Infineon BUZ100S

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного полевого транзистора Infineon BUZ100S.

Описание

Infineon BUZ100S — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой на момент своего создания технологии HEXFET от International Rectifier (компания, позже вошедшая в Infineon).

• Основное назначение: Предназначен для коммутации высоких токов и напряжений в импульсных источниках питания, мощных импульсных усилителях (класс D), системах управления двигателями, преобразователях частоты и других силовых приложениях.
• Ключевые преимущества:
  • Высокое напряжение: Позволяет работать в цепях до 500 Вольт.
  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает низкие потери проводимости и высокий КПД.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря этому уменьшаются потери при переключении.
  • Упрощенная схема управления: Как и все MOSFET-транзисторы, управляется напряжением, а не током.
• Корпус: Выполнен в известном и надежном корпусе TO-247, который обеспечивает эффективный отвод тепла через радиатор.

Этот транзистор был эталоном надежности и производительности в своем классе и до сих пор может встречаться в ремонте или модернизации старой мощной электронной аппаратуры.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

При Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | - | N-канальный, MOSFET | - | | Сток-Исток напряжение | V_DSS | 500 В | - | | Непрерывный ток стока | I_D | 17 А | при T_C = 25°C | | Ток стока (импульсный) | I_DM | 68 А | - | | Сопротивление сток-исток | R_DS(on) | 0.1 Ом | V_GS = 10 В, I_D = 8.5 A | | | | 0.15 Ом | V_GS = 10 В, I_D = 17 A | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 В | V_DS = V_GS, I_D = 250 мкА | | Макс. напряжение затвор-исток | V_GS | ± 30 В | - | | Входная емкость | C_iss | 1500 пФ | V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц | | Время включения | t_d(on) | 25 нс | - | | Время выключения | t_d(off) | 100 нс | - | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_D | 150 Вт | при T_C = 25°C | | Температура перехода | T_J | -55 ... +150 °C | - | | Корпус | - | TO-247 | - |

Парт-номера и Совместимые модели (Аналоги)

BUZ100S является частью большого семейства транзисторов. Вот его прямые парт-номера и наиболее близкие аналоги по ключевым параметрам (напряжение 500В, ток ~15-20А, низкое Rds(on)).

1. Прямые парт-номера и аналоги от Infineon / International Rectifier

Эти модели практически идентичны по характеристикам и часто являются модернизированными версиями или вариантами из одной линейки.

• IRFP450 / IRFP450LC: Один из самых популярных и распространенных аналогов. Очень близкие характеристики.
• BUZ101 / BUZ102: Модели из той же серии с незначительными вариациями в токе и сопротивлении.
• IRFP460: Более мощный аналог (20-21А), полностью совместим по цоколевке и применению.
• IRFP453: Аналог с чуть меньшим напряжением (450В), но часто взаимозаменяем.
• BUZ11: Менее мощный аналог (30А, но при 50В), в некоторых схемах может работать как замена, но не в высоковольтных частях.

2. Аналоги от других производителей

При поиске замены важно обращать внимание на распиновку (pinout), так как у некоторых аналогов от других брендов выводы Drain и Source могут быть поменяны местами.

• ST Microelectronics:
  • STP20NM50FD (550В, 17.5А, Rds(on) = 0.19 Ом) — более современный аналог.
  • STW20NK50Z (550В, 20А, Rds(on) = 0.19 Ом).
• Fairchild / ON Semiconductor:
  • FQP20N50 (500В, 20А, Rds(on) = 0.22 Ом).
• Vishay / Siliconix:
  • SUP20N50-50 (500В, 20А, Rds(on) = 0.23 Ом).

3. Улучшенные (более современные) аналоги

Современные транзисторы часто имеют лучшее соотношение Rds(on) и заряда затвора, что позволяет создавать более эффективные и компактные системы.

• Infineon CoolMOS: Серии SPWxxN50S5 (например, SPW20N50S5). Имеют значительно более низкое Rds(on) и высокую скорость переключения.
• ST Microelectronics SuperMJ: Серия STWxxNM50 (например, STW20NM50).

Важное примечание: При замене всегда сверяйтесь с даташитами обоих компонентов. Несмотря на схожесть основных параметров, могут отличаться емкости, внутренняя структура (например, наличие встроенного обратного диода) и динамические характеристики, что может потребовать корректировки схемы управления.