Infineon DD350N16K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon DD350N16K.

Описание

Infineon DD350N16K — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии TRENCHSTOP™ 5. Это представитель линейки, оптимизированной для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике.

Ключевые особенности и применение:

• Технология: TRENCHSTOP™ 5 — обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) в сочетании с высоким быстродействием и малыми потерями при переключении. Это делает его идеальным для частотных преобразователей, импульсных источников питания и других применений, где важна высокая эффективность.
• Корпус: TO-247 — классический корпус для мощных силовых приборов, обеспечивающий хороший отвод тепла.
• Ключевое преимущество: Низкие коммутационные потери. Благодаря этому транзистор может работать на высоких частотах, что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов) в конечном устройстве.
• Основные области применения:
  • Частотные преобразователи (инверторы) для управления электродвигателями.
  • Силовые блоки промышленного оборудования.
  • Источники бесперебойного питания (ИБП).
  • Солнечные инверторы и системы возобновляемой энергетики.
  • Сварочное оборудование.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный MOSFET | - | Технология TRENCHSTOP™ 5 | | Корпус | TO-247 | - | 3 вывода | | Напряжение "сток-исток" | 600 | В (Вольт) | V_DSS | | Сопротивление в открытом состоянии | 0.035 | Ом (Ω) | R_DS(on) (тип.) при V_GS=15V, I_D=175A | | Максимальный постоянный ток стока | 350 | А (Ампер) | I_D при T_C=25°C | | Максимальный импульсный ток стока | 1400 | А (Ампер) | I_DM | | Максимальная рассеиваемая мощность | 1250 | Вт (Ватт) | P_tot при T_C=25°C | | Пороговое напряжение затвора | 3.7 - 5.3 | В (Вольт) | V_GS(th) (тип.) | | Напряжение затвор-исток | ± 30 | В (Вольт) | V_GS (макс.) | | Общий заряд затвора | 340 | нКл (нКулон) | Q_g (тип.) | | Время включения / выключения | 40 / 110 | нс (наносекунды) | t_d(on) / t_d(off) (тип.) | | Температура перехода | -55 ... +175 | °C | T_J |

Важное примечание: Максимальные ток и мощность сильно зависят от условий теплоотвода (радиатора). Указанные значения 350А и 1250Вт достижимы только при идеальном охлаждении и температуре корпуса 25°C. В реальных условиях рабочие параметры будут ниже.

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Прямых аналогов с полностью идентичными характеристиками, особенно в плане сочетания сверхнизкого RDS(on) и высокого быстродействия, не так много. Однако на рынке существуют аналогичные MOSFET от других производителей, которые могут рассматриваться как функциональные замены в схемах, но требуют проверки на совместимость по всем параметрам в конкретном применении.

1. Прямые аналоги и варианты от Infineon

Часто в рамках одного семейства существуют транзисторы с разными номерами, отличающиеся, например, сопротивлением RDS(on). DD350N16K является одним из самых мощных в своей линейке.

• DD300N16K — версия с максимальным током 300А.
• DD400N16K — версия с максимальным током 400А (может иметь немного другие динамические характеристики).

2. Функциональные аналоги от других производителей

При поиске аналога обращайте внимание на ключевые параметры: V_DSS = 600В, R_DS(on) ~ 0.035 Ом, корпус TO-247.

• STMicroelectronics:

  • STW77N60DM2 (600В, 64А, RDS(on)=0.035 Ом) — обратите внимание на меньший максимальный ток.
  • STW88N65M5 (650В, 69А, RDS(on)=0.029 Ом)

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FCH76N60N (600В, 76А, RDS(on)=0.036 Ом)
  • Аналоги из серии FCPF (Fast Recovery) могут подходить для специфических схем.

• IXYS (Littelfuse):

  • Компания выпускает множество мощных MOSFET. Модели типа IXFH76N60P (600В, 76А, RDS(on)=0.036 Ом) могут рассматриваться как кандидаты.

Важные замечания по совместимости:

1. Не является прямым аналогом для IGBT: Хотя этот MOSFET может заменять IGBT в некоторых высокочастотных применениях, их характеристики переключения и поведение в насыщении различаются. Замена IGBT на MOSFET и наоборот требует пересчета потерь и, возможно, доработки драйвера.
2. Проверка даташита: Перед заменой всегда скачивайте и сравнивайте официальные технические описания (datasheet) обоих компонентов. Особое внимание уделите:
   • Вольт-амперной характеристике (зависимость тока от RDS(on)).
   • Характеристикам переключения (заряды затвора Q_g, Q_gd, Q_gs, времена включения/выключения).
   • Зависимостям параметров от температуры.
3. Драйвер затвора: Из-за высокого заряда затвора (340 нКл) для эффективного управления DD350N16K необходим мощный драйвер, способный выдавать значительные токи заряда/разряда, чтобы минимизировать время переключения.

Вывод: Infineon DD350N16K — это высококлассный мощный MOSFET для требовательных применений. При поиске аналогаfocus следует делать на современных приборах от ведущих производителей, использующих аналогичные передовые технологии (супер- junction MOSFETs).