Infineon BUZ312

Конечно, вот подробное описание силового MOSFET транзистора Infineon BUZ312.

Описание

Infineon BUZ312 — это классический мощный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии VDMOS. Он был очень популярен в силовой электронике конца 90-х - начала 2000-х годов и до сих пор может встречаться в ремонте или старых проектах.

Основные особенности и применение:

• Высокий ток и напряжение: Способность работать с большими токами (до 23А) и высоким напряжением (500В) делало его подходящим для серьезных применений.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Для своего времени имел хороший показатель, что минимизировало потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
• Быстрое переключение: Благодаря технологии VDMOS, транзистор обладает высокой скоростью переключения.
• Технология "Fast Recovery": Встроенный обратный диод с малым временем восстановления, что важно для индуктивных нагрузок.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Преобразователи постоянного тока (DC-DC конвертеры)
• Управление мощными двигателями (моторные приводы)
• Инверторы и сварочное оборудование

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

• Тип транзистора: N-канальный, мощный MOSFET
• Технология: VDMOS
• Сток-Исток напряжение (Vds): 500 В
• Сток-Исток напряжение (Vdss): 500 В
• Постоянный ток стока (Id) при Tc=25°C: 11.5 А
• Ток стока (Id) импульсный: 23 А
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)):
  • При Vgs = 10 В: 0.4 Ом (макс.)
  • При Id = 5.8 А
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2 - 4 В
• Крутизна (gfs): мин. 5 См (Сименс)
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) при Tc=25°C: 125 Вт
• Время включения (turn-on time): 30 нс (тип.)
• Время выключения (turn-off time): 70 нс (тип.)
• Заряд затвора (Qg): 30 нКл (тип.)
• Встроенный обратный диод (Body-Diode):
  • Непрерывный ток: 11.5 А
  • Импульсный ток: 23 А
• Температура перехода (Tj): от -55 до +150 °C
• Корпус: TO-220 (изолированный или нет, в зависимости от маркировки)

Парт-номера (Part Numbers) и Аналоги

BUZ312 является частью большого семейства. Вот его прямые аналоги и парт-номера от разных производителей.

Прямые аналоги и аналогичные модели (Cross-Reference)

Совместимые модели, которые имеют схожие или идентичные ключевые параметры (500В, ~10А, Rds(on) ~0.4 Ом) и корпус TO-220.

От других производителей:

• International Rectifier (ныне часть Infineon):
  • IRF740 (400В, 10А, 0.55 Ом) — очень распространенный аналог, но напряжение ниже.
  • IRF840 (500В, 8А, 0.85 Ом) — ток меньше.
  • IRFBC40 (600В, 6.2А, 1.2 Ом)
• STMicroelectronics:
  • STP10NK50Z (500В, 10А, 0.48 Ом) — очень близкий современный аналог.
  • STP9NK50Z (500В, 9А, 0.6 Ом)
• Fairchild (ныне часть ON Semiconductor):
  • FQP10N50 (500В, 10А, 0.6 Ом)
• ON Semiconductor:
  • NTE2396 (аналог от NTE Electronics)

Важные замечания по совместимости:

1. BUZ312 является устаревшей моделью (Obsolete). При поиске замены лучше ориентироваться на более современные аналоги от STMicroelectronics, Infineon или ON Semiconductor, которые часто имеют улучшенные характеристики (например, меньшее Rds(on), лучшую устойчивость к перегрузкам).
2. Всегда проверяйте даташит (datasheet)! Перед заменой обязательно сверяйте распиновку (pinout) и ключевые параметры, особенно пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) и заряд затвора (Qg), так как от этого зависит работа драйвера управления.
3. Корпус: Убедитесь, что используете тот же тип корпуса (TO-220). Обратите внимание на изолированный (с пластиковой прокладкой) или неизолированный вариант, так как это влияет на монтаж на радиатор и электрическую изоляцию.

Рекомендация: Для нового проектирования вместо BUZ312 лучше выбрать современный MOSFET, например, из серий CoolMOS от Infineon или MDmesh от STMicroelectronics, которые предлагают значительно лучшую эффективность.