Infineon BSM25GD120DN1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для модуля Infineon BSM25GD120DN1.

Описание

Infineon BSM25GD120DN1 — это двунаправленный (семи-пакет) IGBT-модуль второго поколения, предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии. Он сочетает в себе преимущества IGBT-транзистора и диода в одном компактном корпусе, что делает его идеальным решением для широкого спектра мощных приложений.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Низкие потери проводимости и коммутации (Vce_sat и Ets) благодаря технологии Trenchstop IGBT 2.
• Высокая плотность мощности: Компактная конструкция модуля позволяет создавать более мощные и меньшие по размеру системы.
• Низкая индуктивность контура: Внутренняя конструкция минимизирует паразитную индуктивность, что снижает перенапряжения при коммутации и повышает надежность.
• Кремниевый нитрид (SiN) подложка: Обеспечивает высокую стойкость к термическим циклам и отличные изоляционные свойства, что критически важно для долговечности в тяжелых условиях эксплуатации.
• Долгий срок службы: Паяные соединения без проводов (wireless) увеличивают надежность и стойкость к термоциклированию.
• Легкость в монтаже: Винтовые клеммы для простого и надежного подключения.

Основные области применения:

• Преобразователи частоты (ПЧ, VFD)
• Сервоприводы и двигатели переменного тока
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы
• Промышленные сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура модуля | 2-уровневый полумост (7-pack) | Два IGBT и два диода в одном модуле | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 1200 В | | | Номинальный ток (при T_c=80°C) | I_C = 25 А | | | Ток импульса | I_CP = 50 А | | | Насыщающее напряжение коллектор-эмиттер | V_CE(sat) = 1.85 В (тип.) | При I_C = 25 А, V_GE = 15 В | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) = 5.8 В (тип.) | | | Общие потери при переключении (E_ts) | E_ts = 2.3 мДж (тип.) | При I_C = 25 А, V_GE = ±15 В | | Прямое напряжение диода | V_FM = 1.55 В (тип.) | При I_F = 25 А | | Время включения / выключения | t_on = 28 нс / t_off = 290 нс (тип.) | | | Максимальная рабочая температура перехода | T_vj = 150 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) = 0.65 К/Вт | На один IGBT/диод | | Сопротивление изоляции | R_isola ≥ 4 кВ | | | Рекомендуемое напряжение затвора | V_GE = ±15 В | | | Вес | ~ 38 г | |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

При поиске аналога или замены важно учитывать не только электрические параметры, но и конструктив (корпус, расположение выводов), а также тепловые характеристики.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon

Это модули, которые являются полными или очень близкими аналогами в рамках продуктовой линейки Infineon. Они могут иметь незначительные отличия в производительности или упаковке.

• BSM25GD120DN2: Прямой наследник и самая современная версия. Имеет улучшенные динамические характеристики и более низкие потери. Является рекомендуемой заменой для новых проектов.
• BSM25GD120D: Более ранняя версия, может отличаться некоторыми параметрами.

Совместимые аналоги от других производителей

Следующие модели от других ведущих производителей являются функциональными аналогами с похожими характеристиками и корпусом (чаще всего EconoDUAL 3 или аналогичный). Перед заменой необходимо всегда сверяться с даташитами!

1. Fuji Electric:

• 2MBI200XBE120-50: Модуль на 200А/1200В, но в том же корпусе и с похожей структурой. Требует проверки по току.
• 2MBI100XBE120-50: Модуль на 100А/1200В. Более близок по номинальному току.

2. Mitsubishi Electric:

• CM200DY-12NFH: Мостовой модуль на 200А/1200В. Проверять корпус и распиновку.
• CM100DY-12NFH: Мостовой модуль на 100А/1200В.

3. SEMIKRON:

• SKM100GB12T4: IGBT-модуль на 100А/1200В. Один из самых популярных аналогов в своем классе.
• SKM75GB12T4: Модуль на 75А/1200В.

4. ON Semiconductor (Fairchild):

• FGA25N120ANTD: Это не модуль, а отдельный IGBT-транзистор в корпусе TO-3P. Не является прямым аналогом по конструкции, но может использоваться в сборках мостовых схем.

Важное замечание: Многие производители используют схожие конструктивы. Наиболее распространенный корпус для данного класса модулей — EconoDUAL™ 3. Поиск аналогов часто следует вести по этому параметру, а затем подбирать необходимые напряжение и ток.

Рекомендация: Для новых разработок рекомендуется использовать более новое поколение модулей, такое как Infineon BSM25GD120DN2, из-за их улучшенных характеристик. При замене вышедшего из строя модуля в существующем оборудовании необходимо убедиться в полной совместимости по распиновке, характеристикам затвора и механическим размерам.