Infineon BSP296

Конечно. Вот подробное описание инфракрасного полевого транзистора Infineon BSP296, его характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon BSP296 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой SMD-технологии Infineon "SMART MOS". Ключевыми особенностями этого компонента являются:

• Низкое пороговое напряжение (V_GS(th)). Это позволяет управлять транзистором напрямую от выходов микроконтроллеров (логических уровней 3.3В или 5В) без использования дополнительных драйверов.
• Высокая энергоэффективность. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии (R_DS(on)) и малому ток утечки, транзистор минимизирует потери мощности и нагрев.
• Компактный корпус. Выполнен в популярном SMD-корпусе SOT-223, который обеспечивает хороший баланс между малыми размерами и способностью рассеивать тепло.
• Быстрое переключение. Подходит для импульсных схем, ШИМ-управления и других приложений, где важна скорость.

Основное назначение: BSP296 широко используется в качестве электронного ключа для управления нагрузками (например, реле, соленоидами, светодиодами, двигателями постоянного тока) в низковольтных системах, особенно там, где управление осуществляется непосредственно с плат микроконтроллеров (Arduino, Raspberry Pi, STM32 и т.д.).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET | | | Корпус | SOT-223 | | | Полярность | N-канал | | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 60 В | | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 1.7 А | T_C = 25°C | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.15 Ом (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 1.5 А | | | 0.25 Ом (макс.) | V_GS = 5 В, I_D = 1.2 А | | | 0.4 Ом (макс.) | V_GS = 4.5 В, I_D = 1.0 А | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th))| 1.0 ... 2.5 В | I_D = 250 мкА, V_DS = V_GS | | Максимальное напряжение затвор-исток (V_GSS) | ±20 В | | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 2 Вт | T_A = 25°C (без теплоотвода) | | Температура перехода (T_j) | -55 ... +150 °C | | | Емкость затвора (C_iss) | 300 пФ (тип.) | V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц |

Part Number (Парт-номера)

Официальное полное наименование компонента от Infineon:

• BSP296PH6327XTSA1

Этот номер включает в себя код корпуса (SOT-223) и другие производственные данные. В спецификациях и при поиске часто используется сокращенное название BSP296.

Совместимые модели (Аналоги / Прямые замены)

При поиске замены для BSP296 важно обращать внимание на ключевые параметры: логический уровень (Logic Level), напряжение V_DSS ≥ 60В, ток I_D ≥ 1.7А и низкое R_DS(on) при 4.5-5В, а также корпус SOT-223.

Аналоги от других производителей:

• ON Semiconductor (Fairchild):

  • NDT2955 (P-channel, обратите внимание на полярность!)
  • FDC5612P (P-channel, обратите внимание на полярность!)
  • Для прямых N-канальных аналогов от ON Semi стоит искать по параметрам, так как точного аналога может не быть, но серия FDN337N (SOT-23) или аналоги в корпусе D-PAK (более мощные) могут подойти по электрическим характеристикам.

• Diodes Incorporated:

  • DMN3404L - хороший логический MOSFET, 30В, 2А, R_DS(on) ~0.1Ом при 2.5В.
  • DMP3010SK3 - 30В, 4.8А, R_DS(on) ~0.025Ом при 2.5В (очень мощный для логических уровней).

• STMicroelectronics:

  • STD2NK3Z-1 - 30В, 2.2А, R_DS(on) ~0.1Ом при 4.5В.
  • STD4NK3Z - 30В, 4А, R_DS(on) ~0.04Ом при 4.5В.

• Vishay:

  • Si2302ADS - 20В, 2.6А, R_DS(on) ~0.1Ом при 2.5В.

Важные замечания по замене:

1. Полярность: Убедитесь, что заменяемый транзистор является N-канальным (N-Channel).
2. Корпус: Сверьте распиновку корпуса. SOT-223 имеет стандартную распиновку, но у других корпусов (например, SOT-23) она может отличаться.
3. Напряжение управления: Самый критичный параметр для замены в схемах с МК — это R_DS(on) при V_GS = 4.5В или 5В. Если у аналога это значение значительно хуже (выше), он может сильно греться.
4. Проверка даташита: Перед заменой всегда тщательно изучайте техническое описание (datasheet) аналога, чтобы убедиться в полной совместимости по всем критичным для вашей схемы параметрам.