Infineon DD350N18K

Infineon DD350N18K
Артикул: 562830

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon DD350N18K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon DD350N18K.

Общее описание

Infineon DD350N18K — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он принадлежит к линейке высокоэффективных компонентов, разработанных для применений, где критически важны минимальные потери на проводимость и переключение, а также высокая надежность.

Ключевая особенность этой серии — использование корпуса TO-247, что указывает на его предназначение для мощных систем с высокими токами и напряжением, требующих эффективного отвода тепла. Транзистор оптимизирован для работы в жестких условиях промышленного и автомобильного оборудования.

Основное назначение: Применяется в силовых электронных устройствах, таких как:

  • Инверторы и моторные приводы (промышленные, для электромобилей)
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Выпрямители и сварочное оборудование
  • Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS)
  • Солнечные инверторы

Ключевые технические характеристики

В спецификациях указаны максимальные абсолютные значения и типовые параметры при Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | VDSS | 180 | В | Максимальное рабочее напряжение | | Непрерывный ток стока | ID | 195 | А | При TC = 25°C | | Стоковый ток (импульсный) | IDM | 780 | А | Максимальный кратковременный ток | | Сопротивление "сток-исток" во вкл. состоянии | RDS(on) | 1.8 | мОм | Ключевой параметр! При VGS = 10 В | | | | 2.3 | мОм | При VGS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | 2.8 - 3.8 | В | Типовое 3.3 В | | Максимальное напряжение "затвор-исток" | VGS | ±20 | В | | | Общий заряд затвора | QG | ~240 | нКл | Типовое, влияет на динамику переключения | | Максимальная рассеиваемая мощность | Ptot | 520 | Вт | При TC = 25°C | | Температура перехода | Tj | -55 … +175 | °C | | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | RthJC | 0.24 | К/Вт | |

Ключевые преимущества технологии OptiMOS™ 5:

  • Чрезвычайно низкое RDS(on): Обеспечивает минимальные потери на проводимость и нагрев.
  • Высокая эффективность переключения: Благодаря низким зарядам затвора (QG, Qgd).
  • Высокая стойкость к лавинному пробою: Повышенная надежность в индуктивных схемах.
  • Высокая рабочая температура перехода (до 175°C): Позволяет работать в тяжелых условиях.

Part-номера (полная маркировка и аналоги)

  • Полное коммерческое наименование: DD350N18K
  • Маркировка на корпусе (TO-247): Обычно наносится как DD350N18K или укороченный вариант.
  • Аналоги и парт-номера в других линейках Infineon:
    • IPP023N18N5 — аналог из серии OptiMOS™ 5 600V/150V Industrial Power Transistor. Это прямой и наиболее близкий аналог с практически идентичными характеристиками, часто используется как альтернатива.
    • Для новых разработок Infineon рекомендует переходить на более новое поколение OptiMOS™ 6 (150V/200V), например, IAUCN15N04F006NA (в другом корпусе). Однако полного аналога в TO-247 с такими же параметрами в Gen6 может не быть.

Совместимые модели (Аналоги от других производителей)

Подбор аналога требует проверки datasheet, но следующие модели от других брендов обладают схожими ключевыми параметрами (180В, ~2 мОм, TO-247) и могут рассматриваться для замены в новых проектах или при отсутствии оригинала:

  • STMicroelectronics: STH195N18K5 (серия STripFET™ K5) — очень близкий конкурент.
  • ON Semiconductor (now onsemi): FDP195N18A — аналогичный MOSFET в TO-247.
  • Vishay Siliconix: SIR195DP — мощный транзистор с похожими характеристиками.
  • Nexperia: Предлагает мощные MOSFET, но модель с такими точными параметрами нужно искать в их каталоге (например, серия PSMN).

ВАЖНО при замене:

  1. Всегда сверяйте распиновку (pinout) корпуса TO-247. У большинства производителей она стандартная (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но возможны исключения.
  2. Внимательно сравните динамические параметры (QG, Ciss), особенно если схема работает на высоких частотах.
  3. Проверяйте паразитные внутренние диоды (скорость восстановления) для мостовых и инверторных схем.
  4. Учитывайте разницу в максимальной температуре перехода и коэффициенте теплового сопротивления.

Рекомендация: Для критичных по надежности применений (промышленность, транспорт) предпочтительнее использовать оригинальный DD350N18K или его официальный аналог IPP023N18N5 от Infineon. При поиске замены всегда опирайтесь на актуальные даташиты.

Товары из этой же категории