Infineon BSM150GB120DN2

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для модуля Infineon BSM150GB120DN2.

Описание

Infineon BSM150GB120DN2 — это двухключевой IGBT-модуль (Dual IGBT Module) второго поколения, разработанный для мощных промышленных применений. Он представляет собой полноценный полумостовой инвертор (Half-Bridge) в одном изолированном корпусе.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая мощность: Номинальный ток коллектора 150 А при 80°C и напряжение 1200 В, что делает его подходящим для приводов средней и высокой мощности.
• Низкие потери: IGBT второго поколения TrenchStop обеспечивают низкие потери проводимости (Vce_sat) и коммутации, что повышает общий КПД системы.
• Высокая надежность: Корпус с керамической изоляцией обеспечивает высокую электрическую прочность и отличные теплоотводящие свойства. Модуль предназначен для работы в жестких промышленных условиях.
• Встроенный терморезистор (NTC): Позволяет осуществлять мониторинг температуры модуля для системы защиты от перегрева.
• Компактная конструкция: Интеграция двух IGBT и двух диодов в одном корпусе экономит место на плате и упрощает монтаж.
• Низкоиндуктивная конструкция: Способствует снижению перенапряжений при коммутации.

Основные области применения:

• Промышленные частотные преобразователи (AC Drives)
• Приводы серводвигателей и двигателей переменного тока
• Источники бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности
• Системы возобновляемой энергетики (инверторы для солнечных электростанций)
• Сварочное оборудование

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCES | 1200 В | | Номинальный ток коллектора | IC nom | 150 А | При Tcase = 80°C | | Максимальный ток коллектора | IC max | 300 А | Импульсный | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | ~ 2.05 В | Типовое, при IC = 150A, VGE = 15V | | Открытое напряжение диода | VF | ~ 1.75 В | Типовое, при IF = 150A | | Максимальная рабочая температура перехода | Tvj max | +150 °C | Для IGBT и диода | | Тепловое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) | 0.12 К/Вт | На один IGBT | | Сопротивление изоляции | Visol | 2500 В (эфф.) | Между чипом и основанием корпуса | | Входная емкость | Cies | ~ 15 нФ | Типовое | | Энергия включения | Eon | ~ 45 мДж | Типовое, при IC = 150A, VGE = ±15V | | Энергия выключения | Eoff | ~ 30 мДж | Типовое, при IC = 150A, VGE = ±15V | | Заряд обратного восстановления | Qrr | ~ 3.5 мкКл | Типовое, у антипараллельного диода | | Напряжение управления затвором | VGE | ±20 В (макс.) / ±15 В (реком.) | | | Сопротивление NTC | RNTC | 10 кОм | При 25°C |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Поскольку Infineon является одним из лидеров рынка, этот модуль часто имеет прямые или очень близкие аналоги у других производителей.

Прямые парт-номера Infineon

• BSM150GB120DN2 — основное и полное наименование.
• BSM150GB120DN2K — часто обозначает версию с более жестким допуском или для конкретного крупного заказчика. Функционально идентичен.

Совместимые и аналогичные модели от других производителей

Перед заменой обязательно необходима консультация с технической документацией (Datasheet) и инженером, так как могут быть незначительные различия в характеристиках, размерах и монтажных отверстиях.

| Производитель | Аналог / Совместимая модель | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Fuji Electric | 2MBI150N-120 | Очень близкий аналог по характеристикам и корпусу. | | Mitsubishi Electric | CM150DU-12F | Классический и широко распространенный аналог. | | SEMIKRON | SKM150GB12T4 | Аналог в схожем корпусе. | | Powerex (Mitsubishi) | CM150DU-12F | Тот же модуль, что и от Mitsubishi. |

Важные замечания по применению и замене

1. Проверка даташитов: Всегда сравнивайте полные datasheets перед заменой. Обращайте внимание на:
   • Геометрические размеры и расположение выводов.
   • Внутреннюю схему подключения (конфигурация Half-Bridge должна совпадать).
   • Характеристики затвора (емкость, рекомендуемые сопротивления).
   • Тепловые характеристики (Rth(j-c)).
2. Схемы управления: Для корректной и надежной работы необходимы правильно рассчитанные драйверы затвора, обеспечивающие достаточный ток заряда/разряда и отрицательное смещение для уверенного выключения.
3. Монтаж: Критически важен равномерный момент затяжки винтов, крепящих модуль к радиатору, и использование качественной термопасты для обеспечения хорошего теплового контакта.

Данное описание основано на открытой технической документации Infineon и служит для общего ознакомления. Для проектирования конкретных устройств всегда используйте официальный datasheet с сайта Infineon.