Infineon BSS87H6327FTSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для полевого транзистора Infineon BSS87H6327FTSA1.

Описание

Infineon BSS87H6327FTSA1 — это N-канальный MOSFET транзистор малой мощности, выполненный в современном компактном корпусе SOT-323. Он является частью семейства Small Signal MOSFETs от Infineon.

Ключевые особенности и применение:

• Технология: Использует передовой кремниевый технологический процесс, что обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и высокую эффективность.
• Напряжение управления: Является логическим уровнем (Logic Level) транзистором. Это означает, что он может полностью открываться при относительно низком напряжении на затворе (VGS ≈ 4.5 В), что делает его идеальным для непосредственного управления от микроконтроллеров (таких как Arduino, STM32, ESP8266/ESP32) и других цифровых схем без необходимости использования дополнительных драйверов.
• Корпус: SOT-323 — очень малый корпус, который позволяет экономить место на печатной плате.
• Основное применение: Транзистор предназначен для коммутации маломощных нагрузок и усиления слабых сигналов. Типичные области применения:
  • Ключи для управления светодиодами, реле, маленькими двигателями.
  • Коммутация сигналов в аудиотрактах и цифровых схемах.
  • Импульсные преобразователи (DCDC) малой мощности.
  • Схемы питания портативных устройств.

Технические характеристики (основные)

• Тип транзистора: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
• Корпус: SOT-323
• Страница производителя: Infineon BSS87
  • Полярность: N-Channel
  • Напряжение "Сток-Исток" (VDS): -20 В (Обратите внимание, что в документации указано отрицательное значение, что является стандартным обозначением для N-канальных MOSFET, но по факту это +20V максимального напряжения между стоком и истоком).
  • Напряжение "Затвор-Исток" (VGS): ±12 В
  • Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)):
    • При VGS = 10 В: макс. 120 мОм
    • При VGS = 4.5 В: макс. 180 мОм (что подтверждает его принадлежность к логическому уровню)
  • Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 1.0 - 2.5 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): 1.1 А (при Tc = 25°C)
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 1.1 Вт (при Tc = 25°C)
  • Температура перехода (Tj): от -55 до +150 °C

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

Полный парт-номер для заказа обычно включает в себя суффикс, указывающий на корпус и упаковку. BSS87H6327FTSA1 — это полный номер для ленточной упаковки (Tape & Reel).

Прямые аналоги и совместимые замены от других производителей:

Обратите внимание, что при замене всегда необходимо сверяться с даташитом на конкретную модель, так как характеристики могут незначительно отличаться.

Очень близкие аналоги (с почти идентичными параметрами):

• Diodes Inc. ZXMN2A14FTA: N-Channel, 20V, 1.1A, 180mΩ @ 4.5V, SOT-23
• ON Semiconductor NTVBSS123NH3G: N-Channel, 20V, 1.7A, 115mΩ @ 4.5V, SOT-23
• Nexperia 2N7002T,215: Классический маломощный MOSFET, но с худшим RDS(on). N-Channel, 60V, 0.3A, 1.6Ω @ 10V, SOT-23.
• ROHM RSS040N03LTE2L: N-Channel, 30V, 2.5A, 40mΩ @ 4.5V, SOT-23 (более мощный аналог).

Популярные аналоги в том же классе (логические N-канальные MOSFETs):

• ON Semiconductor BS170 (более старый, но широко известный аналог, корпус TO-92).
• Vishay SI2302ADS (N-Channel, 20V, 2.2A, 120mΩ @ 4.5V, SOT-23).
• Alpha & Omega AO3400A (N-Channel, 30V, 5.7A, 28mΩ @ 4.5V, SOT-23) — значительно более мощный.
• Diodes Inc. DMN3404L-7 (N-Channel, 30V, 2A, 60mΩ @ 4.5V, SOT-23).

Важно:

• Указанные аналоги могут иметь разные корпуса (часто SOT-23, который чуть больше SOT-323). SOT-23 и SOT-323 имеют разное расположение выводов, поэтому при замене на печатной плате необходимо убедиться в их совместимости.
• Перед заменой всегда проверяйте распиновку (pinout) и максимальные характеристики (VDS, ID, PD) в официальном даташите.