Infineon BSM15GD100D

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзисторного модуля Infineon BSM15GD100D.

Общее описание

BSM15GD100D — это IGBT-модуль третьего поколения (TrenchStop IGBT3) в компактном корпусе 34mm DIL, предназначенный для применения в силовой электронике средней мощности. Он объединяет в одном корпусе силовой IGBT и антипараллельный диод быстрого восстановления (FRD), что делает его идеальным решением для построения полумостовых и других топологий преобразователей.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность: Технология TrenchStop обеспечивает низкие потери проводимости и коммутации.
• Компактность: Небольшие габариты и высокая плотность мощности.
• Низкая индуктивность контура: Конструкция корпуса оптимизирована для снижения паразитной индуктивности, что критично для работы на высоких частотах.
• Высокая надежность: Паяные соединения и керамическая изоляция (Al₂O₃ — оксид алюминия) обеспечивают долгий срок службы и хорошую стойкость к термоциклированию.
• Легкость монтажа: Винтовые клеммы для силовых выводов и стандартное расположение выводов управления.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | 2 в 1 (Полумост) | Один верхний и один нижний ключ в общем корпусе | | Корпус | 34mm DIL (Dual In-Line) | Стандартный двухрядный корпус | | Класс изоляции | 2500 В~ (мин.) | Гальваническая развязка между кристаллами и теплоотводом | | Макс. рабочая температура перехода (Tvjop) | +150 °C | |

Характеристики IGBT: | Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер напряжение (Vces) | 1000 В | | Постоянный ток коллектора (Ic @ 25°C) | 15 А | | Ток коллектора (Ic @ 80°C) | 10 А | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | ~1.85 В (тип.) @ Ic=15A | | Общие потери при коммутации (Ets) | Низкие, характерные для IGBT3 | | Время включения/выключения (ton/toff) | Высокая скорость, оптимизированная для частот 8-20 кГц |

Характеристики антипараллельного диода (FRD): | Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Прямой ток (IF) | 15 А | | Пиковый прямой импульсный ток (IFSM) | 60 А | | Прямое напряжение (VF) | ~1.8 В (тип.) @ IF=15A |

Тепловые характеристики: | Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)) | ~0.75 К/Вт (на ключ) | | Тепловое сопротивление переход-среда (Rth(j-a)) | Зависит от теплоотвода |

Рекомендуемые условия работы:

• Частота коммутации: Оптимально 8-20 кГц (может работать и выше, с учетом роста динамических потерь).
• Напряжение шины постоянного тока (VDC): До 600-700 В для обеспечения запаса по напряжению.

Области применения

Модуль широко используется в инверторах и преобразователях средней мощности:

• Частотные преобразователи (ЧП, VFD) для двигателей мощностью до ~7.5 кВт.
• Источники сварочного тока (инверторные сварочные аппараты).
• ИБП (UPS) средней мощности.
• Солнечные инверторы (инверторы для фотоэлектрических систем).
• Промышленные источники питания.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

При поиске аналога или замены важно учитывать не только электрические параметры, но и механический корпус (34mm DIL) и распиновку.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

• Semikron: SKM15GB100D — практически полный аналог по характеристикам и корпусу. Наиболее популярная прямая замена.
• Fuji Electric: 6MBP15VDA100-50 (или аналогичная серия 6MBP).
• Mitsubishi Electric: CM15TD-12H (серия, требующая проверки распиновки).
• ON Semiconductor: Могут быть аналоги в сериях, унаследованных от Fairchild.

Важные нюансы при замене:

1. Распиновка (Pinout): Несмотря на одинаковый корпус, расположение выводов Gate/Emitter у разных производителей может отличаться. Обязательна проверка по datasheet!
2. Характеристики диода: Могут различаться параметры Vf и trr, что влияет на КПД и нагрев.
3. Рекомендации по драйверу: Параметры затвора (Qg, Vge) могут незначительно отличаться, но, как правило, драйвер, рассчитанный на BSM15GD100D, подойдет и для аналогов.

Внутренние парт-номера Infineon (EconoPACK™ / EconoPIM™):

BSM15GD100D является частью более широкого семейства. Близкие по характеристикам модули в том же корпусе:

• BSM15GB100D — более ранняя версия (IGBT второго поколения).
• BSM15GD120D — на 1200В.
• BSM15GD60D — на 600В.
• BSM10GD100D — на 10А.
• BSM20GD100D — на 20А.

Вывод

Infineon BSM15GD100D — это проверенный, надежный и сбалансированный IGBT-модуль, являющийся отраслевым стандартом для применений на 1000В / 15А. Его главным прямым и часто взаимозаменяемым конкурентом является Semikron SKM15GB100D. При замене всегда необходимо сверяться с даташитами, особенно обращая внимание на распиновку и динамические характеристики.