Infineon DD360N22K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового транзистора Infineon DD360N22K.

Общее описание

Infineon DD360N22K — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии Trenchstop™ 5. Он принадлежит к серии CoolMOS™ P6, которая оптимизирована для обеспечения исключительного баланса между низким сопротивлением в открытом состоянии (R DS(on)) и высокой эффективностью переключения.

Ключевая особенность этой модели — высокое напряжение сток-исток (V DSS = 2200 В). Это делает транзистор предназначенным для применения в высоковольтных преобразователях, где требуется надежность и эффективность.

Основные сферы применения:

• Источники питания с коррекцией коэффициента мощности (PFC), особенно в топологии Totem-Pole PFC.
• Импульсные источники питания (SMPS) для промышленного оборудования, серверов и телекоммуникаций.
• Инверторы для солнечной энергетики (фотоэлектрические инверторы).
• Промышленные системы питания.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement Mode | | Технология | CoolMOS™ P6 (Trenchstop™ 5) | | | Корпус | TO-247-3 | Стандартный, для монтажа на теплоотвод. | | Напряжение "сток-исток" (V DSS) | 2200 В | Максимальное напряжение отключения. | | Сопротивление в открытом состоянии (R DS(on)) | 360 мОм (макс.) | При V GS = 15 В, I D = 12.5 А, T j = 25°C | | Постоянный ток стока (I D) | 12.5 А | При T C = 25°C | | Импульсный ток стока (I DM) | 50 А | | | Мощность рассеяния (P tot) | 300 Вт | При T C = 25°C (с теплоотводом) | | Заряд затвора (Q g (тип.)) | 118 нКл | При V GS = 15 В | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 3.5 - 5.0 В | | | Время включения (t on) | 31 нс (тип.) | | | Время выключения (t off) | 93 нс (тип.) | | | Диод обратного восстановления (Q rr) | 1.7 мкКл (тип.) | Низкий заряд восстановления встроенного диода — ключевое преимущество для PFC. | | Температура перехода (T j) | от -55 до +150 °C | |

Ключевые преимущества:

1. Высокая эффективность: Низкие значения R DS(on) и Q g снижают проводимость и коммутационные потери.
2. Высокая надежность: Технология Trenchstop™ 5 обеспечивает устойчивость к динамическим событиям и высокую стойкость к лавинным пробоям.
3. Быстрый встроенный диод: Низкий Q rr позволяет работать на высоких частотах в жестких режимах переключения (например, в Totem-Pole PFC).
4. Простота управления: Стандартные пороговые напряжения затвора.

Парт-номера и совместимые модели

Важно: Прямых 100% аналогов по всем параметрам, особенно для таких высоковольтных компонентов, часто не существует. Подбор замены требует анализа конкретной схемы (рабочее напряжение, частота, токи, режим переключения).

Парт-номера Infineon (внутренние обозначения и альтернативные корпуса):

• SP000000010 — это внутренний номер материала (Material Number) для DD360N22K.
• Аналог в корпусе TO-247-4 (с дополнительным выводом истока для лучшего подавления помех): IDD360N22K. Это функционально та же самая кристалл, но в 4-выводном корпусе.
• Модели из той же серии CoolMOS P6 с близкими параметрами, но другим напряжением или сопротивлением (например, DD260N22K с R DS(on) = 260 мОм).

Условно совместимые / конкурирующие модели от других производителей:

Ищите компоненты с характеристиками: N-MOSFET, 2200В, R DS(on) ~0.3-0.4 Ом, I D ~12-15А, TO-247.

• ON Semiconductor (ныне onsemi):
  • FCPF390N20E (2000В, 390мОм) — более доступный аналог, но на 200В меньше.
  • NTPF390N22 (2200В, 390мОм) — очень близкие параметры.
• STMicroelectronics:
  • STW88N25K5 (2500В, 380мОм) — более высокое напряжение.
  • Серия MDmesh™ K5 — аналогичная технология.
• IXYS (часть Littelfuse):
  • IXFH12N250 (2500В) — классические высоковольтные MOSFET.
• Toshiba:
  • TK12N220X (2200В, 400мОм) — из серии DT MOS VI.

Рекомендация по замене:

1. Приоритет: Используйте IDD360N22K (4-пиновый вариант от Infineon) для новых разработок или если требуется улучшенное переключение.
2. Кросс-замена: Наиболее близким прямым конкурентом часто является NTPF390N22 от onsemi.
3. Обязательно: Перед заменой внимательно изучите даташиты, особенно разделы, касающиеся динамических характеристик (C oss, Q oss, Q rr), параметров встроенного диода и безопасной рабочей области (SOA). Проверьте разводку выводов (pinout), особенно при переходе с 3-пинового на 4-пиновый корпус.