Infineon BUZ100

Infineon BUZ100
Артикул: 562728

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon BUZ100

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного полевого транзистора Infineon BUZ100.

Описание

Infineon BUZ100 — это классический мощный N-канальный МОП-транзистор (MOSFET), выполненный по технологии V-MOS. Он относится к легендарной серии BUZ, которая долгие годы была стандартом в силовой электронике благодаря своей надежности и высоким характеристикам.

Этот транзистор предназначен для коммутации больших токов и напряжений в импульсных источниках питания, импульсных преобразователях, контроллерах двигателей, мощных линейных усилителях (класса А/B) и других силовых приложениях.

Ключевые особенности:

  • Высокое напряжение: Позволяет работать в цепях с напряжением до 500 В.
  • Большой ток: Способен коммутировать постоянный ток до 8.5 А (и импульсный до 32 А).
  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает низкие потери мощности в открытом состоянии, что повышает общий КПД системы.
  • Технология V-MOS: Обеспечивает высокую скорость переключения, низкий заряд затвора и отсутствие вторичного пробоя.

Технические характеристики (ТХ)

Приводим основные параметры при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, MOSFET | - | Enhancement Mode | | Сток-Исток напряжение (Vdss) | 500 | В | Максимальное напряжение между стоком и истоком | | Постоянный ток стока (Id) при Tк=25°C | 8.5 | А | | | Импульсный ток стока (Idm) | 32 | А | | | Сопротивление откр. канала (Rds(on)) | 0.4 | Ом | При Vgs=10 В, Id=4.25 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2 - 4 | В | | | Макс. напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 | В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 30 | нКл | Типовое значение | | Время включения (td(on)) | 25 | нс | | | Время выключения (td(off)) | 70 | нс | | | Макс. рассеиваемая мощность (Ptot) | 125 | Вт | При Tк=25°C | | Температура p-n перехода (Tj) | -55 ... +150 | °C | | | Корпус | TO-220 | - | Пластиковый, с возможностью крепления на теплоотвод |


Парт-номера (Part Numbers)

Официальное и полное название для поиска в спецификациях и даташитах:

  • BUZ100 (базовая версия)

Также существуют версии с разными допусками или в другой упаковке, но BUZ100 является основным парт-номером.


Совместимые модели и аналоги

BUZ100 — очень распространенный транзистор, и у него существует огромное количество прямых или улучшенных аналогов от различных производителей. При замене всегда рекомендуется сверяться с даташитом, особенно по цоколевке (pinout) и характеристикам, которые критичны для вашей схемы (например, заряд затвора, емкости, скорость переключения).

Прямые аналоги (с очень близкими параметрами):

  • IRF740 (Vdss=400В, но очень часто используется во взаимозаменяемых схемах)
  • STP8NK50Z (от STMicroelectronics)
  • 2SK2692 (от Toshiba)
  • IXFH8N50 (от IXYS)
  • MTP8N50E (от Motorola/ON Semi)

Улучшенные / более современные аналоги (могут иметь更低кое Rds(on), большую скорость):

  • IRF840 (Vdss=500В, Id=8А) — один из самых популярных аналогов.
  • STP9NK50ZFP (от STMicroelectronics)
  • FQP8N50C (от Fairchild/ON Semi)
  • P8NK50ZFP (от STMicroelectronics)
  • IXTA8N50 (от IXYS)

Аналоги в других корпусах:

  • BUZ100A — версия в металлическом корпусе TO-204 (TO-3), имеет более высокую максимальную мощность.

Важное примечание: Хотя многие транзисторы имеют схожие основные параметры (Vdss, Id), они могут значительно отличаться по динамическим характеристикам (заряд затвора, внутренние емкости). При замене в высокочастотных импульсных схемах это может потребовать корректировки драйвера затвора. Всегда проверяйте соответствие в документации перед заменой.

Товары из этой же категории