Infineon BUZ111S

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного полевого транзистора Infineon BUZ111S.

Описание

Infineon BUZ111S — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET. Он предназначен для коммутации больших токов и напряжений в импульсных источниках питания, контроллерах двигателей, импульсных преобразователях и других силовых приложениях.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение: Позволяет работать в цепях с напряжением до 500 В, что делает его подходящим для сетевых (mains) приложений.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает низкие коммутационные потери и высокий КПД системы.
• Быстрая скорость переключения: Позволяет эффективно работать в высокочастотных преобразователях.
• Высокая стойкость к лавинной нагрузке (Avalanche Rugged): Указывает на способность транзистора выдерживать кратковременные импульсы перенапряжения, что повышает надежность устройства.
• Технология HEXFET: Отличается низким уровнем шума и высокой стабильностью параметров.

Транзистор поставляется в классическом изолированном корпусе TO-220, который удобен для монтажа на радиатор.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

• Тип транзистора (Transistor Type): N-Channel MOSFET
• Технология (Technology): HEXFET
• Корпус (Package): TO-220
• Сток-Исток напряжение (Drain-Source Voltage, Vds): 500 V
• Сток-Затвор напряжение (Drain-Gate Voltage, Vdg): 500 V
• Затвор-Исток напряжение (Gate-Source Voltage, Vgs): ± 30 V
• Постоянный ток стока (Continuous Drain Current, Id) при Tc=25°C: 8.5 A
• Постоянный ток стока (Continuous Drain Current, Id) при Tc=100°C: 5.3 A
• Импульсный ток стока (Pulsed Drain Current, Idm): 34 A
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Static Drain-Source On-Resistance, Rds(on)):
  • при Vgs = 10 В: макс. 0.4 Ом
  • при Vgs = 10 В и Id = 4.3 А: типично 0.33 Ом
• Мощность рассеивания (Total Power Dissipation, Ptot) при Tc=25°C: 125 W
• Пороговое напряжение затвора (Gate Threshold Voltage, Vgs(th)): 2.0 - 4.0 V
• Время включения (Turn-On Time): 30 нс (тип.)
• Время выключения (Turn-Off Time): 70 нс (тип.)
• Емкость "затвор-сток" (Reverse Transfer Capacitance, Crss): 25 пФ (тип.)
• Спецификация (Rated): Avalanche Rugged

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые аналоги

BUZ111S является частью большого семейства транзисторов. Вот его основные парт-номера и прямые или улучшенные аналоги от различных производителей.

1. Прямые аналоги и аналогичные модели от Infineon

Эти модели имеют идентичные или очень похожие характеристики и часто являются прямой заменой.

• IRFPE50 (производства International Rectifier, ныне часть Infineon)
• IRF840 (очень популярный аналог, но с чуть меньшим напряжением 500В vs 400В у BUZ111S)
• BUZ11 (менее мощный предшественник, требует проверки на соответствие в конкретной схеме)
• SPP08N80C3 (от Infineon, более современная модель)

2. Совместимые аналоги от других производителей

Эти транзисторы имеют схожие или лучшие ключевые параметры (напряжение 500В, ток ~8-10А) и являются функциональной заменой. Важно: Всегда сверяться с даташитом перед заменой, особенно по пинам и значениям порогового напряжения.

• STMicroelectronics:

  • STP8NB50 (500В, 8А, Rds(on) ~0.65 Ом)
  • STP10NK50Z (500В, 10А, Rds(on) ~0.48 Ом)

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FQP8N50C (500В, 7.6А, Rds(on) ~0.7 Ом)
  • FQA9N50C (500В, 9А, Rds(on) ~0.64 Ом) - в корпусе TO-3P

• Vishay / Siliconix:

  • IRF840 (очень распространенный аналог, 500В, 8А, Rds(on) ~0.85 Ом)

• Texas Instruments:

  • CSD19536Q5A (хотя это более современный вариант, для точной замены нужно проверять характеристики)

Как выбрать аналог:

При поиске замены для BUZ111S обращайте внимание на следующие ключевые параметры:

1. Напряжение Vds: Должно быть не менее 500В.
2. Ток Id: Желательно 8А и выше.
3. Сопротивление Rds(on): Чем ниже, тем лучше (меньше потерь и нагрев).
4. Корпус: Чаще всего TO-220.
5. Распиновка: У некоторых аналогов расположение выводов (Gate, Drain, Source) может отличаться.

Важное примечание: BUZ111S — это устоявшаяся, но уже не самая современная модель. Многие из перечисленных аналогов (особенно от STM и ON Semi) могут иметь улучшенные характеристики, такие как более низкое Rds(on) или лучшую стойкость к перегрузкам.