Infineon DF200R12KE3
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon DF200R12KE3
Конечно, вот подробное описание модуля Infineon DF200R12KE3.
Infineon DF200R12KE3 — это двухуровневый IGBT-модуль (Dual) третьего поколения (IGBT3/TrenchStop) с очень высокими показателями тока и напряжения, предназначенный для использования в мощных промышленных приводах, преобразователях и источниках питания.
Описание и основные особенности
Модуль DF200R12KE3 представляет собой два полностью независимых силовых ключа (полумости), собранных в одном корпусе. Это позволяет легко строить на его основе двухуровневые трехфазные инверторы (для чего потребуется три таких модуля).
- Высокая мощность: Номинальный ток 200А при 1200В делает его пригодным для применения в системах с мощностью от десятков до сотен киловатт.
- Поколение IGBT3/TrenchStop: Эта технология обеспечивает хороший баланс между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и высокой скоростью переключения, что минимизирует потери проводимости и потери при переключениях.
- Низкие паразитные индуктивности: Конструкция модуля и силовые выводы оптимизированы для минимизации внутренних индуктивностей, что снижает перенапряжения при коммутации.
- Изолированный корпус: Модуль имеет керамическую изолированную подложку, что позволяет монтировать его непосредственно на радиатор без использования изолирующих прокладок, улучшая тепловые характеристики. Электрический потенциал корпуса — это потенциал эмиттера (E).
- Встроенный NTC-термистор: Позволяет осуществлять мониторинг температуры модуля для защиты от перегрева.
- Основное применение: Промышленные частотные преобразователи, сервоприводы, источники бесперебойного питания (ИБП), сварочное оборудование, системы рекуперации энергии.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Тип модуля | Dual IGBT / Dual Diode (2-in-1) | Два полумоста в одном корпусе | | Коллектор-Эмиттер напряжение | VCES = 1200 В | | | Номинальный ток (при Tc=80°C) | IC nom = 200 А | | | Максимальный импульсный ток | ICP = 400 А | | | Напряжение насыщения IGBT | VCE(sat)</sub) = 2.35 В (тип.) | При IC=200A, VGE=15V | | Прямое напряжение диода | VFM = 1.9 В (тип.) | При IF=200A | | Время переключения | ton = 0.28 мкс, toff = 1.1 мкс (тип.) | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | RthJC = 0.12 К/Вт (на IGBT) | | | Максимальная температура перехода | Tvj max = +150 °C | | | Сопротивление изоляции | Viso = 2500 В (эфф.) | | | Встроенный термистор | Да, NTC с R25°C = 5 кОм | Для контроля температуры | | Масса | ~ 170 г | | | Монтаж | Винтовой (M5) | |
Парт номера (Part Numbers) и аналоги
Производитель часто присваивает модулям внутренние коды, а также существуют прямые аналоги и кроссплатформенные замены от других производителей.
Прямые парт-номера (это тот же самый модуль):
- SP001763262: Это внутренний номер для заказа (Ordering Code) от Infineon.
- DF200R12KE3G: Может встречаться с суффиксом "G", что часто обозначает "безсвинцовую" (RoHS-совместимую) пайку. По сути, это тот же модуль для современных производств.
Совместимые модели и прямые аналоги:
ВАЖНО: Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитами, особенно по механическим размерам, расположению выводов и характеристикам затвора.
- Mitsubishi Electric: CM200DU-12NFH (очень близкий аналог по параметрам и корпусу).
- Fuji Electric: 2MB1200N-200 (аналогичный модуль серии N).
- SEMIKRON: SKM200GB12T4 (хотя корпус и распиновка могут отличаться, это аналог по классу мощности и напряжения).
- Dynex Semiconductor: DZ200I120N3 (аналогичный модуль в том же корпусе).
Аналоги в других корпусах (требует переработки конструкции):
- Infineon FZ200R12KE3: Модуль в корпусе "EconoPACK™ 4". Имеет схожие электрические параметры, но другой форм-фактор и конструкция выводов.
- Модули серии 62mm (полубридж): Например, отдельные IGBT-модули на 200А/1200В от разных производителей (в корпусе 62мм), но для сборки трехфазного инвертора их потребуется 6 штук, что менее компактно.
Заключение
Infineon DF200R12KE3 — это проверенный временем, надежный и мощный силовой модуль, который является отраслевым стандартом для многих промышленных применений средней и высокой мощности. Его популярность обусловлена удачным сочетанием технических характеристик, надежности и наличия прямых аналогов от других ведущих производителей, что упрощает проектирование и закупку.