Infineon DD151N20K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon DD151N20K.

Описание

Infineon DD151N20K — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 5. Это представитель серии, задающей новые стандарты эффективности в своем классе.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (R DS(on)): Является главным преимуществом этой модели. Чрезвычайно низкое значение сопротивления (всего 1.5 мОм при 10 В) минимизирует потери мощности на нагрев в открытом состоянии, что приводит к высокой энергоэффективности системы.
• Высокое напряжение сток-исток (V DSS): 200 В. Позволяет использовать транзистор в схемах с высоким напряжением питания, например, в силовых источниках питания, промышленных приводах или инверторах.
• Высокая коммутационная способность: Благодаря технологии OptiMOS 5, транзистор обладает высоким быстродействием и низкими зарядами затвора, что позволяет работать на высоких частотах (десятки и сотни кГц) с минимальными потерями на переключение.
• Высокий непрерывный ток (I D): 151 А. Способен выдерживать значительные токи в нагрузке.
• Корпус TO-220: Классический, широко распространенный корпус, удобный для монтажа как на печатную плату, так и на внешний теплоотвод через изолирующую прокладку.
• Пороговое напряжение затвора (V GS(th)): Стандартное для большинства MOSFET (около 4 В), что обеспечивает простоту управления с помощью стандартных драйверов и микроконтроллеров.
• Технология 100% AVALANCHE Tested: Все кристаллы тестируются на устойчивость к лавинному пробою, что гарантирует высокую надежность и стойкость к перенапряжениям в индуктивных нагрузках.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Мостовые схемы (H-мосты, полумосты)
• Системы управления двигателями (мотор-драйверы)
• Сварочное оборудование
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Системы бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Сток-Исток" | V_DSS | 200 В | | | Сопротивление "Сток-Исток" в откр. сост. | R_DS(on) | 1.5 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 75 А | | | | 2.0 мОм (макс.) | V_GS = 4.5 В, I_D = 40 А | | Непрерывный ток стока | I_D | 151 А | T_C = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 604 А | | | Мощность рассеяния | P_tot | 333 Вт | T_C = 25°C | | Напряжение затвор-исток | V_GS | ±20 В (макс.) | | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.7 - 4.7 В | V_DS = V_GS, I_D = 150 мкА | | Общий заряд затвора | Q_g | ~ 120 нКл | V_GS = 10 В | | Время включения | t_d(on) | ~ 15 нс | | | Время выключения | t_d(off) | ~ 54 нс | | | Температура перехода | T_J | от -55 до +175 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот транзистор может встречаться под разными парт-номерами в зависимости от упаковки (катушка, коробка) или региона. Прямым аналогом является модель в другом корпусе.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

• IPP051N20N5AKSA1 - Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, обеспечивает лучшую изоляцию).
• IPP051N20N5 - Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (возможна другая упаковка).
• DD151N20K - Основной номер для корпуса стандартный TO-220.

Совместимые модели / Аналоги от других производителей:

При поиске аналога необходимо ориентироваться на ключевые параметры: N-канал, 200 В, RDS(on) ~1.5 мОм, ток >150 А, корпус TO-220.

• STMicroelectronics: STH151N20K5 (очень близкий прямой аналог)
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP151N20 (требует проверки даташита)
• Vishay (Siliconix): Существуют аналоги, но необходимо искать по параметрам, например, в той же линейке OptiMOS от Infineon часто являются лучшими в своем классе.

Важно! Перед заменой всегда необходимо тщательно сверяться с техническими даташитами (datasheet) обоих компонентов, обращая внимание на:

• Распиновку выводов (Pinout)
• Значения паразитных емкостей (C_iss, C_oss, C_rss)
• Задержки включения/выключения (t_d(on), t_d(off)), если схема высокочастотная.
• Характеристики внутреннего диода (если он используется в работе).