Infineon BSM200GA170DN2S
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon BSM200GA170DN2S
Отличный выбор! BSM200GA170DN2S — это один из флагманских IGBT-модулей компании Infineon, предназначенный для мощных и высоконадежных применений. Вот подробное описание и технические данные.
Описание
Infineon BSM200GA170DN2S — это двухключевой IGBT-модуль (Half-Bridge топология) второго поколения, созданный по передовой технологии TrenchStop™ 1700V. Он сочетает в себе высокое напряжение, значительный ток и низкие динамические потери, что делает его идеальным решением для требовательных промышленных применений.
Ключевые особенности и преимущества:
- Высокое напряжение: Напряжение коллектор-эмиттер 1700 В позволяет использовать модуль в сетях до 690 В переменного тока с достаточным запасом прочности.
- Большой номинальный ток: 200 А при температуре корпуса 80°C, что обеспечивает высокую выходную мощность.
- Технология TrenchStop™: Позволяет достичь оптимального баланса между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и малыми коммутационными потерями, повышая общий КПД системы.
- Низкие потери при переключении: Особенно важно для высокочастотных применений, снижает тепловыделение.
- Керамическая изоляция (DCB substrate): Обеспечивает высокую электрическую прочность изоляции и отличную теплопроводность, способствуя эффективному отводу тепла.
- Встроенный температурный датчик (NTC-термистор): Позволяет осуществлять мониторинг температуры модуля для защиты от перегрева.
- Основные области применения:
- Промышленные приводы переменного тока (среднего и высокого напряжения)
- Тяговые преобразователи (например, для электропоездов)
- Преобразователи для ветряных генераторов
- Системы накопления энергии (БЭП)
- Источники бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности
- Индукционный нагрев
Технические характеристики (основные)
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Топология | Полумост (2 in 1) | Half-Bridge | | Напряжение VCES | 1700 В | Коллектор-эмиттер | | Номинальный ток (IC nom) | 200 А | При Tcase = 80°C | | Ток коллектора (IC @ 100°C) | 140 А | При Tcase = 100°C | | Напряжение насыщения VCE(sat) | ~ 2.35 В (тип.) | При IC=200A, VGE=15В | | Полные потери при переключении Ets | ~ 270 мДж (тип.) | Зависит от условий | | Макс. рабочая температура перехода | +150 °C | Tj max | | Термистор | Встроенный NTC | Для контроля температуры | | Изоляционное напряжение (Visol) | 4000 Вэфф. | Минимальное | | Индуктивность силовых выводов | < 30 нГн | Очень низкая, для снижения перенапряжений | | Корпус | EconoDUAL™ 3 | Стандартный корпус для мощных модулей | | Вес | ~ 300 г | |
Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели
При поиске аналога или замены важно учитывать не только электрические параметры, но и механическое исполнение (корпус, расположение выводов).
Прямые аналоги и аналоги в других корпусах от Infineon:
- BSM200GB170DN2 — Ближайший аналог. Модуль с такими же электрическими параметрами (200А/1700В), но в более новом и популярном корпусе 62mm. Часто является рекомендуемой заменой при модернизации.
- FZ200R170KE3 — Модуль в корпусе EconoPACK™ 4. Близкие параметры.
- В рамках серии EconoDUAL 3:
- BSM150GA170DN2S (150A, 1700V) — менее мощный вариант.
- BSM300GA170DN2 (300A, 1700V) — более мощный вариант (обратите внимание на отсутствие "S" в конце, может быть отличие в конструкции чипов).
Аналоги от других производителей (требуют тщательной проверки datasheet!):
- SEMIKRON: SKM200GB17E4 (в корпусе SEMiX 4)
- Fuji Electric: 2MBI200VXA-170-50
- Mitsubishi Electric: CM200DY-34S (более старая серия, требует проверки)
- Hitachi: (Модули часто производятся для конкретных заказчиков)
Важные замечания по совместимости:
- Механика: Корпус EconoDUAL 3 имеет специфические монтажные отверстия и габариты. Прямая механическая замена возможна только на модули в том же корпусе.
- Распиновка (pinout): Крайне важно сверить распиновку управляющих и силовых выводов. У разных производителей она может отличаться.
- Характеристики драйвера: Разные модули могут иметь отличные требования к напряжению затвора (Vge), заряду затвора (Qg) и рекомендациям по драйверу. При замене необходимо проверить совместимость с существующей схемой управления.
- Рекомендация: Всегда используйте официальные даташиты (Datasheet) и руководства по применению (Application Notes) от Infineon при проектировании или замене. Для модели BSM200GA170DN2S актуальная документация доступна на официальном сайте Infineon.
Этот модуль представляет собой надежное и производительное решение для построения силовой части высоковольтных преобразователей энергии.