Infineon BSL306NH6327XTSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для инфракрасного транзистора Infineon BSL306NH6327XTSA1.

Описание

Infineon BSL306NH6327XTS7A1 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 6. Данная серия является флагманской линейкой инфракрасных MOSFET от Infineon для низковольтных применений и обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) в корпусе малого размера.

Основное назначение: Компонент предназначен для высокоэффективного управления нагрузкой в цепях с низким напряжением. Его ключевые преимущества — высочайшая эффективность и минимальные потери мощности, что делает его идеальным решением для энергочувствительных устройств.

Типичные области применения:

• Вторичное выпрямление в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в схемах синхронного выпрямления.
• Модули управления питанием (Power Management ICs - PMIC) на материнских платах и в телекоммуникационном оборудовании.
• Цепи переключения нагрузок в серверах, системах хранения данных (NAS).
• Моторные приводы и управление двигателями в потребительской электронике и промышленности.
• Высокоэффективные DC-DC преобразователи.

Корпус: Транзистор выполнен в современном, компактном и термоэффективном корпусе SuperSO8 (также известном как LFPAK или PowerSO-8). Этот корпус обладает низким тепловым сопротивлением и предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

Технические характеристики (Ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Технология OptiMOS™ 6 | | Стандартный парт-номер | BSL306NH6327XTSA1 | | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DSS) | 30 В | | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0,6 мОм (макс.) | При V_GS = 10 В | | | 0,8 мОм (макс.) | При V_GS = 4,5 В | | Максимальный непрерывный ток стока (I_D) | 250 А | При T_C = 25°C *¹ | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 1,7 - 2,35 В | Тип. 2,0 В | | Напряжение "Затвор-Исток" (V_GS) | ±20 В | Максимальное | | Общий заряд затвора (Q_g) | 145 нКл (тип.) | При V_GS = 10 В | | Корпус | SuperSO8 | |

*¹: Указанный максимальный ток в 250 А достигается в идеальных условиях при температуре корпуса 25°C. В реальных условиях максимальный рабочий ток определяется эффективностью отвода тепла с печатной платы (PCB layout) и допустимым перегревом кристалла.

Парт-номера и Совместимые модели

Поскольку BSL306NH6327XTSA1 является высокооптимизированным компонентом, найти его прямого аналога с идентичными характеристиками от других производителей сложно. В основном, совместимость ищется в рамках собственного модельного ряда Infineon и у ключевых конкурентов.

1. Прямые аналоги и варианты в рамках Infineon OptiMOS™ 6

Эти модели могут иметь незначительные отличия в R_DS(on) или других параметрах, но являются функционально и конструктивно совместимыми аналогами для большинства применений.

• BSC306NH6327XTSA1 — Очень близкий аналог, часто с идентичными или почти идентичными характеристиками. Отличие в первой букве (BSL vs BSC) может указывать на незначительные вариации в тестировании или упаковке.
• BSL306NS — Модель в том же семействе, но в корпусе PG-TDSON-8 (который очень похож на SuperSO8 и часто взаимозаменяем с точки зрения посадочного места).
• BSC010NE2LSI (5.7 мОм) и BSC010NE2LNZ (5.1 мОм) — Аналоги от Infineon с напряжением 25В, могут рассматриваться для схожих применений, но с другим напряжением.

2. Функционально совместимые модели от других производителей

Это транзисторы с похожими ключевыми параметрами (низкое R_DS(on), напряжение 25-30В, корпус SO-8), которые могут быть использованы в качестве замены после тщательной проверки даташита и характеристик платы.

• Vishay / Siliconix:
  • SiSS14DN (30 В, 1.4 мОм) — Мощный MOSFET в корпусе PowerPAK® SO-8.
• ON Semiconductor:
  • NTMFS6H800NL (30 В, 0,8 мОм) — Модель из серии TrenchMOS.
• STMicroelectronics:
  • STL320N4LF8 (40 В, 0,8 мОм) — Мощный MOSFET в корпусе H^2PAK-8 (похож на SuperSO8).
• AOS (Alpha & Omega Semiconductor):
  • AONR21357 (30 В, 0,75 мОм) — Аналог в корпусе DFN 5x6.

Важные замечания по замене и использованию

1. Всегда сверяйтесь с даташитом (datasheet)! Перед заменой необходимо тщательно сравнить все ключевые параметры, особенно:
   • Рабочее напряжение (V_DSS)
   • Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) при том же напряжении затвора.
   • Заряд затвора (Q_g) и динамические характеристики (если важна частота переключения).
   • Распиновку корпуса и рекомендации по разводке печатной платы.
2. Терморежим. Такие мощные компоненты требуют качественного теплоотвода. Эффективность системы сильно зависит от площади и слоя меди на печатной плате под корпусом транзистора.
3. Парт-номер BSL306NH6327XTSA1 является полным порядковым номером производителя (MPN). При поиске в каталогах дистрибьюторов (например, Mouser, Digi-Key) используйте именно его.