Infineon BSM10GD120DN2E32

Отличный выбор! BSM10GD120DN2E32 — это высокоэффективный силовой полупроводниковый модуль от Infineon, широко используемый в промышленных приводах, ИБП и преобразовательной технике. Вот подробное описание и технические данные.

Краткое описание

BSM10GD120DN2E32 — это IGBT-модуль второго поколения (Trenchstop 2) в популярном корпусе EASY 2B (полубридж, две единицы в общем корпусе). Он содержит два независимых IGBT с антипараллельными диодами, что позволяет собирать из одного модуля один полумост (фазную ногу) для трехфазного инвертора. Модуль оптимизирован для низких потерь и высокой надежности, обладает низким тепловым сопротивлением и встроенным NTC-термистором для контроля температуры.

Основное назначение: Преобразователи частоты, сервоприводы, источники бесперебойного питания (ИБП), сварочное оборудование, промышленные инверторы.

Технические характеристики (Key Parameters)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | 2x IGBT + 2x Диод (Dual) | Полубридж (Half-Bridge) | | Корпус | EASY 2B | Изолированный, низкоиндуктивная конструкция | | Коллектор-Эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В | | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 10 А (при T_c=80°C) | | | Ток коллектора (импульсный) | 20 А | | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.85 В (тип.) при I_C=10А | Низкие проводящие потери | | Падение на диоде (V_F) | ~1.9 В (тип.) при I_F=10А | | | Скорость переключения | Высокая, оптимизирована для частот до 20-30 кГц | | | Тепловое сопротивление, переход-радиатор (R_th(j-c)) | 1.9 К/Вт (на один IGBT) | Хорошие тепловые характеристики | | Макс. температура перехода (T_vj) | +150 °C | | | Встроенная термозащита | NTC-термистор (10 кОм при 25°C) | Для контроля температуры корпуса | | Изоляционное напряжение (мин.) | 2500 В (эфф.) | Между базовой платой и керамической подложкой | | Монтаж | Винтовое соединение (силовые и управляющие выводы) | |

Парт-номера и прямые аналоги

Парт-номер (Part Number) — это и есть полное обозначение BSM10GD120DN2E32. Однако существуют модификации и аналогичные модели в том же семействе:

• BSM10GD120DN2 — базовая версия без суффикса "E32". Суффикс "E32" обычно указывает на конкретную ревизию, упаковку или незначительные улучшения в производстве. В большинстве случаев они являются полными аналогами и взаимозаменяемы. Всегда стоит проверять даташиты на идентичность характеристик.
• BSM10GD120DLC — модель в корпусе EASY 1B (одиночный IGBT с диодом, Dual). Не является прямым аналогом! Имеет схожие электрические параметры, но другую конфигурацию (не полубридж).

Совместимые / Аналогичные модели от других производителей: При замене необходимо сверять конфигурацию (полубридж), корпус (EASY 2B), номиналы напряжения и тока, а также расположение выводов (pinout).

• Fuji Electric: 2MBI100S-120 (2MBI100SA-120)
• Mitsubishi Electric: CM10TF-12H (серия NF)
• SEMIKRON: SKM10GB120V2
• ON Semiconductor (Fairchild): FNA41012S (требует проверки распиновки)

ВАЖНО: Перед заменой всегда необходимо:

1. Сравнивать даташиты.
2. Проверять схему расположения выводов.
3. Учитывать рабочую частоту и условия охлаждения.

Ключевые преимущества BSM10GD120DN2E32

1. Технология Trenchstop 2: Обеспечивает оптимальный баланс между низким напряжением насыщения (V_CE(sat)) и мягкостью переключения, что снижает общие потери и электромагнитные помехи (EMI).
2. Корпус EASY: Высокая стойкость к циклическим нагрузкам, низкая паразитная индуктивность силовых выводов, что критично для работы на высоких частотах.
3. Встроенный NTC-термистор: Позволяет легко организовать защиту от перегрева в системе управления.
4. Высокая изоляция: Позволяет монтировать несколько модулей на общий радиатор без изолирующих прокладок, улучшая тепловой отвод.
5. Проверенная надежность: Широко используется в промышленности, имеет длительный срок службы.

Этот модуль является классическим, надежным решением для построения силовых каскадов мощностью примерно до 5-7 кВт (в трехфазной схеме).