Infineon BGX50A

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и список совместимых моделей для IGBT-транзистора Infineon BGX50A.

Описание

Infineon BGX50A — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), выполненный в популярном промышленном корпусе TO-247. Этот компонент предназначен для работы в цепях высокого напряжения и высоких токов, сочетая в себе простоту управления по напряжению (как у MOSFET) и способность выдерживать высокое напряжение насыщения (как у биполярного транзистора).

Ключевая особенность этой серии — использование тrenchstop (траншея-стоп) технологии от Infineon. Эта технология позволяет достичь низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)), что напрямую приводит к снижению коммутационных потерь и меньшему нагреву компонента при той же нагрузке по сравнению с более старыми поколениями IGBT.

Основные преимущества:

• Низкие потери проводимости: Благодаря низкому Vce(sat).
• Высокая стойкость к перенапряжениям: Хорошо подходит для индуктивных нагрузок.
• Высокая плотность тока: Позволяет создавать более компактные системы.
• Простота управления: Управляется напряжением на затворе.
• Встроенный быстрый обратный диод: Важно для инверторных и мостовых схем, так как обеспечивает путь для обратного тока, защищая транзистор.

Сфера применения:

• Силовые инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Индукционные нагреватели
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер Напряжение (Vces) | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора (Ic) при 100°C | 50 А | | | Ток коллектора импульсный (Icm) | 100 А | | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер (Vce(sat)) | ~1.65 В (тип.) | При Ic=25А, Vge=15В | | Напряжение отпирания затвора (Vge(th)) | 4.5 - 6.5 В | Типичное пороговое напряжение | | Рекомендуемое напряжение на затворе (Vge) | ± 20 В макс. / ±15 В рек. | | | Потребление затвора (Qg) | ~110 нКл (тип.) | Заряд, необходимый для переключения | | Время включения (ton) | ~30 нс (тип.) | | | Время выключения (toff) | ~220 нс (тип.) | | | Параметры встроенного диода | | | ├ Непрерывный прямой ток (If) | 50 А | | | └ Прямое напряжение диода (Vf) | ~2.1 В (тип.) | При If=25А | | Тепловое сопротивление переход-корпус (Rthj-c) | 0.45 °C/Вт | | | Максимальная температура перехода (Tj) | +175 °C | | | Корпус | TO-247 | |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

IGBT-транзисторы часто имеют несколько парт-номеров от одного производителя и аналоги от других компаний. BGX50A является частью серии, и его можно заменить на следующие модели:

1. Прямые аналоги и другие парт-номера в серии Infineon

• IGW50N60T: Это, по сути, тот же самый транзистор. Буквы "BGX" часто используются для обозначения специфических партий или упаковок, в то время как "IGW50N60T" — это основное коммерческое название серии.
  • Расшифровка: IGW = IGBT с обратным диодом, 50 = ток 50А, N = N-канальный, 60 = напряжение 600В, T = Trenchstop технология.
• IGW50N60H3: Более новая версия с улучшенными характеристиками (меньшие потери).

Вывод: IGW50N60T — это прямой и наиболее вероятный аналог от самого Infineon.

2. Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске аналога необходимо сверять распиновку (pin-to-pin), ключевые электрические характеристики (Vces, Ic, Vce(sat)) и корпус.

Наиболее близкие аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics: STGW50N60S, STGW50N60DF2
• Fuji Electric: 2MBI50N-060 (это модуль, но с аналогичными параметрами)
• ON Semiconductor (Fairchild): FGH50N60SMD
• Toshiba: GT50QR21 (требует проверки даташита)

Важное примечание: Несмотря на совместимость по корпусу и номинальным значениям, всегда необходимо внимательно изучать даташиты перед заменой. Особое внимание стоит уделить:

• Внутренняя емкость затвора и заряд (Qg): это повлияет на драйвер затвора.
• Временные характеристики переключения (ton, toff): критично для высокочастотных схем.
• Характеристики встроенного диода (Vf, trr): особенно в схемах с обратной рекуперацией энергии.

Для точного подбора аналога рекомендуется использовать сервисы для поиска аналогов электронных компонентов (например, на сайтах поставщиков like ChipFind, Octopart) или официальные кросс-референс-базы производителей.