Infineon BSP550

Артикул: 562475

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon BSP550

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для инфенеоновского силового ключа BSP550.

Описание

Infineon BSP550 — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Это компонент в компактном корпусе TO-252-3 (DPAK), предназначенный для коммутации больших токов с минимальными потерями.

Ключевые особенности и преимущества:

Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Это главное преимущество, которое обеспечивает очень высокую эффективность и минимальное тепловыделение. Для BSP550 это значение составляет всего 5.5 мОм при напряжении затвора 10 В.
Высокая токовая способность: Может коммутировать постоянный ток до 13 А (при температуре корпуса 25°C) и импульсный ток до 52 А.
Низкое пороговое напряжение затвора: Позволяет легко управлять транзистором от низковольтных логических схем (например, от микроконтроллеров с напряжением 3.3 В или 5 В).
Технология OptiMOS™ 5: Обеспечивает лучшие в своем классе показатели эффективности (особенно в низковольтных применениях) и оптимальное соотношение цена/производительность.
Компактный корпус DPAK: Позволяет экономить место на печатной плате по сравнению с более крупными корпусами, такими как TO-220, при сохранении высокой мощности.
Высокая стойкость к лавинным пробоям: Компонент надежен в условиях перенапряжений.

Основные области применения:

Силовые преобразователи (DC-DC конвертеры)
Управление двигателями (например, в автомобильных системах, робототехнике)
Коммутация нагрузок в силовой электронике
Источники питания
Инверторы

Технические характеристики

Парт-номера (Part Numbers)

Infineon часто выпускает компоненты с различными суффиксами, которые могут указывать на упаковку (напр., бухта, россыпь) или небольшие модификации. Основные парт-номера для BSP550:

BSP550T - Стандартная версия, 60 В.
BSP550ET - Версия на 40 В. Имеет более низкое значение RDS(on) (порядка 4.5 мОм при VGS=10В).
BSP550H - Может указывать на иную упаковку (например, на катушке для автоматизированного монтажа).

При заказе всегда уточняйте полное наименование, включая суффикс.

Совместимые и аналогичные модели

Прямых аналогов с идентичными характеристиками и корпусом от других производителей не существует, но есть множество компонентов, которые являются функционально совместимыми аналогами (Second Source) или близкими по параметрам. При замене всегда сверяйтесь с даташитом.

Аналоги от других производителей:

STMicroelectronics:
- STL110N6F7 - 60 В, 8.5 мОм, 11 А (в корпусе DPAK). Хороший аналог по напряжению.
- STD110N6F7 - 60 В, 8.5 мОм, 11 А (в корпусе D2PAK). Аналог в более крупном корпусе для лучшего теплоотвода.
ON Semiconductor / Fairchild:
- FDB5503 - 60 В, 6.5 мОм, 13 А (в корпусе DPAK). Очень близкий аналог.
- NDT550 - 60 В, 6.5 мОм, 13 А (в корпусе DPAK). Прямой конкурент.
Vishay / Siliconix:
- SQJ410EP-T1_GE3 - 60 В, 5.5 мОм, 12 А (в корпусе PowerPAK® SO-8). Аналог в другом форм-факторе.
- SUD50N06-15 - 60 В, 15 мОм, 50 А (в корпусе TO-263 / D2PAK). Модель с более высоким током, но большим сопротивлением.
Diodes Incorporated:
- DMT6002LFG - 60 В, 6.5 мОм, 11.5 А (в корпусе PowerDI® 5x6). Аналог в современном компактном корпусе.

Совместимые модели от Infineon (внутренние аналоги):

BSP135 - Более старый N-канальный MOSFET в том же корпусе, но с худшими характеристиками (RDS(on) ~ 1.8 Ом). Подходит для менее требовательных применений.
IPD50N06S4L-04 - Модель из другой серии Infineon, 60 В, 4.2 мОм, 50 А (в корпусе TO-252). Более мощный вариант.
Линейка OptiMOS™ 5 60/80V в корпусе DPAK: Ищите модели с похожими значениями VDS, ID и RDS(on) в той же серии, что обеспечит максимальную совместимость по характеристикам.

Важно: При замене всегда обращайте внимание на распиновку корпуса, номинальное напряжение (40 В vs 60 В) и такие динамические параметры, как заряд затвора (Qg), которые могут потребовать корректировки драйвера управления.