Infineon DD171N12K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового полевого транзистора Infineon DD171N12K.

Описание

Infineon DD171N12K — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 5. Это представитель линейки низковольтных MOSFET (до 150V), известной своими выдающимися характеристиками.

Основное назначение: Данный транзистор предназначен для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике, где критически важны низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевые преимущества и особенности:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (R DS(on)): Всего 0,17 мОм (макс. при Vgs=10 В). Это одна из самых низких величин в своем классе, что обеспечивает минимальные потери мощности в открытом состоянии и высокий КПД.
• Технология OptiMOS 5: Обеспечивает лучший компромисс между сопротивлением открытого канала, динамическими характеристиками и устойчивостью к перегрузкам.
• Высокая энергоэффективность: Идеально подходит для приложений, где важна экономия энергии и снижение тепловыделения.
• Высокая стабильность и надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным пробоям, что повышает надежность системы в тяжелых условиях работы.
• Оптимизирован для работы в цепях ШИМ (PWM): Имеет низкие заряды затвора, что позволяет создавать компактные и эффективные драйверы.

Типичные области применения:

• Силовые блоки питания (Server, Telecom, Industrial)
• Синхронное выпряление в DC-DC преобразователях
• Моторные приводы и управление двигателями
• Сварочное оборудование
• Инверторы и UPS (источники бесперебойного питания)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (Logic Level) | | | Структура | Power MOSFET (OptiMOS 5) | | | Корпус | TO-220 | | | Количество выводов | 3 | | | Полярность | N-Channel | |

Предельные эксплуатационные характеристики (Absolute Maximum Ratings)

| Параметр | Значение | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 120 | V | | Сток-Исток напряжение (Vds) - повторяющееся импульсное | 137 | V | | Сток-Исток напряжение (Vds) - лавинный режим (Ias) | См. даташит | | | Ток стока (Id) - непрерывный | 171 | A | | Ток стока (Id) - импульсный | 1200 | A | | Мощность рассеяния (Ptot) | 330 | W | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +175 | °C | | Температура хранения (Tstg) | от -55 до +150 | °C | | Напряжение Затвор-Исток (Vgs) | ±20 | V |

Электрические характеристики (при Tj = 25°C, если не указано иное)

| Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Сопротивление откр. канала (Rds(on)) | - | - | 0.17 | мОм, Vgs = 10 В, Id = 85 A | | | - | - | 0.21 | мОм, Vgs = 4.5 В, Id = 85 A | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.1 | 2.7 | 3.4 | В, Vds = Vgs, Id = 250 мкA | | Общий заряд затвора (Qg) | - | 170 | - | нКл, Vgs = 10 В | | Заряд затвора "Вкл" (Qgs) | - | 36 | - | нКл, Vgs = 10 В | | Время включения (td(on)) / выключения (td(off)) | - | 12 / 55 | - | нс |

Парт-номера и аналоги

Производители часто выпускают один и тот же компонент под разными номерами в зависимости от упаковки (катушка, россыпь) или региона. DD171N12K — это базовый порядковый номер.

Парт-номера (Ordering Codes)

• DD171N12KXT - Вероятно, обозначение для упаковки в катушке (Tape & Reel).
• DD171N12KXKSA1 - Еще один вариант парт-номера от Infineon.

Прямые аналоги и совместимые модели (Cross-Reference)

Прямая замена должна осуществляться на компонент с максимально близкими электрическими характеристиками, особенно по Vds, Id, Rds(on), Qg и корпусу.

Наиболее близкие аналоги от других производителей:

• International Rectifier (ныне часть Infineon): IRFB4110 (но у него Rds(on) обычно выше, требуется проверка)
• Vishay: Силовые MOSFET серии Supreme, например, SUP70090E (100V, 0.9 мОм) — требует проверки по напряжению и току.
• ON Semiconductor (now onsemi): FDP100N12B (120V, 100A, 1.3 мОм) — по характеристикам слабее, но может работать в некоторых схемах.
• STMicroelectronics: STP160N12F7 (120V, 160A, 1.7 мОм) — также требует тщательного сравнения.

Важно!

1. Всегда сверяйтесь с техническими описаниями (Datasheet) перед заменой. Указанные аналоги могут иметь отличия в динамических характеристиках, внутренней индуктивности, паразитных емкостях, что может повлиять на работу схемы на высоких частотах.
2. Наиболее точную замену ищут по параметрам, а не по названию модели. Ключевые параметры для поиска аналога: N-Channel 120V, Rds(on) < 0.2 мОм, корпус TO-220.
3. Лучшим аналогом часто являются другие транзисторы из семейства Infineon OptiMOS 5 с близкими параметрами.

Для получения самой точной и актуальной информации рекомендуем обратиться к официальному источнику: Datasheet Infineon DD171N12K