Infineon BTM7710G

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для силового MOSFET-транзистора Infineon BTM7710G.

Описание

Infineon BTM7710G — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный в специализированном корпусе TO-263-7 (также известном как D²PAK). Этот транзистор является частью линейки OptiMOS™ 5, что означает использование передовой технологии для достижения исключительно низкого значения сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)).

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Чрезвычайно низкое RDS(on) минимизирует потери мощности на нагрев, что особенно критично в мощных импульсных преобразователях и системах управления двигателями.
• Высокая плотность мощности: Позволяет создавать более компактные и мощные решения благодаря способности выдерживать большие токи.
• Высокое быстродействие: Технология OptiMOS™ 5 обеспечивает превосходные характеристики переключения, что снижает коммутационные потери в высокочастотных схемах.
• Расширенный диапазон рабочих температур: Корпус рассчитан на работу с температурой на кристалле до 175°C.
• Надежность: Продукция Infineon известна высокими стандартами качества и надежности, что делает этот транзистор подходящим для automotive (автомобильных) и промышленных применений.

Основные области применения:

• Системы управления двигателями (например, в электромобилях, промышленных приводах).
• Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS).
• Схемы синхронного выпрямления.
• Силовые инверторы и преобразователи DC-DC.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | OptiMOS™ 5 Technology | | Корпус | TO-263-7 (D²PAK-7) | С 7 выводами | | Сток-Исток Напряжение (VDS) | 100 В | | | Непрерывный ток стока (ID) | 195 А | При Tc = 25°C | | Непрерывный ток стока (ID) | 140 А | При Tc = 100°C | | Импульсный ток стока (IDpulse) | 780 А | | | Сопротивление откр. канала (RDS(on)) | 0,85 мОм | VGS = 10 V, ID = 95 A | | Сопротивление откр. канала (RDS(on)) | 1,1 мОм | VGS = 4.5 V, ID = 75 A | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.1 - 4.0 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Макс. напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 220 нКл | VGS = 10 V, ID = 95 A | | Время включения (td(on) / tr) | 19 нс / 48 нс | | | Время выключения (td(off) / tf) | 70 нс / 31 нс | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 1.45 мкКл | | | Макс. температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | |

• Примечание: RDS(on) — это ключевой параметр, и его сверхнизкое значение является главным преимуществом данной модели.

Парт-номера и Совместимые модели

BTM7710G — это уникальный парт-номер Infineon. Однако на рынке существуют прямые аналоги и совместимые по распиновке и характеристикам транзисторы от других производителей, а также модификации от самого Infineon.

1. Прямые аналоги и похожие модели от Infineon

• IPT015N10N5 — Очень близкий аналог от Infineon в том же корпусе TO-263-7. Имеет схожие характеристики: 100 В, 195 А, RDS(on) = 1.5 мОм. Часто используется как полный аналог или альтернатива.
• IPT012N08N5 — Модель на 80 В, но с еще более низким RDS(on) (1.2 мОм). Может быть заменой в схемах, где рабочее напряжение ниже 80 В.
• BTM7750G / BTM7780G — Другие модели из той же серии, но с иными номиналами по току и напряжению. Всегда проверяйте datasheet.

2. Аналоги от других производителей

Поиск аналогов следует вести по ключевым параметрам: N-chan, 100V, RDS(on) < 1.5 мОм, корпус TO-263-7 (D²PAK-7).

• STMicroelectronics:
  • STH315N10F7 — 100 В, 210 А, RDS(on) = 1.15 мОм (очень близкий конкурент).
• ON Semiconductor (ныне часть of onsemi):
  • NTMFS5C670N — 100 В, 170 А, RDS(on) = 0.67 мОм (еще более низкое сопротивление).
• Vishay / Siliconix:
  • SQJB60EE-T1_GE3 — 100 В, 170 А, RDS(on) = 0.6 мОм.

Важные замечания по совместимости и замене

1. Распиновка (Pinout): Корпус TO-263-7 имеет 7 выводов, и их расположение может отличаться у разных производителей и даже моделей. Перед заменой обязательно сверяйтесь с datasheet на конкретную модель! Несовпадение распиновки может привести к выходу из строя транзистора и всей схемы.
2. Параметры замены: Несмотря на схожесть ключевых параметров (VDS, ID, RDS(on)), всегда обращайте внимание на второстепенные, но важные характеристики: заряд затвора (Qg), внутренние индуктивности, характеристики внутреннего диода. Они могут серьезно повлиять на работу схемы на высоких частотах.
3. Рекомендация: Для критически важных применений всегда старайтесь использовать оригинальную деталь (BTM7710G). Если это невозможно, тщательно подбирайте аналог, проверяя ВСЕ характеристики и проводя тестовые испытания в вашей схеме.