Infineon BUP311D

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon BUP311D.

Описание

Infineon BUP311D — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Этот транзистор предназначен для использования в высокоэффективных импульсных источниках питания, силовых преобразователях и системах управления двигателями, где критически важны низкие потери и высокая надежность.

Ключевые особенности, которые делают его популярным:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные проводящие потери и высокий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает управление и снижает потери в драйвере.
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам: Обеспечивает надежность и устойчивость к перенапряжениям в жестких условиях работы.
• Планарская технология: Обеспечивает высокую повторяемость параметров и надежность.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS), особенно в силовой части (первичная сторона в топологиях типа "мост" или "полумост").
• Сварочное оборудование.
• Системы управления электродвигателями (например, в промышленном приводе).
• Инверторы и преобразователи постоянного тока.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | OptiMOS™ 5 | | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Структура | Планарский | | | Корпус | TO-263-3 (D²Pak) | Также известен как DDPAK. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD). | | Количество выводов | 3 | | | Код датырии | 311D | |

Электрические характеристики (при Tj = 25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 В | | | Непрерывный ток стока | I_D | 11.5 А | Корпус при 25°C | | Максимальный импульсный ток стока | I_DM | 46 А | | | Сопротивление "сток-исток" в открытом состоянии | R_DS(on) | max. 180 мОм | V_GS = 10 В, I_D = 5.8 А | | | | max. 250 мОм | V_GS = 10 В, I_D = 5.8 А, Tj = 150°C | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | V_DS = V_GS, I_D = 250 мкА | | Максимальное напряжение "затвор-исток" | V_GS | ± 30 В | | | Общий заряд затвора | Q_g | 46 нКл (тип.) | V_DS</ = 480 В, I_D = 11.5 А, V_GS = 10 В | | Заряд затвора-истока | Q_gs | 8.5 нКл (тип.) | | | Заряд затвора-стока ("проходной") | Q_gd | 18 нКл (тип.) | | | Время включения | t_d(on) / t_r | 15 нс / 55 нс (тип.) | | | Время выключения | t_d(off) / t_f | 75 нс / 30 нс (тип.) | | | Время восстановления диода | t_rr | 160 нс (тип.) | | | Энергия лавинных нагрузок | E_AS | 460 мДж (тип.) | I_D = 11.5 А | | Энергия коммутации | E_TS | 1.4 мДж (тип.) | I_D = 11.5 А, V_DS = 300 В |

Тепловые характеристики:

| Параметр | Обозначение | Значение | | :--- | :--- | :--- | | Максимальная температура перехода | T_j | -55 ... +175 °C | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_thJC | 0.45 К/Вт | | Тепловое сопротивление "переход-окружающая среда" | R_thJA | 40 К/Вт | Без радиатора |

Парт-номера и Совместимые модели (Аналоги / Кроссповоды)

BUP311D является частью большого семейства. Прямые аналоги с идентичными или очень близкими параметрами, которые можно использовать для замены, включают:

Прямые аналоги от Infineon и других производителей:

• Infineon:
  • SPW35N60C3 — очень близкий аналог по характеристикам (600 В, 35 А, RDS(on) = 85 мОм). Несмотря на другой номер, часто используется как более мощная или взаимозаменяемая модель.
  • IPP60R190C6 (от Infineon CoolMOS™ C6) — более современная технология, но может быть заменой в новых разработках с проверкой цепи управления.
• STMicroelectronics:
  • STP11NK60Z (600 В, 11 А, RDS(on) = 280 мОм) — чуть более высокое сопротивление, но функционально совместим.
  • STW11NK60Z (в корпусе TO-247) — аналог в другом корпусе.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP11N60 (600 В, 11 А, RDS(on) = 290 мОм)
  • FCP11N60S (более современная серия SuperFET)
• Vishay / Siliconix:
  • SUD11N06-60 (600 В, 11 А, RDS(on) = 300 мОм)

Важные замечания по замене:

1. Всегда проверяйте даташит (datasheet)! Перед заменой обязательно сравните распиновку (pinout), значения порогового напряжения (V_GS(th)), заряда затвора (Q_g) и динамические характеристики. Несовпадение этих параметров может потребовать доработки драйвера управления.
2. Корпус: Убедитесь, что аналог доступен в том же корпусе TO-263-3 (D²Pak). Многие аналоги также существуют в корпусе TO-220 (для монтажа на радиатор через отверстие) или TO-247 (более мощный).
3. Критические параметры для замены: Наибольшее внимание при поиске аналога уделите:
   • V_DSS (напряжение) — должно быть не меньше.
   • I_D (ток) — желательно не меньше.
   • R_DS(on) — желательно не больше.
   • Q_g — если заряд сильно отличается, драйвер может не справиться.

Для точного подбора аналога рекомендуется использовать сервисы поиска замены на сайтах дистрибьюторов электронных компонентов, таких как LCSC, Mouser, Digi-Key или Octopart.