Infineon BSM50GB170DN2

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового модуля Infineon BSM50GB170DN2.

Описание

Infineon BSM50GB170DN2 — это двухуровневый IGBT-модуль (Dual), предназначенный для построения силовых полумостовых схем (Half-Bridge). Он широко используется в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Модуль объединяет в одном изолированном корпусе два IGBT-транзистора с обратными диодами (FRD), что значительно упрощает проектирование и сборку силовой части преобразовательной техники, обеспечивая высокую плотность мощности и надежность.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология Trenchstop 5: Последнее поколение IGBT-транзисторов от Infineon, обеспечивающее низкие потери проводимости и коммутации, что повышает общий КПД системы.
• Низкое напряжение насыщения (Vce(sat)): Позволяет снизить тепловыделение при работе.
• Высокоскоростные и мягкие диоды: Встроенные обратные диоды обладают малым временем восстановления и мягкой характеристикой восстановления, что снижает выбросы напряжения и электромагнитные помехи.
• Высококачественная изоляция: Корпус модуля обеспечивает электрическую изоляцию (до 2500 В~) между силовыми выводами и основанием радиатора, что повышает безопасность и позволяет монтировать несколько модулей на общий теплоотвод.
• Паяная медная основа (DCB-керамика): Обеспечивает высокую стойкость к термоциклированию и отличный отвод тепла.
• Винтовые клеммы: Надежное подключение силовых и управляющих цепей.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Общие характеристики | | | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | IGBT Module (Dual) | | | Электрические характеристики (на каждый IGBT/диод, Tj=25°C) | | | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES | 1700 | В | | Ток коллектора (при Tc=80°C) | I_C @ 80°C | 50 | А | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 100 | А | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | V_CE(sat) | 2.05 (тип.) | В @ I_C=50A | | Характеристики встроенного обратного диода | | | | Прямой ток | I_F @ 80°C | 50 | А | | Прямое напряжение | V_F | 2.1 (тип.) | В @ I_F=50A | | Динамические характеристики | | | | Время включения | t_on | 39 | нс | | Время выключения | t_off | 300 | нс | | Тепловые характеристики | | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) | 0.35 | К/Вт (на ключ) | | Максимальная температура перехода | T_j max | +150 | °C | | Прочее | | | | Изоляционное напряжение (между базовой платой и выводами) | V_iso | 2500 | В (RMS), 50 Гц, 1 мин | | Вес | | ~ 85 | г | | Рекомендуемая схема подключения | | Полумост (Half-Bridge) | |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Поиск аналогов и замен для силовых модулей — сложная задача, так как необходимо учитывать не только электрические параметры, но и конструктивное исполнение (корпус, расположение выводов).

1. Прямые аналоги и парт-номера

Это модели, которые являются либо полными клонами, либо имеют минимальные отличия в характеристиках и одинаковое расположение выводов.

• Fuji Electric: 2MBI50VA-170-50. Очень близкий аналог по характеристикам и корпусу.
• Mitsubishi Electric: CM50DY-24H (CM500DY-24H). Классический модуль, проверенный временем. Требуется проверка расположения выводов в документации.
• SEMIKRON: SKM50GB176D. Аналог от другого ведущего производителя.

2. Функционально совместимые модели (от Infineon)

Модели из той же или другой серии Infineon с похожими или лучшими параметрами, которые могут быть использованы в аналогичных схемах. Внимание! Всегда проверяйте datasheet на соответствие корпуса и распиновки.

• BSM50GB120DN2 — аналог на 1200В. Подходит для сетей ~400В.
• BSM75GB170DN2 — аналог на 75А. Прямое усиление по току, корпус совместим.
• BSM150GB170DN2 — аналог на 150А. Более мощный, корпус другой (больше), требуется проверка монтажа.
• BSM50GD170DN2 — модуль с дополнительными тормозным IGBT и диодом (7-выводной корпус).

3. Кросс-ссылки от других производителей

Эти модели часто указываются в программах подбора аналогов и могут быть совместимы по схемотехнике.

• IXYS (Littelfuse): MIXA50WB170DED
• ON Semiconductor: NXV50HB170D1 (могут быть отличия)

Важные замечания по замене и совместимости

1. Всегда сверяйтесь с Datasheet! Перед заменой обязательно скачайте и сравните технические описания (datasheet) оригинального модуля и предполагаемого аналога.
2. Распиновка (pinout): Самое критичное отличие. Разное расположение силовых и управляющих выводов сделает замену невозможной без переделки платы или шин.
3. Геометрические размеры: Убедитесь, что габариты и расположение монтажных отверстий совпадают.
4. Электрические параметры: Обращайте внимание не только на напряжение и ток, но и на динамические характеристики (скорость переключения, потери), которые могут повлиять на работу драйвера и общую эффективность системы.
5. Рекомендуемый драйвер: Для корректной работы BSM50GB170DN2 Infineon рекомендует использовать драйверы серии 2ED* (например, 2ED300C17-S) или другие, совместимые с IGBT-модулями высокого напряжения.

Настоятельно рекомендуется для поиска и покупки аналогов использовать официальные дистрибьюторские порталы (например, Farnell, Mouser, Digi-Key) и их системы подбора, а также консультироваться с техническими специалистами.