Infineon BUZ110S

Конечно, вот подробное описание инфракрасного MOSFET транзистора Infineon BUZ110S.

Описание

Infineon BUZ110S — это классический мощный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии HEXFET. Это один из "рабочих лошадок" в мире силовой электроники, известный своей надежностью и проверенной временем конструкцией.

Основные особенности и применение:

• Технология: HEXFET (технология мощных полевых транзисторов от International Rectifier, который теперь является частью Infineon).
• Ключевые преимущества: Высокая устойчивость к перегрузкам, надежность, низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) для своего времени.
• Типичные применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Управление двигателями (например, в промышленных приводах, сервосистемах)
  • Инверторы и преобразователи
  • Системы управления мощностью (PWM-контроллеры)
  • Устройства плавного пуска (софт-стартеры)

Этот транзистор предназначен для коммутации значительных токов и напряжений в различных электронных схемах.

Технические характеристики (Основные параметры при Tj = 25°C, если не указано иное)

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канал | - | МОП-транзистор с индуцированным каналом | | Корпус | TO-220 | - | Пластиковый корпус с отверстием для крепления на радиатор | | Максимальное напряжение "Сток-Исток"
(Vds) | 100 | В (Вольт) | Максимальное напряжение, которое можно приложить между стоком и истоком | | Максимальный непрерывный ток стока
(Id @ 25°C) | 75 | А (Ампер) | При температуре корпуса 25°C | | Максимальный импульсный ток стока
(Idm) | 300 | А (Ампер) | | | Сопротивление открытого канала
(Rds(on)) | 0.02 | Ом (Ом) | Типичное значение при Vgs = 10 В | | Пороговое напряжение затвора
(Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 | В (Вольт) | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток"
(Vgs) | ±20 | В (Вольт) | Превышение этого напряжения приводит к пробою затвора | | Общая рассеиваемая мощность
(Ptot) | 150 | Вт (Ватт) | При условии монтажа на радиатор бесконечной площади | | Температура перехода
(Tj) | -55 ... +175 | °C (Градусы Цельсия) | Рабочий диапазон температуры кристалла |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

BUZ110S является частью большого семейства транзисторов. Прямые аналоги и совместимые модели можно разделить на несколько категорий.

1. Прямые аналоги и аналоги в том же семействе (International Rectifier / Infineon)

Эти модели имеют идентичные или очень близкие характеристики и часто взаимозаменяемы без изменений в схеме.

• BUZ11 (ближайший аналог с похожими характеристиками)
• IRF1010E
• IRF1010N
• IRF1404
• IRF1405

2. Аналоги от других производителей

Эти транзисторы производятся другими компаниями, но имеют схожие или улучшенные параметры и совместимы по цоколевке. При замене всегда стоит сверяться с даташитом, особенно по пороговому напряжению и емкостям.

• STMicroelectronics:
  • STP75NE10 (более современный аналог, часто с лучшими параметрами)
  • STW75NE10
• Vishay / Siliconix:
  • SUP75N10-10
• Fairchild / ON Semiconductor:
  • FDP100N10 (очень популярный и распространенный аналог)

3. Важные замечания по совместимости

• Проверка даташита: Несмотря на схожесть, перед заменой всегда рекомендуется сверяться с технической документацией (даташитом) на конкретную модель. Особое внимание стоит обращать на:
  • Емкость затвора (Ciss): Может влиять на скорость переключения и требования к драйверу.
  • Внутреннюю схему (наличие защитного диода): Большинство современных MOSFET имеют встроенный обратный диод (body diode), но лучше проверить.
  • Корпус: Убедитесь, что корпус (TO-220) и цоколевка (распиновка) совпадают.
• Современные аналоги: За годы, прошедшие с момента выпуска BUZ110S, технологии шагнули вперед. Сегодня можно найти транзисторы в том же корпусе с более низким Rds(on) и более высокими показателями надежности (например, из серий CoolMOS от Infineon или аналогичных от других брендов). Часто они могут быть даже выгоднее по цене.

Вывод: Infineon BUZ110S — это проверенный, надежный транзистор для силовых применений среднего уровня. При его замене или поиске аналога у вас есть широкий выбор как прямых замен от Infineon, так и часто более современных и эффективных вариантов от STMicroelectronics, ON Semiconductor и других производителей.