Infineon DZ600N12K

Артикул: 562890

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon DZ600N12K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового полупроводникового прибора Infineon DZ600N12K.

Описание

Infineon DZ600N12K — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением 1200 В и номинальным током коллектора 600 А. Данный прибор относится к поколению IGBT3 (TrenchStop 3) и поставляется в популярном и надежном модульном исполнении 62mm (EconoDUAL™ 3).

Этот модуль предназначен для работы в мощных преобразовательных устройствах, таких как:

Промышленные приводы переменного тока
Источники бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности
Сварочное оборудование
Инверторы для возобновляемой энергетики

Ключевые особенности:

Низкие потери: Технология TrenchStop обеспечивает низкое падение напряжения насыщения (Vce(sat)) и, как следствие, низкие коммутационные потери и высокий КПД.
Высокая перегрузочная способность: Модуль способен выдерживать значительные токи перегрузки.
Встроенный диод: Модуль включает в себя антипараллельный диод с мягкой характеристикой восстановления, что необходимо для инверторных и мостовых схем.
Высокотемпературная пайка: Медная основа (DCB-керамика) позволяет осуществлять пайку для высоконадежного монтажа.
Изоляция корпуса: Корпус модуля электрически изолирован от теплоотвода (опция, требует проверки в даташите), что упрощает процесс сборки и улучшает теплоотвод.

Технические характеристики

В таблице ниже приведены основные параметры при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Коллектор-Эмиттер" | V_CES | 1200 В | | | Номинальный ток коллектора | I_C @ 80°C | 600 А | При T_vj = 80°C | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 1200 А | | | Напряжение насыщения "Коллектор-Эмиттер" | V_CE(sat) | ~ 2.15 В | Типовое, при I_C = 600A, V_GE = 15В | | Открывающее напряжение диода | V_F | ~ 1.8 В | Типовое, при I_F = 600A | | Термическое сопротивление "переход-корпус" | R_th(j-c) | 0.015 К/Вт | Для IGBT | | Термическое сопротивление "корпус-радиатор" | R_th(c-f) | 0.03 К/Вт | С пастой, момент затяжки 2.5 Нм | | Максимальная температура перехода | T_vj | +150 °C | | | Напряжение управления затвором | V_GE | ± 20 В | Рекомендуемое: +15В / -5...-15В | | Емкость затвора | C_ies | ~ 45 нФ | | | Вес | - | ~ 270 г | | | Степень защиты | - | IP00 | Открытый корпус, требует осторожного обращения |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

IGBT-модули часто имеют несколько парт-номеров от одного производителя, а также прямые или функциональные аналоги от конкурентов.

1. Парт-номера от Infineon

DZ600N12K — основной порядковый номер.
DZ600N12KXT — скорее всего, обозначение для поставки в транспортной трубке (Tape & Reel) или иной вариант упаковки. Основные электрические параметры идентичны.

2. Совместимые и аналогичные модели от других производителей

При поиске аналога важно учитывать не только электрические параметры (V_CES, I_C), но и:

Корпус: 62mm (EconoDUAL 3).
Внутреннюю схему: Обычно это полумост (Half-Bridge) или два отдельных транзистора (Dual).
Технологию поколения IGBT.

Прямые или близкие аналоги от других производителей:

SEMIKRON: SKiM 600 GB12 E4 (аналогичный корпус, параметры).
Fuji Electric: 2MBI600VN-120-50 (очень близкий аналог в том же корпусе).
Mitsubishi Electric: CM600DU-12NF (классический и широко распространенный аналог).
Powerex (Mitsubishi): CM600DU-12NFH.

ВАЖНО:

Не является прямым drop-in replacement. Несмотря на схожие параметры и корпус, механические крепления, расположение клемм и характеристики драйвера могут незначительно отличаться. Перед заменой необходимо свериться с даташитами обоих модулей.
Поколение прибора. DZ600N12K — это IGBT3. Указанные аналоги (например, CM600DU-12NF) также относятся к IGBT3/Trench поколению, но могут иметь отличия в динамических характеристиках и Vce(sat).