Infineon BSC150N03LDG

Infineon BSC150N03LDG
Артикул: 562271

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon BSC150N03LDG

Отличный выбор! Infineon BSC150N03LDG — это очень популярный и надежный N-канальный MOSFET в корпусе TO-263 (D²PAK), предназначенный для мощных приложений переключения и управления.


Описание и основные особенности

BSC150N03LDG — это низковольтный (30 В) силовой транзистор с чрезвычайно низким сопротивлением открытого канала (Rds(on)), что делает его идеальным для задач, где критически важны высокий КПД и минимальные тепловые потери.

Ключевые преимущества:

  • Сверхнизкое Rds(on): Всего 1.5 мОм при Vgs=10 В. Это одна из главных причин его популярности.
  • Высокий непрерывный ток: До 150 А, что позволяет управлять очень большими нагрузками.
  • Оптимизирован для переключения: Быстрая скорость переключения благодаря низким емкостям и зарядам затвора.
  • Высокая надежность: Прочная конструкция, стойкость к лавинным нагрузкам (Avalanche Rated).
  • Квалификация для автомобиля (AEC-Q101): Это означает, что компонент прошел строгие испытания на надежность и может использоваться в автомобильной электронике.

Основные области применения:

  • Системы управления питанием (POL, VRM) в серверах, ПК, графических картах.
  • DC-DC преобразователи (синхронное выпрямение, управление шиной).
  • Управление мощными двигателями (например, в электромобилях, дронах, промышленном оборудовании).
  • Силовые ключи в инверторах, системах бесперебойного питания (ИБП).
  • Защита цепей (eFuse, активная балансировка).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Logic Level | | Корпус | TO-263 (D²PAK) | 7-пиновый (часто используются 3) | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 30 В | - | | Непрерывный ток стока (Id) | 150 А | при Tc=25°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.5 мОм | Vgs=10 В, Id=75 А | | | 2.1 мОм | Vgs=4.5 В, Id=75 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.35 - 2.35 В | Vds=Vgs, Id=250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | ~ 130 нКл | Vgs=10 В | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 250 Вт | при Tc=25°C | | Диапазон рабочей температуры | -55 ... +175 °C | - | | Квалификация | AEC-Q101 | Автомобильный стандарт |


Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

При поиске замены или аналога необходимо сравнивать ключевые параметры: Vds, Id, Rds(on), Qg, корпус и цоколевка.

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии или новее):

  • BSC150N03LD — практически тот же транзистор, но без суффикса "G", который часто указывает на упаковку на катушке (Reel). Электрически идентичны.
  • BSC160N03LDG / BSC160N03LD — аналог с очень близкими параметрами (Rds(on)=1.6 мОм).
  • IPLU300N04S4-R8 (40 В, 0.8 мОм) — более новое поколение OptiMOS 4, возможно, с лучшими характеристиками, но на другое напряжение.
  • IPP110N20NFD (200 В, 1.7 мОм) — для более высоких напряжений.

2. Аналоги от других производителей (кросс-референс):

От STMicroelectronics:

  • STL150N3LLH6 — очень близкий аналог в корпусе PowerFLAT 8x8 (но не TO-263). Нужна проверка посадочного места.
  • STP150N3LL — в корпусе TO-220 (для монтажа на радиатор через изоляцию).
  • STY150N3LH6 — в корпусе D²PAK (TO-263), один из самых прямых аналогов.

От ON Semiconductor / Fairchild:

  • FDBL1503 — N-канальный, 30 В, 150 А, 1.7 мОм в D²PAK.
  • NTMFS1503NT1G — в корпусе D²PAK, 1.7 мОм.

От Vishay / Siliconix:

  • SUD150N03-03L — 30 В, 150 А, 3.0 мОм (хуже по Rds(on)).
  • SQJ150EP — возможно, в другом корпусе (PowerPAK).

От Nexperia:

  • PSMN3R0-30YLE — 30 В, 150 А, 3.0 мОм в корпусе LFPAK (эквивалент D²PAK).

От Texas Instruments:

  • CSD17573Q3 — 30 В, 60 А, в корпусе SON (для пайки снизу, другой форм-фактор).

Важные замечания при замене:

  1. Всегда сверяйте даташиты! Особенно разделы Absolute Maximum Ratings и Electrical Characteristics.
  2. Корпус и цоколевка: Убедитесь, что физические размеры и расположение выводов (сток, исток, затвор) совпадают. TO-263 от разных производителей могут иметь отличия.
  3. Характеристики переключения: Даже при схожих Rds(on) и токе, параметры Qg, Ciss, Crss могут отличаться, что повлияет на работу драйвера и частоту переключения.
  4. Рекомендуемая область работы: Обратите внимание на графики в даташите, особенно зависимость Rds(on) от температуры (оно растет с нагревом).

Вывод: Infineon BSC150N03LDG — это мощный, эффективный и надежный MOSFET, ставший отраслевым стандартом для низковольтных высокотоковых применений. При необходимости замены лучше всего начинать поиск с аналогов от Infineon того же или нового поколения (OptiMOS 4, 5, 6), а затем смотреть на предложения от STMicroelectronics (STY150N3LH6) и ON Semiconductor.

Товары из этой же категории