Infineon DD104N12K-A

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon DD104N12K-A.

Описание

Infineon DD104N12K-A — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Этот транзистор предназначен для применения в высокоэффективных и компактных силовых электронных устройствах.

Его ключевые особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (R DS(on)): Благодаря этому достигаются минимальные потери на проводимость и высочайший КПД.
• Высокая эффективность: Технология OptiMOS™ 5 оптимизирована для работы в импульсных источниках питания, преобразователях и системах управления двигателями, где ключевым фактором является энергоэффективность.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что способствует уменьшению габаритов пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов) и удешевлению всей системы.
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Транзистор обладает повышенной надежностью в условиях перегрузок и перенапряжений.
• Низкий заряд затвора (Q G): Облегчает задачу драйверу управления, снижая потери на переключение.
• Корпус TO-220: Классический и широко распространенный корпус, удобный для монтажа как на печатную плату, так и на теплоотвод с помощью изолирующей прокладки и шайбы.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Системы управления двигателями (мотор-контроллеры)
• Сварочное оборудование
• Инверторы и UPS (источники бесперебойного питания)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | - | | Технология | OptiMOS™ 5 | - | | Сток-Исток напряжение (V DSS) | 100 | В | | Непрерывный ток стока (I D) при T_c = 25°C | 104 | А | | Непрерывный ток стока (I D) при T_c = 100°C | 75 | А | | Импульсный ток стока (I DM) | 780 | А | | Сопротивление открытого канала (R DS(on)) при V_GS = 10 В | 4.2 | мОм | | Сопротивление открытого канала (R DS(on)) при V_GS = 4.5 В | 5.8 | мОм | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 2.5 - 3.7 | В | | Максимальное напряжение затвор-исток (V GS) | ±20 | В | | Полный заряд затвора (Q G) при V_GS = 10 В | 47 | нКл | | Время включения (t d(on) + t r) | 16 | нс | | Время выключения (t d(off) + t f) | 46 | нс | | Диод обратного восстановления (Q rr) | 210 | нКл | | Максимальная рассеиваемая мощность (P D) | 250 | Вт | | Тепловое сопротивление переход-корпус (R thJC) | 0.5 | °C/Вт | | Корпус | TO-220 | - |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель Infineon часто присваивает деталям несколько внутренних кодов. Для этой модели основными являются:

• DD104N12KA
• SP104N12K-03 (этот номер часто используется в даташитах и системах поиска)

Совместимые модели и аналоги (прямая замена)

При поиске аналога или замены для DD104N12K-A необходимо ориентироваться на ключевые параметры: 100V, 104A, RDS(on) ~4.2 мОм, корпус TO-220.

Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах):

• IPB104N12N5ATMA1 — Тот же кристалл, но в корпусе D²PAK (TO-263), для поверхностного монтажа (SMD).
• IPU104N12N5ATMA1 — Тот же кристалл, в корпусе DPAK (TO-252), для поверхностного монтажа (SMD).

Аналоги от других производителей:

• International Rectifier (ныне часть Infineon):

  • IRFP7749 (100V, 105A, 4.0 мОм, TO-220) — очень близкий по параметрам аналог.

• STMicroelectronics:

  • STH104N10F7 (100V, 104A, 4.2 мОм, TO-220) — практически полный аналог.
  • STP104N10F7 — аналог в корпусе TO-220.

• Vishay / Siliconix:

  • SUD104N10-1005P (100V, 104A, 5.0 мОм, TO-220) — параметры очень близки.

• ON Semiconductor:

  • FDP104N10 (100V, 104A, 4.5 мОм, TO-220) — отличный аналог.

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитом (technical datasheet) на конкретную модель. Особое внимание уделяйте распиновке корпуса (расположение выводов Gate, Drain, Source), так как у некоторых производителей в одном и том же корпусе (TO-220) она может отличаться. Также обращайте внимание на характеристики, критичные для вашей схемы: заряд затвора (Qg), время переключения и параметры внутреннего диода (Qrr).