Infineon BUZ171

Конечно, вот подробное описание инфракрасного транзистора Infineon BUZ171, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon BUZ171 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET. Он предназначен для коммутации больших токов и напряжений в различных импульсных и линейных схемах.

Ключевые особенности и применение:

• Технология: Использует популярную и отработанную технологию HEXFET от International Rectifier (ныне часть Infineon), которая обеспечивает низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и высокую скорость переключения.
• Назначение: Транзистор предназначен для широкого спектра применений, включая:
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Мостовые и полумостовые схемы
  • Управление двигателями (например, в приводных системах)
  • Инверторы
  • Системы управления мощностью (Power Management)
• Корпус: Выполнен в классическом и широко распространенном корпусе TO-220, что упрощает монтаж как на печатную плату, так и на теплоотвод с помощью изолирующей шайбы.
• Уровень напряжения: Относится к классу MOSFET на 500В, что делает его подходящим для работы в сетевых (линейных) источниках питания (110В/220В).

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

При Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | - | N-канальный, Enhancement Mode | - | | Сток-Исток макс. напряжение | V_DSS | 500 В | - | | Непрерывный ток стока | I_D | 4.5 A | T_C = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 18 A | - | | Сопротивление откр. канала | R_DS(on) | 0.4 Ом | V_GS = 10 В, I_D = 2.25 A | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 В | V_DS = V_GS, I_D = 250 мкА | | Макс. напряжение затвор-исток | V_GS | ± 30 В | - | | Общий заряд затвора | Q_g | 18 нКл (тип.) | V_GS = 10 В, I_D = 4.5 A | | Время включения | t_d(on) | 14 нс (тип.) | - | | Время выключения | t_d(off) | 50 нс (тип.) | - | | Диод обратного восстановления | - | Есть (встроенный "body-diode") | - | | Макс. рассеиваемая мощность | P_D | 75 Вт | T_C = 25°C | | Температура перехода | T_J | от -55 до +150 °C | - |

Парт-номера (Part Numbers)

BUZ171 производился и маркировался под разными брендами, так как изначально был разработкой International Rectifier. Основные парт-номера:

• IRF (оригинальный номер от International Rectifier): IRF740
• Infineon: BUZ171 (прямое продолжение линейки после поглощения)

Эти два номера являются основными и взаимозаменяемыми.

Совместимые модели (Аналоги и Замены)

BUZ171 / IRF740 является очень распространенным транзистором, и у него существует множество прямых или улучшенных аналогов от различных производителей.

Прямые аналоги (с очень близкими параметрами, корпус TO-220):

• STMicroelectronics: STP4NB50, STP4NB50FP
• Fairchild/ON Semiconductor: FQP4N50, FQA4N50 (FQA - в корпусе TO-3P)
• Vishay/Siliconix: SUP4N50
• IXYS: IXTP4N50A
• NXP (Philips): BUZ50A (более старый аналог)

Улучшенные аналоги (с более низким RDS(on) или другими улучшенными параметрами):

При выборе улучшенного аналога всегда сверяйтесь с распиновкой и данными листами!

• IRF740A / IRF740B (более новые версии с лучшими характеристиками)
• STP6N50 (аналог на 4.8А, но с лучшими динамическими характеристиками)
• FDP4N50 (от Fairchild, хороший прямой аналог)
• P4NK50ZFP (от ST, в изолированном корпусе TO-220FP)

Что важно при замене:

1. Корпус: Убедитесь, что аналог в том же корпусе (TO-220, TO-220FP, TO-247 и т.д.).
2. Напряжение V_DSS: Должно быть не менее 500В.
3. Ток I_D: Должен быть не менее 4.5А.
4. Сопротивление R_DS(on): Желательно, чтобы было таким же или ниже.
5. Характеристики затвора: Заряд затвора (Qg) и пороговое напряжение (Vgs(th)) должны быть совместимы с вашей схемой управления. Замена на транзистор с значительно большим зарядом затвора может потребовать переделки драйвера.

Вывод: Infineon BUZ171 (он же IRF740) — это надежный, проверенный временем силовой MOSFET, который можно легко заменить на множество современных аналогов от других производителей, предварительно сверившись с даташитом.