Infineon BUP313

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon BUP313.

Описание

Infineon BUP313 — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchSTOP™. Этот транзистор предназначен для использования в силовых электронных устройствах, где требуется высокий КПД, надежность и компактные размеры.

Ключевые особенности и применение:

• Технология: Используется технология TrenchSTOP™, которая обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и высокую скорость переключения, что минимизирует потери на проводимость и переключение.
• Корпус: Выполнен в популярном и технологичном корпусе TO-263 (D²PAK). Этот корпус предназначен для поверхностного монтажа (SMD), обладает низким тепловым сопротивлением и рассчитан на эффективный отвод тепла, что позволяет рассеивать значительную мощность.
• Основные применения:
  • Источники питания (SMPS) — особенно в первичной стороне в качестве ключевого элемента.
  • Импульсные преобразователи (DC-DC конвертеры).
  • Цепи управления двигателями (Motor Control).
  • Сварочное оборудование.
  • Инверторы и UPS (источники бесперебойного питания).

Это надежный и мощный компонент, ориентированный на промышленное и профессиональное применение.

Технические характеристики

Вот основные параметры BUP313:

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Структура | TrenchSTOP™ | | | Корпус | TO-263-3 (D²PAK) | | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DSS) | 600 В | | | Макс. постоянный ток стока (I_D) | 12.5 А | При T_c = 25°C | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.30 Ом | При V_GS = 10 В, I_D = 6.25 А | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th))| 3.0 - 5.0 В | При I_D = 250 мкА | | Макс. напряжение "Затвор-Исток" (V_GS)| ± 30 В | | | Общий заряд затвора (Q_g)| ~ 45 нКл | При V_GS = 10 В | | Время включения (t_d(on)) | ~ 15 нс | | | Время выключения (t_d(off)) | ~ 60 нс | | | Диод "Сток-Исток" (Internal Diode) | Есть | Интегрированный обратный диод | | Макс. температура перехода (T_j)| 150 °C | |

Парт-номера и прямые аналоги

Infineon часто выпускает один и тот же чип под разными парт-номерами в зависимости от корпуса, упаковки или маркетинговой линии. BUP313 также может быть известен под следующими номерами:

• SPP21N60S5-13 — Это, по сути, тот же самый транзистор. Infineon маркирует его как аналог. Может быть идентичной или очень близкой по характеристикам версией.
• BUP313S — Возможное обозначение для Tape & Reel (рулонной) упаковки для автоматизированного монтажа.

Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске замены для BUP313 важно смотреть на ключевые параметры: V_DSS = 600 В, I_D ~ 12-13 А, R_DS(on) ~ 0.3 Ом и корпус TO-263.

Вот список популярных аналогов от других производителей:

• STMicroelectronics:
  • STP12NM60N (600 В, 12 А, R_DS(on) = 0.35 Ом) — очень популярный и широко распространенный аналог.
  • STW12N60M2 (600 В, 12 А, R_DS(on) = 0.29 Ом)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP12N60 (600 В, 12 А, R_DS(on) = 0.32 Ом)
  • FCP11N60 (600 В, 11 А, R_DS(on) = 0.32 Ом)
• Vishay / Siliconix:
  • SUP12N60-21 (600 В, 12 А, R_DS(on) = 0.21 Ом) — Обратите внимание: здесь сопротивление ниже, что может быть преимуществом.
• International Rectifier (IR):
  • IRFB12N60KPBF (600 В, 12 А, R_DS(on) = 0.33 Ом) — в корпусе TO-220, но часто используется в тех же схемах, если позволяет конструкция.
• Toshiba:
  • TK12A60W (600 В, 12 А, R_DS(on) = 0.30 Ом)

Важное замечание по замене: Перед установкой аналога всегда необходимо сверяться с даташитом (datasheet). Особое внимание уделите распиновке корпуса, значениям порогового напряжения (V_GS(th)) и динамическим характеристикам (заряды затвора Q_g, времена переключения), так как они могут незначительно отличаться и влиять на работу драйвера и общую эффективность схемы.