Infineon E6327

Конечно, вот подробное описание микросхемы Infineon E6327, ее технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание и применение

Infineon E6327 — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™. Эти транзисторы характеризуются исключительно низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой эффективностью переключения.

Основные преимущества и особенности:

• Высокая эффективность: Низкое значение RDS(on) приводит к минимальным потерям на проводимость и рассеиванию мощности, что особенно критично в импульсных источниках питания и схемах управления двигателями.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что способствует уменьшению габаритов пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов) в конечном устройстве.
• Низкие энергопотери: Технология OptiMOS™ оптимизирована для минимизации как потерь на проводимость, так и потерь на переключение.
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к импульсным перенапряжениям и перегрузкам.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS), особенно в первичных и вторичных цепях.
• Схемы синхронного выпрямения.
• DC-DC преобразователи.
• Системы управления двигателями (например, в компьютерной технике, промышленной автоматике).
• Стабилизаторы напряжения (VRM) для материнских плат и графических ускорителей.

Технические характеристики (Ключевые параметры)

Параметры приведены для корпуса TO-220.

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 3 | | | Сток-исток напряжение (V_DSS) | 150 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить | | Максимальный непрерывный ток стока (I_D) | 54 А | При T_c = 25°C | | Сопротивление канала (R_DS(on)) | 7.0 мОм | Ключевой параметр. V_GS = 10 В | | | 9.5 мОм | V_GS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.7 - 3.9 В | Тип. 3.3 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ± 20 В | Превышение приводит к пробою затвора | | Общий заряд затвора (Q_g) | ~ 58 нКл | V_GS = 10 В, влияет на драйвер | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 136 Вт | При T_c = 25°C | | Диод обратного хода (Body Diode) | Есть | Встроенный паразитный диод | | Корпус | TO-220 | |

Парт-номера и совместимые модели

Очень часто производители используют собственную маркировку для одних и тех же кристаллов. E6327 — это, скорее всего, парт-номер или номер для конкретного заказчика.

Основной парт-номер Infineon:

• IPP050N15N3 G — это полное и основное коммерческое наименование этой микросхемы от Infineon.
  • IPP — серия (Industrial Power Package, OptiMOS 3)
  • 050 — примерное значение RDS(on) в мОм, умноженное на 10 (т.е. 5.0 мОм, но уточняйте по даташиту)
  • N15 — напряжение 150 В
  • N3 — поколение OptiMOS 3
  • G — корпус, не содержащий свинца (RoHS)

Таким образом, E6327 и IPP050N15N3 G — это одна и та же микросхема.

Прямые аналоги и совместимые замены от других производителей

При поиске аналога необходимо ориентироваться на ключевые параметры: V_DSS = 150 В, I_D ~ 50 А, R_DS(on) < 10 мОм, корпус TO-220.

| Производитель | Модель-аналог | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Vishay / Siliconix | SQJ410EP | Мощный полевик в корпусе TO-220, очень близкие параметры. Один из самых популярных аналогов. | | STMicroelectronics | STP55N15 | Классический аналог, хорошо известный на рынке. | | International Rectifier (IR) | IRF3205 | Внимание! У этого транзистора напряжение всего 55В. Он НЕ является прямым аналогом по напряжению, но часто используется в схемах с низковольтным питанием и может ошибочно устанавливаться вместо E6327. Всегда проверяйте напряжение! | | ON Semiconductor | FDP61N15 | Хороший аналог с похожими характеристиками. | | Toshiba | TK155J15T | Еще один качественный аналог от японского производителя. |

Важные замечания:

1. Всегда сверяйтесь с даташитом (datasheet)! Перед заменой обязательно скачайте техническое описание как оригинальной детали, так и аналога, чтобы убедиться в полном соответствии всех необходимых параметров для вашей конкретной схемы.
2. Корпус: Указывался корпус TO-220, но тот же кристалл может поставляться в других корпусах (например, TO-220 FullPak, TO-247, D²PAK). Уточняйте физический размер заменяемого компонента.
3. Параметры драйвера: Обращайте внимание на заряд затвора (Q_g) и пороговое напряжение (V_GS(th)). Если схема драйвера рассчитана впритык, замена на модель с другими этими параметрами может привести к некорректной работе.