Infineon BUZ22

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon BUZ22, его технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание

Infineon BUZ22 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для коммутации больших токов и напряжений. Он является частью классической и проверенной временем серии MOSFET от International Rectifier (которая теперь принадлежит Infineon).

Ключевые особенности и применение:

• Технология: HEXFET — запатентованная технология International Rectifier, обеспечивающая низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) и высокую скорость переключения.
• Основное назначение: Используется в силовой электронике в качестве ключа. Типичные области применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Преобразователи постоянного тока (DC-DC конвертеры)
  • Цепи управления двигателями (например, вентиляторами, малыми приводами)
  • Инверторы
  • Усилители класса D
• Корпус: Выполнен в популярном корпусе TO-220, который удобен для монтажа на радиатор для эффективного отвода тепла.
• Уровень логики: Это стандартный (не логический) MOSFET, то есть для его полного открытия требуется напряжение на затворе относительно истока (VGS) около 10 В.

Технические характеристики (Основные параметры)

Приведены типичные значения при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | - | N-канальный MOSFET | - | | Сток-Исток напряжение | V_DSS | 500 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить между стоком и истоком. | | Постоянный ток стока | I_D | 5.5 А | При T_c = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 22 А | - | | Сопротивление откр. канала | R_DS(on) | 0.15 Ом | Макс. значение при V_GS = 10 В | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 В | Минимальное напряжение для начала открытия. | | Макс. напряжение затвор-исток | V_GS | ± 20 В | Важно! Превышение ведет к необратимому повреждению. | | Рассеиваемая мощность | P_D | 40 Вт | При T_c = 25°C (с радиатором) | | Темп. перехода | T_J | от -55 до +150 °C | - | | Крутизна | g_fs | 8.5 См (Сименс) | - | | Время включения | t_d(on) | 20 нс | Характеризует скорость переключения. | | Время выключения | t_d(off) | 70 нс | Характеризует скорость переключения. | | Заряд затвора | Q_g | 30 нКл | Важный параметр для расчета драйвера затвора. | | Диод истока-стока | - | Есть | Встроенный обратный (body) диод. |

Парт-номера и прямые аналоги

BUZ22 — очень распространенная деталь, и многие производители выпускают полные или функциональные аналоги.

Прямые аналоги (с максимально близкими характеристиками)

• IRF (International Rectifier / Infineon):
  • IRF840 — самый известный и распространенный аналог. Характеристики практически идентичны (500В, 8А, 0.85 Ом). Является полным функциональным аналогом и часто используется как взаимозаменяемая деталь.
• STMicroelectronics:
  • STP4NB50 (500В, 4.2А, 0.9 Ом)
  • STP6NB50 (500В, 6А, 0.65 Ом)
• Fairchild / ON Semiconductor:
  • FQP4N50 (500В, 4А, 1.2 Ом)
  • FQP6N50 (500В, 6А, 0.8 Ом)
• Vishay / Siliconix:
  • SUD50N05 (500В, 5А, 0.15 Ом)

Совместимые модели и аналоги в других корпусах

• BUZ22A — версия с улучшенными параметрами, часто с более низким RDS(on).
• IRF740 (400В, 10А, 0.55 Ом) — аналог на меньшее напряжение, но может подойти в схемах, где напряжение не превышает 400В.
• IRFBC40 (600В, 6.2А, 1.2 Ом) — аналог на более высокое напряжение.

Важные замечания по замене и использованию

1. Проверка даташита: Перед заменой всегда сверяйтесь с datasheet конкретного производителя на обе модели (оригинал и аналог). Особое внимание обращайте на:
   • Распиновку выводов (Pinout) корпуса TO-220. Хотя обычно она стандартная (1-Затвор, 2-Исток, 3-Сток), бывают исключения.
   • Емкость затвора (C_iss) и заряд затвора (Q_g). Если эти параметры сильно отличаются, может потребоваться пересчет драйвера затвора.
   • Наличие и характеристики встроенного обратного диода.
2. Драйвер затвора: Для эффективного и быстрого переключения, особенно на высоких частотах, обязательно используйте специализированную микросхему-драйвер затвора (например, IR21xx, TC42xx и т.д.).
3. Радиатор: При работе с большими токами транзистор сильно нагревается. Обязательно устанавливайте его на радиатор соответствующего размера.
4. Статическое электричество: MOSFET-транзисторы чувствительны к статическому электричеству. Соблюдайте соответствующие меры предосторожности при пайке и монтаже.

Надеюсь, эта информация была полезна!