: Благодаря технологии TrenchStop и мягкому восстановлению диодов Emitter Controlled (CAL).
- Высокая перегрузочная способность: Короткозамкнутый режим работы (SC) до 10 мкс.
- Высокая изоляция: Сопротивление изоляции > 4 кВ (силовые выводы от основания радиатора).
- Паяные соединения: Обеспечивают высокую надежность и стойкость к термоциклированию.
- Интегрированный NTC-термистор: Для контроля температуры основания модуля.
Технические характеристики (основные)
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Трехфазный мост (6 IGBT + 6 диодов) | 6 in 1 | | Корпус | EconoDUAL™ 3 | 62 мм | | Коллектор-Эмиттер напряжение | VCES = 1200 В | | | Непрерывный ток коллектора (при Tc=80°C) | IC = 200 А | | | Импульсный ток коллектора (макс.) | ICM = 400 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) = 1.85 В (тип., при 200А) | Показывает уровень потерь проводимости | | Падение напряжения на диоде | VF = 2.1 В (тип., при 200А) | | | Макс. рабочая частота переключения | fsw до 20 кГц | Рекомендовано для данного модуля | | Мощность рассеяния | Ptot = 1070 Вт | При Tc=25°C | | Температура перехода (макс.) | Tvj = 150 °C | | | Температура хранения | Tstg = от -40 до +125 °C | | | Термическое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) = 0.12 К/Вт | На один IGBT/диод | | Встроенный датчик температуры | NTC-термистор | R25°C = 5 кОм, B=3435 | | Вес | ~ 310 г | |
Парт-номера и маркировка
Официальное и полное название модуля, которое используется в документации, заказах и наносится на корпус:
- FF200R12KE4
Расшифровка маркировки:
- FF — серия EconoDUAL 3.
- 200 — номинальный ток коллектора (200 А).
- R — корпус с выводами под пайку (в отличие от "S" для винтовых).
- 12 — номинальное напряжение (12 * 100 = 1200 В).
- K — поколение технологии (K = IGBT2 / CAL2 Diode).
- E4 — версия/ревизия продукта.
Варианты упаковки (Part Number Suffixes):
- FF200R12KE4_B2 — базовая комплектация (вероятно, наиболее распространенная).
- FF200R12KE4_B5 — может отличаться типом нанесенной теплопроводной пасты или способом упаковки. Важно: При заказе всегда уточняйте точный парт-номер у дистрибьютора.
Совместимые модели и аналоги
Аналоги можно разделить на две категории: прямые замены (second source) от других производителей и функционально совместимые модели от Infineon с улучшенными параметрами.
1. Прямые аналоги от других производителей (корпус 62мм, 1200В, 200А):
- SEMIKRON: SKM200GB12E4 — один из самых популярных прямых аналогов.
- Fuji Electric: 2MBI200U2B-120 или 2MBI200U4B-120 (обратите внимание на конструкцию выводов).
- Mitsubishi Electric: CM200DU-12NFH.
- Hitachi (ныне в составе Mitsubishi): Модели в корпусе 62мм.
Важно при замене: Несмотря на механическую и электрическую совместимость, всегда необходимо сверяться с монтажными чертежами (datasheet), расположением выводов управления, характеристиками драйверов и параметрами теплового режима.
2. Более современные аналоги от Infineon (рекомендованы для новых разработок):
Infineon рекомендует переходить на модули новых поколений, которые при тех же габаритах и номиналах обладают меньшими потерями и более высокой эффективностью.
-
Аналог 3-го поколения (IGBT3):
- FF200R12KT3 или FF200R12KT3_B5 — прямое эволюционное обновление. Меньшее VCE(sat), улучшенные диоды.
-
Аналог 4-го поколения (IGBT4) — оптимальный выбор:
- FF200R12KE4G (E4G) — Модуль с IGBT4 и диодами CAL4 HD (High Speed). Значительно меньшие динамические потери, что позволяет работать на более высоких частотах (до 8-16 кГц) или снизить тепловыделение. Наиболее популярная и рекомендуемая замена в настоящее время.
-
Аналог 7-го поколения (IGBT7) — топовая производительность:
- FF200R12W3T7B11A — Модуль серии EconoDUAL™ 3 W3 с технологией IGBT7 (мicroTrench). Имеет существенно более низкие общие потери (~30% меньше, чем у IGBT4), расширенную область безопасной работы (RTC), что делает его лучшим по эффективности решением для новых проектов.
Вывод
Infineon FF200R12KE4 — это проверенный, надежный и широко распространенный силовой модуль для мощных преобразователей средней частоты. Для ремонта существующей аппаратуры его прямыми аналогами являются модели от Semikron, Fuji, Mitsubishi. Для новых разработок или модернизации настоятельно рекомендуется рассматривать более современные аналоги от Infineon: FF200R12KE4G (IGBT4) или FF200R12W3T7B11A (IGBT7), которые обеспечивают значительный выигрыш в КПД и тепловых режимах.