Infineon BSS139H6327

Конечно! Вот подробное описание, технические характеристики, а также список парт-номеров и совместимых моделей для полевого транзистора Infineon BSS139H6327.

Описание

Infineon BSS139H6327 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный в маломощном корпусе SOT-23. Этот компонент относится к поколению Small Signal MOSFETs и оптимизирован для применения в схемах переключения и усиления слабых сигналов.

Ключевые особенности, которые делают его популярным:

• Низкое пороговое напряжение (V_GS(th)): Позволяет легко управлять им от низковольтных логических уровней (например, 3.3В или 5В) от микроконтроллеров, что делает его идеальным для интерфейсных схем.
• Высокое быстродействие: Благодаря малой емкости, он может переключаться на высоких частотах.
• Малый корпус: SOT-23 идеально подходит для компактных печатных плат.
• Экономичность: Низкая стоимость делает его привлекательным для массовой продукции.

Основное назначение: Коммутация низковольтных нагрузок, цифровые ключи, драйверы светодиодов, выходные каскады для микроконтроллеров, модуляция сигналов в аудиотехнике и другие маломощные приложения.

Технические характеристики (Electrical Characteristics, T_j = 25°C)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | - | N-канальный, обогащение | - | | Корпус | - | SOT-23 | - | | Сток-Исток Напряжение | V_DS | 100 В | - | | Сток-Исток Напряжение (повтор.) импульсное | V_DSM | 110 В | - | | Напряжение Затвор-Исток | V_GS | ±20 В | - | | Максимальный постоянный ток стока | I_D | 130 мА | - | | Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | R_DS(on) | 10 Ом (max) | V_GS = 10 В, I_D = 50 мА | | | | 15 Ом (max) | V_GS = 5 В, I_D = 50 мА | | | | 30 Ом (max) | V_GS = 4.5 В, I_D = 50 мА | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 1.5 ... 3.0 В | I_D = 1 мА, V_DS = V_GS | | Максимальная мощность рассеяния | P_tot | 360 мВт | - | | Емкость "Затвор-Исток" (входная) | C_iss | 30 пФ | V_GS = 0 В, V_DS = 25 В, f = 1 МГц | | Емкость "Сток-Исток" (выходная) | C_oss | 5 пФ | V_GS = 0 В, V_DS = 25 В, f = 1 МГц | | Емкость "Затвор-Сток" (проходная) | C_rss | 2.5 пФ | V_GS = 0 В, V_DS = 25 В, f = 1 МГц |

Парт-номер (Part Number) и аналоги

Полное обозначение компонента следует читать так:

• BSS139 — базовая модель транзистора.
• H — обозначает корпус SOT-23.
• 6327 — код ленты и упаковки (как правило, означает поставку на катушке для автоматического монтажа, 3000 шт. в катушке).

Прямые аналоги и совместимые модели (Drop-in Replacements)

Следующие транзисторы имеют схожие характеристики, распиновку (pin-to-pin) и корпус, и в большинстве случаев являются полноценной заменой BSS139H6327. Однако для критичных применений всегда рекомендуется сверяться с даташитом.

• ON Semiconductor (Fairchild): 2N7002K / 2N7002
• Diodes Incorporated: DMN3404L
• Nexperia: BSS138 (Обратите внимание! BSS138 имеет более низкое напряжение V_DS = 50В, но часто используется в тех же низковольтных схемах и является очень популярным аналогом)
• Vishay: Si2302ADS
• STMicroelectronics: STS2HN100 (также под брендом ST: BSS139)

Другие популярные аналоги в том же классе (требует проверки распиновки)

• FDV301N (ON Semiconductor)
• BS170 (более старый аналог, обычно в корпусе TO-92, но есть и в SOT-23; имеет большее R_DS(on))

Ключевые отличия и на что обратить внимание при замене

1. BSS139 vs BSS138: BSS139 имеет напряжение 100В, а BSS138 — 50В. Если ваша схема работает с напряжениями ниже 50В, они взаимозаменяемы. BSS138 часто имеет чуть лучшее (меньшее) R_DS(on).
2. BSS139 vs 2N7002: 2N7002 обычно имеет большее R_DS(on) (около 7.5 Ом при V_GS=10В), но является одним из самых распространенных аналогов.
3. Пороговое напряжение (V_GS(th)): Всегда проверяйте, сможет ли ваша схема управления (например, МК на 3.3В) уверенно открыть транзистор, сравнивая пороговые напряжения в даташите.

Вывод: Infineon BSS139H6327 — надежный и широкоиспользуемый маломощный MOSFET, для которого существует большое количество прямых и функциональных аналогов от ведущих производителей.