Infineon BSP315P-E6327

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для инфракрасного N-канального MOSFET-транзистора Infineon BSP315P-E6327.

Описание

Infineon BSP315P-E6327 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой Planar PLUS 60 V SJ MOSFET технологии. Ключевыми особенностями данного прибора являются:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Благодаря технологии супер-перехода (Super Junction) транзистор обладает очень низким сопротивлением в открытом состоянии, что приводит к минимальным потерям мощности и высокому КПД в ключевых режимах.
• Высокое напряжение сток-исток (VDS): 60 В, что делает его идеальным для работы в цепях с напряжением 48 В и ниже, с запасом прочности.
• Логический уровень управления (Logic Level): Полное открытие транзистора (низкое RDS(on)) достигается уже при напряжении на затворе 10 В, а для частичного открытия достаточно и 4.5 В. Это позволяет управлять им напрямую от большинства микроконтроллеров и цифровых схем без использования драйвера уровня.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям, транзистор может работать на высоких частотах, что важно для импульсных источников питания и ШИМ-контроллеров.
• Корпус: Выполнен в компактном и популярном корпусе SOT-223, который обеспечивает хороший баланс между размерами и способностью рассеивать тепло (за счет металлической площадки с тыльной стороны).

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Цепи управления двигателями
• Силовые ключи для управления нагрузкой (например, соленоиды, реле, светодиоды)
• Схемы ШИМ-регулирования

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип канала | N-Channel | | | Технология | Planar PLUS 60 V SJ MOSFET | | | Напряжение "Сток-Исток" (VDS) | 60 В | | | Напряжение "Затвор-Исток" (VGS) | ± 20 В | | | Постоянный ток стока (ID) | 1.7 А | при Tc = 25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 65 мОм | VGS = 10 В, ID = 1.5 А | | | 85 мОм | VGS = 4.5 В, ID = 1.0 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.35 - 2.35 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 2.5 Вт | при Tc = 25°C | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | | | Емкость "Затвор-Исток" (Ciss) | 315 пФ | VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц | | Емкость "Затвор-Сток" (Crss) | 25 пФ | VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц | | Корпус | SOT-223 | |

Парт-номера и аналоги

Производитель часто присваивает несколько парт-номеров для одного и того же кристалла в зависимости от упаковки (катушка, россыпь) или маркетинговой линии.

Прямые парт-номера и аналоги от Infineon:

• BSP315P E6327 — это полное указание, где E6327 часто является суффиксом, указывающим на упаковку (Tape & Reel).
• BSP315P — основное название модели.
• SPP15N60C3 — очень близкий аналог от Infineon в другом корпусе (TO-220), но с похожими характеристиками. Не является прямым аналогом по корпусу, но по электрическим параметрам очень близок.

Совместимые модели и аналоги от других производителей:

При поиске аналога важно смотреть на ключевые параметры: VDS ≥ 60В, ID ≥ 1.7А, RDS(on) сравнимое при VGS=10В и VGS=4.5В, и корпус SOT-223.

• STMicroelectronics: STL6DN6LF3, STL8DN6LF3
• ON Semiconductor: NVTFS6H646N (очень популярный и производительный аналог)
• Vishay: SiS446DN
• Diodes Incorporated: DMP3056LSD-13

Важные замечания по аналогам:

1. Всегда сверяйтесь с даташитом! Перед заменой обязательно скачайте и сравните технические описания (datasheet) как оригинальной детали, так и предполагаемого аналога. Особое внимание уделите распиновке (pinout) корпуса SOT-223, так как у разных производителей она может отличаться.
2. Ключевой параметр — RDS(on). Чем оно ниже, тем меньше потери и нагрев. У вышеназванных аналогов этот параметр может быть даже лучше.
3. Напряжение затвора (VGS). Убедитесь, что аналог также является "логическим уровнем" (Logic Level) и имеет низкое RDS(on) при VGS = 4.5В или 5В, если вы управляете от микроконтроллера.

Таким образом, BSP315P-E6327 — это надежный и эффективный MOSFET для задач коммутации средних токов в низковольтных и средневольтовых системах, где важны компактность и энергоэффективность.