Infineon FD1000R33HE3-K

Конечно, вот подробное описание силового модуля Infineon FD1000R33HE3-K, включая его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Общее описание

Infineon FD1000R33HE3-K — это высокомощный двухуровневый IGBT-модуль (2-Level) в классическом корпусе EconoDUAL™ 3. Он является представителем третьего поколения IGBT-технологии Infineon (IGBT3 / Trench Stop 3), которая обеспечивает оптимальный баланс между низкими потерями проводимости и коммутации.

Модуль широко используется в промышленных приводах среднего напряжения, мощных ИБП (источники бесперебойного питания), системах накопления энергии (BESS) и тяговых преобразователях. Его конструкция "all-in-one" (все в одном) включает в себя два IGBT-ключа с антипараллельными диодами, что позволяет собирать, например, двухуровневый трехфазный инвертор с использованием всего трех таких модулей.

Ключевые особенности:

• Высокая мощность: Номинальный ток 1000 А при 25°C и 600 А при максимальной температуре корпуса 80°C.
• Среднее напряжение: Номинальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) 3300 В.
• Технология IGBT3: Низкие динамические потери и хорошая стойкость к перегрузкам по току.
• Корпус EconoDUAL™ 3: Стандартизированный, широко распространенный корпус, упрощающий проектирование системы охлаждения и монтаж.
• Встроенный NTC-термистор: Для контроля температуры модуля.
• Пресс-фит контакты (Press-FIT): Опциональное исполнение для печатной платы, позволяющее обходиться без пайки, что повышает надежность.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Номинальное напряжение | V_CES | 3300 В | Напряжение коллектор-эмиттер (IGBT) | | Номинальный ток (при T_case=25°C) | I_C @25°C | 1000 А | Постоянный ток коллектора | | Номинальный ток (при T_case=80°C) | I_C @80°C | 600 А | Основной рабочий параметр | | Максимальный импульсный ток | I_CP | 1200 А | < 1 мс | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 2.35 В | Тип., при I_C=600A, V_GE=15В | | Падение напряжения на диоде | V_F | 1.95 В | Тип., при I_F=600A | | Полная рассеиваемая мощность | P_tot | 4800 Вт | На модуль, при T_case=80°C | | Температура перехода | T_vj | -40...+150 °C | Максимальная рабочая +150°C | | Температура корпуса | T_case | -40...+80 °C | Максимальная для номинального тока | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) | 7.5 мК/Вт | На один IGBT или диод | | Сопротивление изоляции | R_isola | ≥ 10 кВ | Основная изоляция (корпус-база) | | Входная емкость | C_ies | 40 нФ | Типовое значение | | Встроенный датчик температуры | NTC | R_25°C = 5 кОм | Коэффициент B = 3435 K | | Монтаж | — | Винтовое соединение M6 | Для силовых выводов | | Вес | — | ~ 700 г | |

Парт-номера (Part Numbers) и варианты исполнения

Официальное полное наименование модуля может варьироваться в зависимости от типа выводов и упаковки.

• FD1000R33HE3 — базовая модель с винтовыми выводами.
• FD1000R33HE3BOSA1 — вариант с пресс-фит (Press-FIT) выводами для силовых контактов, облегчающий монтаж на печатную плату.
• FD1000R33HE3-B2 — может указывать на определенную ревизию или партию.
• FD1000R33HE3-K — "K" часто обозначает лоток/трей (tray) в качестве заводской упаковки (в отличие от коробки).

При заказе важно уточнять у дистрибьютора или в документации точный суффикс, особенно если требуется конкретное исполнение выводов.

Совместимые и аналогичные модели (Cross-Reference)

При поиске замены или аналога необходимо сверять не только электрические параметры (Vces, Ic), но и механический корпус (EconoDUAL 3), расположение выводов, а также характеристики драйверов.

Прямые аналоги от других производителей (в корпусе EconoDUAL 3, 3300В, ~600-1000А):

• Fuji Electric:
  • 2MBI1000VXB-330-50 — очень близкий аналог по характеристикам и корпусу.
• Mitsubishi Electric:
  • CM1000TX-34S — модуль серии "X-series", рассчитанный на 3300В, 1000А.
• SEMIKRON:
  • SKiiP 1000GB176-3DUL — интеллектуальный модуль с интегрированным драйвером и датчиком тока, но базовая ячейка имеет схожие параметры. Механика может отличаться.
• Hitachi (ныне часть Mitsubishi):
  • Модели серии MBN1000E33F — могут быть конструктивно совместимы.

Модели-преемники и альтернативы от Infineon:

• Более новые поколения: Infineon представила модули с технологией IGBT4 и IGBT7 (например, серия .XT), которые при тех же габаритах могут предлагать более высокую плотность тока или меньшие потери. Однако прямой механической и электрической заменой они могут не являться и требуют пересмотра драйверов и системы охлащения. Пример: FD1000R33HE4 (IGBT4) или аналоги в корпусе EconoDUAL™ 3.
• Модули в других корпусах: Для новых разработок Infineon предлагает более современные корпуса, такие как PrimePACK™, EconoPACK™, EconoPIM™.

Важное примечание по замене:

Перед заменой модуля обязательно необходимо:

1. Сравнить datasheet оригинального и потенциального аналога.
2. Проверить распиновку и геометрию выводов (особенно управляющих).
3. Убедиться в совместимости характеристик драйвера (напряжение управления, ток заряда/разряда затвора, требования к защите).
4. Учесть различия в динамических параметрах (например, скорости нарастания напряжения du/dt), которые могут повлиять на ЭМС и работу всей системы.

Рекомендуется использовать оригинальные модули Infineon или согласованные с производителем оборудования аналоги для гарантии надежной работы.