Infineon BSC009NE2LS5I

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для MOSFET транзистора Infineon BSC009NE2LS5I.

Общее описание

Infineon BSC009NE2LS5I — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 5. Он принадлежит к семейству низковольтных MOSFET (до 30 В), ключевыми преимуществами которого являются чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (R DS(on)) и превосходные показатели эффективности (минимальные потери на проводимость и переключение).

Этот компонент предназначен для высокоэффективных и компактных решений, где критически важны энергосбережение и тепловыделение. Типичные области применения:

• Синхронное выпряление в импульсных источниках питания (SMPS) для серверов, телекоммуникаций и промышленного оборудования.
• ЦПУ/ГПУ стабилизаторы напряжения (VRM/Vcore) на материнских платах.
• DC-DC преобразователи в системах с батарейным питанием.
• Управление двигателями в низковольтных системах.

Корпус PG-TDSON-8 (также известный как SuperSO8 или PowerSO8) обеспечивает хороший баланс между компактными размерами и эффективным отводом тепла благодаря открытой термоплощадке (thermal pad) на нижней стороне.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | OptiMOS 5 технология | | Структура | Транзистор с логическим уровнем (Logic Level) | Управление от напряжений ~5В | | Напряжение сток-исток (V DSS) | 25 В | Максимальное допустимое напряжение | | Непрерывный ток стока (I D) | 100 А | При Tc = 25°C | | Сопротивление открытого канала (R DS(on)) | 0,95 мОм (макс.) | Ключевой параметр. При Vgs = 10 В, Id = 25 А | | | 1,20 мОм (макс.) | При Vgs = 4.5 В, Id = 25 А | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 1.35 - 2.35 В | Тип. 1.85 В | | Заряд затвора (Q g) | ~ 27 нКл (тип.) | При Vgs = 4.5 В, влияет на скорость переключения | | Максимальная рассеиваемая мощность (P tot) | 2.8 Вт | При Tc = 25°C | | Температура хранения/перехода (T stg / T j)| от -55 до +150 °C / до +175 °C | | | Корпус | PG-TDSON-8 | SuperSO8, с тепловым pad |

Расшифровка ключевых преимуществ:

• Сверхнизкое R DS(on): Позволяет минимизировать потери мощности в открытом состоянии (P_loss = I² * Rds(on)), что повышает общий КПД системы и уменьшает нагрев.
• Высокий ток: Способность работать с токами до 100А делает его пригодным для сильноточных применений.
• Быстрое переключение: Низкие заряды затвора (Qg) и внутренние емкости позволяют работать на высоких частотах (сотни кГц — единицы МГц), уменьшая габариты пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов).

Парт-номера и совместимые модели

Этот конкретный компонент имеет уникальный код, однако существуют прямые аналоги и функционально совместимые модели от других производителей, а также другие варианты в семействе OptiMOS 5 с близкими параметрами.

1. Прямые аналоги и кроссплатформенные замены

Следующие модели имеют максимально близкие характеристики (25В, ~1 мОм, корпус SuperSO8) и могут использоваться в качестве замены при тщательной проверке посадочного места (footprint) и характеристик в конкретной схеме:

• Nexperia: PSMN1R0-25YLD (1.0 мОм, 100А)
• ON Semiconductor: FDBL86062_F085 (0.85 мОм, 100А) — часто используется как аналог.
• Vishay Siliconix: SiR860ADP (1.0 мОм, 100А)
• STMicroelectronics: STL160N4F7 (0.7 мОм, 160А) — более мощный, требует проверки.
• Alpha & Omega Semiconductor: AON7400 (1.1 мОм, 100А)

Важно: Всегда сверяйтесь с даташитами, особенно по:

• Распиновке (pinout) корпуса.
• Номинальным значениям порогового напряжения (Vgs(th)) для вашей схемы управления.
• Динамическим характеристикам (Ciss, Coss, Crss, Qgd) для высокочастотных применений.

2. Другие модели в линейке Infineon OptiMOS 5 (25В)

Infineon предлагает "соседние" по параметрам детали в том же корпусе, которые могут быть выбраны для оптимизации по цене или параметрам:

• BSC010NE2LS5I — 0.98 мОм (аналогичный, чуть лучшее сопротивление).
• BSC011NE2LS5I — 1.10 мОм.
• BSC014NE2LS5I — 1.37 мОм (более доступный вариант для менее требовательных задач).
• BSC016NE2LS5 — 1.60 мОм.

3. Похожие модели от Infineon в других корпусах

• BSC009NE2LS — аналог в корпусе PG-TDSON-8 (без суффикса "I"). Суффикс "I" часто указывает на улучшенные характеристики или новую ревизию. В данном случае различия минимальны, но для новых проектов рекомендуется версия "I".
• IPD09N03L / BSZ0903NSI — аналоги в корпусах D2PAK (TO-263) или S3O8. Имеют другую расстановку выводов и тепловые характеристики.

Рекомендации по применению

1. Тепловой режим: Несмотря на низкое Rds(on), при больших токах нагрев значителен. Обязательно проектировать качественный тепловой контакт площадки корпуса с медным полигоном на печатной плате (использовать thermal vias).
2. Цепь управления затвором: Для быстрого переключения и предотвращения паразитных колебаний необходима правильная разводка и, часто, драйвер затвора с достаточной мощностью.
3. Паразитная индуктивность: Минимизируйте длину силовых петель (сток-исток) для снижения выбросов напряжения при коммутации.

Вывод: Infineon BSC009NE2LS5I — это высокотехнологичный, высокоэффективный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для требовательных низковольтных преобразователей. При замене или выборе аналога критически важно изучать даташит, уделяя внимание не только "трем главным параметрам" (Vds, Id, Rds(on)), но и динамическим характеристикам и распиновке.