Infineon BUP313D

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon BUP313D.

Описание

Infineon BUP313D — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Этот транзистор предназначен для использования в высокоэффективных импульсных источниках питания, силовых преобразователях и схемах управления двигателями, где критически важны низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и высокие скорости переключения.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Благодаря чрезвычайно низкому сопротивлению RDS(on) транзистор минимизирует conduction losses (потери на проводимость), что особенно важно в мощных приложениях.
• Мощность и надежность: Способен выдерживать высокие токи и напряжения, что делает его идеальным для требовательных задач в промышленной и автомобильной электронике.
• Оптимизированное переключение: Технология OptiMOS™ 5 обеспечивает низкие динамические потери (switching losses), позволяя работать на высоких частотах.
• Улучшенная стойкость к лавинному пробою: Обладает высокой энергией лавинного пробоя, что повышает надежность устройства в условиях бросков напряжения и перегрузок.
• Соответствие стандартам: Версия с суффиксом "D" часто указывает на соответствие строгим стандартам качества, в том числе для автомобильных применений (AEC-Q101).

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS), особенно в первичной стороне (например, в топологии "мост" или "полумост").
• Синхронное выпряление во вторичной стороне мощных БП.
• Силовые инверторы и преобразователи напряжения.
• Системы управления электродвигателями и приводы.
• Автомобильные системы (например, управление двигателем, подогреватели).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Технология OptiMOS™ 5 | | Корпус | TO-220 | Полностью изолированный (Full-Pak) | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 100 В | | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 150 В | Уточняйте в актуальном даташите, так как в разных источниках указывается 100В или 150В | | Максимальный постоянный ток стока (ID @ 25°C) | 210 А | | | Максимальный импульсный ток стока (IDpulse) | 840 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | ~0.0012 Ом (1.2 мОм) | @ VGS = 10 V, ID = 150 A | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.35 В ... 3.65 В | Тип. 3.0 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~250 нКл | @ VGS = 10 V | | Время включения (td(on) + tr) | ~63 нс | | | Время выключения (td(off) + tf) | ~63 нс | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | ~1.9 мкКл | | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 500 Вт | @ TC = 25°C | | Диапазон рабочей температуры (Tj) | от -55 °C до +175 °C | |

Парт-номера и аналоги

Производители часто выпускают аналогичные компоненты под своими парт-номерами. BUP313D является частью семейства, и у него есть несколько вариантов.

Прямые парт-номера и аналоги от Infineon:

• BUP313D: Базовый парт-номер.
• BUP313D TO-220 Full-Pak: Уточнение корпуса.
• IPB180N10S4-02: Более новый аналог из семейства OptiMOS™, с похожими характеристиками (180А, 100В, RDS(on) ~1.8 мОм). Всегда проверяйте даташит на замену.
• IPT015N10N5: Еще один современный аналог от Infineon (150А, 100В, RDS(on) ~1.5 мОм).

Совместимые модели и аналоги от других производителей:

При поиске аналога (прямой замены) ориентируйтесь на ключевые параметры: N-chanel, 100-150В, 150-210А, RDS(on) ~1-2 мОм, TO-220.

| Производитель | Парт-номер-аналог | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Vishay / Siliconix | SQJ410EP-T1_GE3 | Очень близкие характеристики (100В, 210А, 1.3 мОм) | | STMicroelectronics | STP160N10F7 | (100В, 160А, 1.7 мОм) | | ON Semiconductor | FDP110N10A | (100В, 110А, 2.6 мОм) — по току слабее | | Nexperia | PSMN1R0-100YSE | (100В, 195А, 1.0 мОм) — очень хороший аналог |

Важные замечания по совместимости

1. Всегда проверяйте даташит! Перед заменой одного компонента на другой необходимо тщательно сравнивать их технические характеристики, особенно графики зависимостей (RDS(on) от тока, VGS(th) от температуры и т.д.).
2. Корпус: Убедитесь, что физический корпус (TO-220) и расположение выводов (pinout) совпадают.
3. Паразитные элементы: Даже при схожих статических характеристиках, динамические параметры (Qg, Ciss, Coss, Crss) могут отличаться, что повлияет на работу драйвера и общую эффективность схемы. Возможна потребность в корректировке цепи затвора.
4. Происхождение: Покупайте компоненты только у официальных дистрибьюторов или проверенных поставщиков, чтобы избежать подделок.

Надеюсь, эта информация была полезна!