Infineon BSP170PH6327XTSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для Infineon BSP170PH6327XTSA1.

Общее описание

Infineon BSP170PH6327XTSA1 — это N-канальный MOSFET малой мощности в компактном корпусе SOT-223. Он принадлежит к серии BSP170P, которая оптимизирована для коммутации низковольтных нагрузок и управления питанием в условиях ограниченного пространства на плате.

Ключевые особенности:

• Низкое пороговое напряжение (V_GS(th)): Позволяет эффективно управлять затвором от микроконтроллеров и логических схем (3.3В или 5В), что делает его идеальным для замены реле или биполярных транзисторов.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): Обеспечивает минимальные потери мощности и падение напряжения при коммутации нагрузок до 1.7А.
• Компактный корпус SOT-223: Занимает мало места, но имеет выделенный вывод для теплоотвода (металлическая площадка), что позволяет эффективно рассеивать тепло по сравнению с SOT-23.
• Быстрое переключение: Подходит для приложений, требующих частой коммутации.
• Повышенная стойкость к статическому электричеству (ESD): Защита до 2 кВ по модели HBM (Human Body Model).

Основные области применения:

• Коммутация нагрузок (моторчики, реле, светодиоды, соленоиды) от выходов микроконтроллеров.
• Управление питанием (Load Switch) в портативной электронике.
• Импульсные источники питания (DC-DC преобразователи) в роли нижнего ключа.
• Схемы защиты от обратной полярности.
• Драйверы шаговых двигателей и вентиляторов.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-канальный, Enhancement Mode | — | | Корпус | — | SOT-223 | — | | Стойкость к ESD | V_ESD | 2 кВ | Модель HBM | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 60 В | — | | Постоянный ток стока | I_D | 1.7 А | T_C = 25°C | | Сопротивление "сток-исток" в откр. сост. | R_DS(on) | 0.28 Ом (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 1.7 А | | | | 0.5 Ом (макс.) | V_GS = 4.5 В, I_D = 1.0 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 1.0 – 2.5 В | I_D = 1 мА, V_DS = V_GS | | Емкость затвора (входная) | C_iss | ~ 240 пФ | V_GS = 0 В, V_DS = 25 В, f = 1 МГц | | Заряд затвора | Q_g | ~ 12 нКл | V_GS = 10 В | | Макс. мощность рассеяния | P_tot | 1.8 Вт | T_A = 25°C (на плате) |

Термические характеристики:

• Тепловое сопротивление переход-окружающая среда: R_thJA ≈ 70 К/Вт (при монтаже на стандартную плату).
• Диапазон рабочих температур перехода: от -55 °C до +150 °C.

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Полное имя в разных биллингах Infineon:

• BSP170PH6327XTSA1 — Это полный Ordering Code. Расшифровка: BSP170P (серия), H6 (характеристики/упаковка), 327 (возможно, код даты/завода), XTSA1 (корпус SOT-223, упаковка на ленте).

Прямые аналоги и совместимые замены от других производителей: При поиске замены необходимо сверять ключевые параметры: V_DSS (≥60В), I_D (≥1.7А), R_DS(on) (при V_GS=4.5В/10В), корпус и цоколевку.

• ON Semiconductor / Fairchild: FDC5612P (очень близкий аналог, 60В, 1.7А, R_DS(on) ~0.28 Ом, SOT-223).
• Vishay / Siliconix: Si3443DV (60В, 2.3А, R_DS(on) ~0.1 Ом, SOT-223 — более мощный).
• STMicroelectronics: STD2NK60Z-1 (600В, 1.7А, SOT-223 — для высокого напряжения, но подойдет для коммутации 60В).
• Diodes Incorporated: DMP3056LSD-13 (60В, 2.5А, R_DS(on) ~0.12 Ом, SOT-223 — более мощный).
• Nexperia: PMZB170UNE (60В, 1.7А, R_DS(on) ~0.28 Ом, SOT-223 — практически полный аналог).

Аналоги в других корпусах (при нехватке места или для модернизации):

• SOT-23 (меньше): BSS138 (50В, 0.22А) — для очень малых токов. 2N7002 (60В, 0.3А).
• TO-252 (DPAK) (мощнее): IRF7416 (60В, 10А) — если нужен больший ток.
• IPAK / TO-251: STP16NF06 (60В, 16А) — для значительно более высоких токов.

Важное примечание по замене: Перед заменой всегда необходимо:

1. Сравнивать Datasheet кандидата и оригинальной детали.
2. Проверять цоколевку (pinout) корпуса.
3. Учитывать особенности монтажа (площадь теплоотвода на плате для SOT-223).