Infineon BGS12SN6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Infineon BGS12SN6.

Описание

Infineon BGS12SN6 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой Shielded Gate Trench (SGT) технологии от Infineon. Ключевой особенностью этого компонента является его низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) при чрезвычайно малом напряжении затвора.

• Низкопороговое напряжение (Logic Level): Транзистор полностью открывается при напряжении на затворе всего 1.8 В, что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (таких как Arduino, STM32, ESP32) и других цифровых логических схем без использования драйверов.
• Высокая эффективность: Благодаря низкому Rds(on) транзистор минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии, что особенно важно в импульсных стабилизаторах и цепях управления мощностью.
• Компактный корпус: Выполнен в сверхмалом корпусе PG-TSDSON-6 (2.9x1.0mm), что делает его идеальным для портативных и компактных устройств.
• Быстрое переключение: Технология обеспечивает отличные динамические характеристики, что позволяет использовать его в высокочастотных преобразователях.
• Защитный диод: Встроенный обратный диод (body diode) обеспечивает защиту от всплесков напряжения индуктивного характера.

Основные области применения:

• Цепи управления питанием (Load Switch)
• Импульсные источники питания (DC-DC Converters)
• Системы управления двигателями
• Портативная электроника (смартфоны, планшеты)
• Модули силовой электроники

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | | Технология | Shielded Gate Trench (SGT) | | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 20 В | | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 12 В | Для версий BGS12SN6 | | Постоянный ток стока (Id) | 7 А | при Tc = 25°C | | Сопротивление откр. канала (Rds(on)) | ~1.8 мОм | Vgs = 4.5 В, Id = 5 А | | | ~2.3 мОм | Vgs = 2.5 В, Id = 5 А | | | ~3.5 мОм | Vgs = 1.8 В, Id = 5 А | | Напряжение затвора (Vgs) | ±8 В (макс.) | | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 0.5 - 0.8 В | типичное | | Корпус | PG-TSDSON-6 | Размер: 2.9 x 1.0 мм |

Парт-номера и аналоги

Производитель часто выпускает одно и то же изделие с разными парт-номерами, указывающими на специфику упаковки или небольшие модификации.

Парт-номера Infineon

• BGS12SN6E6327XTSA1 - Стандартный парт-номер для заказа.
• BGS12SN6E6327 - Базовая часть номера.

Прямые аналоги и совместимые модели

При поиске аналога важно обращать внимание на ключевые параметры: напряжение Vds, ток Id, Rds(on) при низком Vgs и корпус.

Почти полные аналоги от Infineon:

• BGS12SN6 (20В) и BGS12SN6 (12В) - обратите внимание на напряжение в названии.
• BSC010N03LS (30В, 1.0 мОм при Vgs=4.5В) - более высокое напряжение, но схожие характеристики по току и сопротивлению.

Аналоги от других производителей:

• Nexperia:

  • PSMN0R9-20YLD (20В, 8.8А, 0.9 мОм) - очень близкий и популярный аналог.

• ON Semiconductor (Fairchild):

  • FDMC8030 (20В, 9А, ~2.1 мОм при Vgs=4.5В) - хороший аналог в похожем корпусе.

• Texas Instruments:

  • CSD17313Q3 (20В, 7.7А, 2.2 мОм при Vgs=4.5В) - прямой конкурент в корпусе SON.

• STMicroelectronics:

  • STL160NS3LL (30В, 16А, 3.0 мОм при Vgs=2.5В) - другой корпус, но подходит для схожих задач.

Важно: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами (техническими описаниями) обоих компонентов, особенно обращая внимание на распиновку (pinout) корпуса, так как она может отличаться у разных производителей даже для одинаковых корпусов.