Infineon BSO110N03MS

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для MOSFET-транзистора Infineon BSO110N03MS.

Описание

Infineon BSO110N03MS — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™. Этот транзистор предназначен для применения в низковольтных цепях с напряжением до 30 В и характеризуется чрезвычайно низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и высокой эффективностью.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление RDS(on): Всего 1.1 мОм при напряжении затвор-исток 10 В. Это минимизирует потери мощности на нагрев и повышает общий КПД системы.
• Высокая энергоэффективность: Идеально подходит для импульсных источников питания (SMPS) и цепей управления двигателями, где важны минимальные потери.
• Компактный корпус: Выполнен в современном корпусе SuperSO8 (PG-TSDSON-8), который сочетает малые габариты с отличными тепловыми и электрическими характеристиками.
• Низкое напряжение затвора (Logic Level): Полностью открывается уже при напряжении затвор-исток 10 В, а часто и при более низком (например, 4.5 В), что позволяет легко управлять им от современных микроконтроллеров и драйверов.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что необходимо для компактных и легких импульсных преобразователей.

Основные области применения:

• Синхронное выпряление в импульсных источниках питания (SMPS)
• Цепи управления двигателями (например, в маломощных дрелях, вентиляторах)
• DC-DC преобразователи (низковольтные шины питания)
• Системы управления батареями (BMS)
• Стабилизаторы напряжения (VRM)

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ | | | Корпус | SuperSO8 (PG-TSDSON-8) | | | Количество выводов | 8 | | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 30 В | | | Сток-Исток напряжение (VGS) | ±20 В | | | Постоянный ток стока (ID) | 100 А | TC = 25°C | | Импульсный ток стока (IDpulse) | 390 А | | | Сопротивление откр. канала (RDS(on)) | 1.1 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 50 A | | | 1.3 мОм (макс.) | VGS = 4.5 В, ID = 50 A | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.35 ... 2.35 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Общая емкость (Ciss) | ~ 3300 пФ | VDS = 15 В, VGS = 0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 120 нКл | VDS = 15 В, ID = 100 A |

Тепловые характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность (PD): ~ 125 Вт (зависит от монтажа на плату)
• Температура перехода (Tj): от -55 °C до +175 °C

Парт-номера и аналоги

Производители часто выпускают один и тот же компонент под разными номерами, указывая на упаковке логотипы или коды крупных заказчиков. BSO110N03MS — это базовый номер Infineon.

Прямые парт-номера (Functional Replacements)

Эти транзисторы имеют идентичные или практически идентичные электрические характеристики и корпус, и являются прямыми аналогами для замены.

• Infineon:
  • IPD110N03S: Тот же кристалл, те же характеристики, часто используется как кроссплатформенный номер.
• ON Semiconductor (now onsemi):
  • NTMFS0D9N03: Очень близкие параметры (RDS(on) = 0.9 мОм, VDS = 30 В).
• Vishay / Siliconix:
  • SiR104DP: Аналогичные характеристики (RDS(on) = 1.0 мОм, VDS = 30 В), корпус PowerPAK® SO-8.
• STMicroelectronics:
  • STL110N3LLH5: Хороший аналог с низким RDS(on).

Совместимые / Кроссплатформенные аналоги (Close Replacements)

Эти модели имеют схожие ключевые параметры (напряжение, низкое RDS(on)), но могут незначительно отличаться по току, запасу по напряжению или корпусу. Всегда сверяйтесь с даташитом перед заменой!

• AOS (Alpha & Omega Semiconductor):
  • AON7410 (30 В, 1.4 мОм)
  • AON7414 (30 В, 1.1 мОм)
• Diodes Incorporated:
  • DMN3012SFG (30 В, 1.8 мОм)
• Nexperia:
  • PSMN1R0-30YLD (30 В, 1.0 мОм) — отличный аналог.

Важные замечания по замене и использованию

1. Сверка распиновки (Pinout): Особенно при замене аналогами от других производителей. Убедитесь, что расположение выводов Затвора (Gate), Стека (Drain) и Истока (Source) совпадает.
2. Паразитные параметры: При работе на высоких частотах критичными могут стать не только RDS(on) и Qg, но и внутренние индуктивности, которые могут различаться.
3. Тепловой режим: Несмотря на низкое RDS(on), при больших токах транзистор сильно нагревается. Обязательно используйте качественный теплоотвод и соответствующую площадь медной полигона на печатной плате (согласно рекомендациям в даташите).
4. Цепь управления затвором: Для быстрого переключения и предотвращения паразитных открытий используйте специализированный драйвер MOSFET, а не вывод МК напрямую.

Вывод: Infineon BSO110N03MS — это высокоэффективный и мощный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для задач, требующих минимальных потерь проводимости в компактном корпусе. При замене аналогом всегда обращайтесь к официальным даташитам для окончательного подтверждения совместимости.