Infineon BSC031N06NS3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для MOSFET транзистора Infineon BSC031N06NS3.

Описание

Infineon BSC031N06NS3 — это N-канальный MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии OptiMOS™ 3. Это низковольтовой (60 В) ключ, оптимизированный для приложений с низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и высокой эффективностью переключения.

Ключевые особенности и области применения:

• Высокая эффективность: Благодаря очень низкому RDS(on) (всего 3.1 мОм при 10 В) минимизирует потери на проводимость, что критически важно для повышения КПД систем.
• Быстрое переключение: Оптимизированная конструкция и низкие заряды затвора обеспечивают высокую частоту коммутации с минимальными динамическими потерями.
• Высокая стойкость к перегрузкам: Сочетание высокой рабочей температуры (175°C) и хорошей способности к импульсному току делает его надежным в тяжелых условиях.
• Превосходное соотношение цена/производительность: Технология OptiMOS™ 3 предлагает отличные параметры в компактном и недорогом корпусе.

Типичные применения:

• Системы управления питанием (DC-DC преобразователи, POL)
• Низковольтные приводы двигателей (например, в дронах, электроинструментах, вентиляторах)
• Схемы синхронного выпрямления в импульсных источниках питания (SMPS)
• Управление аккумуляторными батареями (BMS, защитные схемы)
• Автомобильная электроника (не критичные к безопасности системы)

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET, Enhancement mode | | | Корпус | TO-263-3 (D²PAK) | Также известен как SOT-404. Пластиковый, для поверхностного монтажа (SMD). | | Структура | TrenchFET | | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 60 В | Максимальное напряжение отключения. | | Непрерывный ток стока (ID) | 100 А | При температуре корпуса Tc = 25°C. | | Импульсный ток стока (IDM) | 390 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 3.1 мОм (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 50 А. Типовое значение ~ 2.4 мОм. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.0 - 4.0 В | | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (VGSS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 48 нКл (тип.) | При VGS = 10 В, что способствует быстрому переключению. | | Рассеиваемая мощность (PD) | 250 Вт | При Tc = 25°C. | | Диод сток-исток | Интегрированный обратный диод (Body Diode) | | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. | | Класс применения | Industrial / Automotive* | *Существует версия для авто (с маркировкой "G"), но BSC031N06NS3 — промышленная. |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот компонент может иметь разные варианты маркировки в зависимости от производителя, партии или упаковки.

Основной номер Infineon:

• BSC031N06NS3 (полное наименование)
• На корпусе обычно нанесена маркировка: 031N06N или ее сокращенный вариант.

Прямые функциональные аналоги (с очень близкими параметрами в том же корпусе D²PAK):

• Infineon: IPP031N06N3, IPB031N06N3 (аналоги из других линеек OptiMOS 3).
• Vishay (Siliconix): SQJ031EP, SQM100N06-3L.
• ON Semiconductor: FDB031N06, NTMFS4833N.
• STMicroelectronics: STP110N6F7.
• Nexperia: PSMN4R5-60YS.

Важно: При замене всегда необходимо сверяться с даташитом, особенно по таким параметрам, как пороговое напряжение (VGS(th)), заряды затвора (Qg, Qgd), максимальный ток и RDS(on) в ваших рабочих условиях (VGS, температура). Прямые аналоги могут иметь незначительные отличия в динамических характеристиках.

Совместимые модели (для замены в большинстве схем)

При поиске замены или аналога ориентируйтесь на следующие ключевые параметры: VDSS ≥ 60В, ID ≥ 100А, RDS(on) ~ 3-5 мОм, корпус D²PAK. Следующие модели являются хорошими кандидатами для замены в типовых схемах (например, в преобразователях напряжения, драйверах моторов):

1. Infineon BSC040N06NS3 (40А, 4.0 мОм) — если требуется меньший ток.
2. Infineon BSC028N06NS3 (92А, 2.8 мОм) — немного лучшее сопротивление.
3. Vishay SQJ031EP — практически полный аналог.
4. ON Semiconductor FDB031N06 — практически полный аналог.
5. STMicroelectronics STP110N6F7 (110А, 3.7 мОм) — хорошая альтернатива.
6. Nexperia PSMN4R5-60YS (100А, 4.5 мОм) — чуть большее RDS(on), но часто более доступен.

Рекомендация по замене:

• Для силовых ключей в преобразователях и моторах лучшими прямыми заменами будут Vishay SQJ031EP и ON Semi FDB031N06.
• Всегда проверяйте разводку печатной платы (pinout), так как в редких случаях у аналогов в одном корпусе может отличаться расположение выводов.
• Для новых проектов рекомендуется рассматривать более новые поколения, такие как Infineon OptiMOS™ 5, 6 или 7, которые при аналогичных габаритах предлагают еще более низкое RDS(on) и лучшую эффективность (например, BSC010N06LS).