Infineon BSC022N03SG

Infineon BSC022N03SG
Артикул: 562263

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon BSC022N03SG

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon BSC022N03SG.

Описание

Infineon BSC022N03SG — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 3. Это представитель линейки, известной своим исключительно низким сопротивлением открытого канала (R DS(on)) и высокими показателями эффективности.

Основное назначение: Транзистор предназначен для применения в силовых электронных устройствах, где критически важны высокий КПД, минимальные потери на проводимость и переключение, а также надежная работа.

Ключевые преимущества:

  • Сверхнизкое сопротивление R DS(on): Всего 2.2 мОм (при V GS = 10 В), что минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
  • Высокая энергоэффективность: Идеально подходит для импульсных источников питания (SMPS), преобразователей напряжения и систем управления двигателями.
  • Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов).
  • Низкий заряд затвора (Q g): Облегчает управление, снижая нагрузку на драйвер.
  • Высокая стойкость к лавинным пробоям: Обеспечивает надежность в условиях импульсных перенапряжений.

Типичные области применения:

  • Импульсные источники питания (SMPS), особенно синхронное выпряление на вторичной стороне.
  • DC-DC преобразователи (например, понижающие, повышающие).
  • Системы управления двигателями (моторные драйверы).
  • Стабилизаторы напряжения (VRM) для материнских плат и серверов.
  • Силовые инверторы и драйверы светодиодов.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 3 | | | Корпус | TO-263 (D2PAK) | | | Сток-Исток напряжение (V DSS) | 30 В | | | Максимальный ток стока (I D) | 100 А | при T_C = 25°C | | Сопротивление открытого канала (R DS(on)) | 2.2 мОм | V_GS = 10 В, I_D = 50 А | | | 2.7 мОм | V_GS = 4.5 В, I_D = 50 А | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 1.7 - 2.4 В | V_DS = V_GS, I_D = 250 мкА | | Максимальное напряжение затвор-исток (V GS) | ±20 В | | | Заряд затвора (Q g) | ~ 45 нКл | V_GS = 10 В | | Рассеиваемая мощность (P D) | 250 Вт | при T_C = 25°C |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производители часто выпускают один и тот же компонент под разными номерами для разных рынков или упаковок. BSC022N03SG также может встречаться под следующими парт-номерами:

  • SPP022N03SG — Версия для отборных/премиум партий.
  • BSC022N03S G (с пробелом) — Тот же компонент, возможный вариант написания.

Прямые аналоги и совместимые модели

Прямые аналоги — это транзисторы с максимально близкими характеристиками и таким же цоколевкой (распиновкой), которые могут быть использованы для замены.

Аналоги от Infineon:

  • BSC010N03SG (R DS(on) = 1.0 мОм) — Более мощный аналог, но обычно дороже.
  • BSC027N03SG (R DS(on) = 2.7 мОм) — Очень близкий по характеристикам, практически полный аналог.
  • BSC030N03SG (R DS(on) = 3.0 мОм) — Чуть менее эффективный, но часто взаимозаменяемый аналог.

Аналоги от других производителей:

  • International Rectifier (ныне часть Infineon):
    • IRFS3004-7PPBF (V DSS = 40В, R DS(on) = 1.8 мОм) — Очень популярный и мощный аналог.
  • Vishay (Siliconix):
    • SUD50N03-08 (R DS(on) = 8.0 мОм) — Более старое решение, менее эффективное.
    • SQ3414EA (R DS(on) = 2.8 мОм) — Более современный аналог.
  • ON Semiconductor (Fairchild):
    • FDBL8601 (R DS(on) = 2.2 мОм) — Прямой конкурент с очень похожими параметрами.
    • NTMFS4821NG (R DS(on) = 2.3 мОм) — Аналог в корпусе SO-8 FL.
  • STMicroelectronics:
    • STL110N3LLH6 (R DS(on) = 1.7 мОм) — Аналог с еще более низким сопротивлением.

Важное замечание по совместимости: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитом (datasheet) обоих компонентов. Особое внимание уделяйте:

  1. Распиновке (Pinout) корпуса.
  2. Рабочему напряжению V DSS.
  3. Пороговому и максимальному напряжению затвора V GS(th)/V GS.
  4. Внутренней структуре (наличие встроенного диода).
  5. Динамическим характеристикам (заряды затвора, емкости), если схема работает на высоких частотах.

BSC022N03SG является устаревшей, но все еще популярной моделью из семейства OptiMOS™ 3. На смену ему пришли более совершенные транзисторы серий OptiMOS™ 5, 6 и 7, которые при тех же размерах обладают еще более низким R DS(on).

Товары из этой же категории