Infineon BSC123N08NS3G

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для MOSFET транзистора Infineon BSC123N08NS3G.

Описание

Infineon BSC123N08NS3G — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 6. Это представитель линейки, ориентированной на максимальную эффективность в компактных корпусах.

Основное назначение: Данный транзистор предназначен для высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS), преобразователей DC-DC, моторных приводов и других приложений, где критичны низкие потери на проводимость и переключение, а также высокая плотность мощности.

Ключевые преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость и высокий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов).
• Супер-струйный (SuperSO8) корпус: Корпус имеет очень низкое термическое сопротивление и позволяет пропускать большой ток, несмотря на малые размеры. Выводы расположены так, что их удобно использовать для уменьшения паразитной индуктивности контура стока-истока.
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает управление и снижает потери в драйвере.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | OptiMOS™ 6 Technology | | Схема включения | Enhancement Mode | | | Корпус | PG-TDSON-8 (SuperSO8) | | | Сток-Исток Напряжение (VDS) | 80 В | | | Непрерывный ток стока (ID) | 100 А | При Tc = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 390 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 1.23 мОм | VGS = 10 В, ID = 50 А | | | 1.55 мОм | VGS = 4.5 В, ID = 25 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.1 - 3.1 В | VDS = VGS, ID = 170 мкА | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 75 нКл | VGS = 10 В, ID = 50 А | | Время включения (td(on) + tr) | ~ 23 нс | | | Время выключения (td(off) + tf) | ~ 38 нс | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | ~ 110 нКл | | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 125 Вт | При Tc = 25°C | | Темп. перехода (Tj max) | от -55 °C до +175 °C | | | Термическое сопротивление (RthJC) | 0.5 К/Вт | Корпус-кристалл |

Парт-номера (Part Numbers) и Аналоги

Производители часто выпускают один и тот же компонент под разными номерами для разных рынков или дистрибьюторов. BSC123N08NS3G — это уникальный порядковый номер Infineon.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

Поиск аналога всегда следует проводить по полному набору электрических характеристик, а не только по напряжению и сопротивлению. Прямой 100% замены может не существовать, но следующие модели являются очень близкими по характеристикам и могут рассматриваться как альтернатива после тщательного анализа даташитов и применения.

| Производитель | Модель | Корпус | VDS | RDS(on) max | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Infineon | BSC123N08NS3G | SuperSO8 | 80 В | 1.23 мОм | Эталонная модель | | Vishay / Siliconix | SiR680DP-T1-GE3 | PowerPAK SO-8 | 80 В | ~1.4 мОм | Очень близкий аналог | | ON Semiconductor | FDS6898A | SO-8 | 30 В | 1.8 мОм | Внимание! Напряжение ниже | | Nexperia | PSMN1R0-80YSH | SuperSO8 | 80 В | 1.0 мОм | Сопротивление даже ниже, проверять управление | | STMicroelectronics | STL160N8F7 | PowerFLAT 5x6 | 80 В | 1.6 мОм | Корпус другой, но электрически близок |

Важные замечания по аналогам и замене:

1. Корпус и цоколевка: Все перечисленные аналоги имеют схожий корпус (SO-8, SuperSO8, PowerPAK), но перед заменой необходимо свериться с документацией на разводку выводов (pinout).
2. Динамические характеристики: Заряд затвора (Qg), внутренние индуктивности и емкости могут отличаться, что повлияет на поведение в высокочастотных схемах.
3. Рекомендация: Всегда используйте официальные даташиты и проводите тестирование в вашем конкретном применении перед массовой заменой. Модель от Nexperia (PSMN1R0-80YSH) является одним из самых прямых и современных конкурентов.

Области применения

• Синхронное выпряление в мощных серверных БП и телекоммуникационных источниках питания.
• Выходные каскады низковольтных DC-DC преобразователей (например, 12В/48В в 1.xВ для процессоров).
• Управление двигателями (например, в сервоприводах, дронах, промышленной автоматике).
• Инверторы и H-мосты.